公开(公告)号：CN111826635A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010773735.3

申请日：2020-08-04

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 任泽阳 ,  张金风 ,  张进成 ,  苏凯 ,  何琦 ,  郝跃

IPC分类号： C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  C23C16/458

摘要： 本发明涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括：波导装置，波导装置包括微波天线，微波天线包括进气管、水冷结构、天线下盘和分气盘，反应腔，设置在波导装置下方，与波导装置连接，天线下盘位于反应腔内部；旋转升降冷却机构，旋转升降冷却机构包括主轴、升降机构、旋转机构和冷却机构，其中，主轴顶端与反应腔内设置的生长平台连接；升降机构、旋转机构和冷却机构均与主轴连接，以驱动主轴带动生长平台在反应腔内做直线运动和旋转运动的同时进行水冷散热。本发明的微波等离子体化学气相沉积装置，可以为化学气相沉积工艺提供稳定的生长平台，避免了金刚石膜出现生长不均匀的现象。

公开(公告)号：CN107170795B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201710197668.3

申请日：2017-03-29

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 毛维 ,  丛冠宇 ,  郝跃 ,  杜鸣 ,  张金风

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种源‑漏复合场板垂直型电力电子器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极下方有两个注入区(8)，除肖特基漏极底部以外的所有区域覆盖有钝化层(12)，电流阻挡层之间形成孔径(5)；电流阻挡层采用二级台阶结构，钝化层左右两边的上部和背面分别刻有整数个源阶梯和漏阶梯，阶梯上淀积有金属，分别形成源场板(13)和漏场板(14)，源场板与源极电气连接，漏场板与漏极电气连接。本发明双向击穿电压高、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。

公开(公告)号：CN110911485A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911178522.X

申请日：2019-11-27

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 赵胜雷 ,  刘爽 ,  张进成 ,  张苇杭 ,  张雅超 ,  许晟瑞 ,  冯倩 ,  张金风 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种基于P型层的增强型双向阻断功率GaN基器件及制作方法，主要解决现有技术的误开启问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)和势垒层(5)，势垒层两侧上方为源极(7)和漏极(8)，势垒层的中间上方设有P型层(6)，P型层的上部为栅极(9)，栅极与源极、栅极和漏极之间为钝化层(10)。本发明通过在栅电极下方淀积P型层，使得只有在栅电极上加正向电压时才会吸引电子形成2DEG导电沟道，而在未工作时处于常闭状态，避免了因为环境带来的噪声所引起的器件误开启，降低了器件的功耗，提高了器件的可靠性和稳定性，可作为交流到交流的变换电路和电力电子的功率开关电路。

公开(公告)号：CN110828292A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810913224.X

申请日：2018-08-13

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 任泽阳 ,  张雅超 ,  张进成 ,  张金风 ,  许晟瑞 ,  苏凯 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/373

摘要： 本发明涉及一种基于复合衬底的半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：选取Si衬底层；在所述Si衬底层下表面生长金刚石层；在所述Si衬底层上表面生长AlN成核层；在所述AlN成核层上表面生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上表面生长AlGaN势垒层。本发明将具有高质量的Si衬底层与具有高热导率的金刚石层相结合，形成Si/金刚石复合衬底结构，利用金刚石层的高热导率的优点，解决了单纯在Si衬底层上生长大功率氮化物半导体材料存在的散热差的问题。

公开(公告)号：CN110164766A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910326079.X

申请日：2019-04-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 任泽阳 ,  张金风 ,  吕丹丹 ,  张进成 ,  苏凯 ,  张雅超 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L23/373

摘要： 本发明涉及一种基于金刚石衬底的氮化镓器件及其制备方法。其中，基于金刚石衬底的氮化镓器件的制备方法包括步骤：在氮化镓材料层的第一面生长金刚石层；在所述氮化镓材料层的第二面生长AlN成核层；在所述AlN成核层上生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长AlGaN势垒层。该制备方法通过在氮化镓材料层的第一面直接生长金刚石层，避免引入介质层，消除了介质层材料热阻的影响，使得金刚石与氮化镓材料直接接触，从而使氮化镓器件直接利用热导率较高的金刚石进行散热，有效解决了氮化镓大功率器件的散热问题。

公开(公告)号：CN105932041B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201610297803.7

申请日：2016-05-06

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张金风 ,  黄旭 ,  安阳 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有小尺寸高电子迁移率晶体管栅控能力差及源、漏电阻大的问题。其自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、栅介质层、钝化层和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；AlGaN势垒层包括两层AlGaN，并且第一层AlGaN材料的Al组分逐渐变化；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；源、漏电极分别位于势垒层和沟道层的左、右两端；栅电极覆盖在鳍型GaN/AlGaN异质结的两侧和上方。本发明器件具有源、漏电阻小、栅泄漏电流小和栅控能力好的优点，可用作小尺寸高速低功耗器件。

公开(公告)号：CN105869998B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201610333650.7

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  吕佳骐 ,  陈智斌 ,  庞凯 ,  朱家铎 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金风 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  C23C28/04

摘要： 本发明公开了一种基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)脉冲激光淀积生长二硒化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硒化锡和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能氮化镓基器件。

公开(公告)号：CN105140365B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201510508696.3

申请日：2015-08-18

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 许晟瑞 ,  郝跃 ,  任泽阳 ,  张进成 ,  李培咸 ,  姜腾 ,  蒋仁渊 ,  张金风

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/00

摘要： 本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)对c面蓝宝石进行热处理；2)在热处理后衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层上生长厚度为0.2‑100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm‑3～5×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～4×1019cm‑3的高温n型GaN有源层；4)在有源层上生长厚度为5‑200nm的AlGaN阻挡层；5)在阻挡层上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm‑3～5×1019cm‑3的高温p型GaN层。本发明工艺简单，成本低，可用于制作Ga极性GaN黄光发光二极管。

公开(公告)号：CN107170796A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710198228.X

申请日：2017-03-29

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 毛维 ,  丛冠宇 ,  杜鸣 ,  郝跃 ,  张金风 ,  林志宇

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种分段栅场板垂直型电流孔径功率器件，其自下而上包括：漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的二级阶梯形的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极(9)下方通过离子注入形成两个注入区(8)，除漏极底部以外的所有区域覆盖有钝化层(13)，两侧的钝化层内分别制作有分段栅场板(12)，该分段栅场板是由多个相互独立的浮空场板和一个栅场板构成，栅场板与栅极电气连接，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。

公开(公告)号：CN104393048B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410658234.5

申请日：2014-11-18

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 毛维 ,  葛安奎 ,  郝跃 ,  边照科 ,  石朋毫 ,  张进成 ,  马晓华 ,  张金风 ,  杨林安 ,  曹艳荣

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种介质调制复合交叠栅功率器件，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层层(8)和保护层(13)，势垒层(3)上淀积有源极(4)与漏极(5)，钝化层(8)内刻有栅槽(9)与凹槽(10)，其中栅槽靠近源极，凹槽靠近漏极，且栅槽的深度等于钝化层的厚度，凹槽(10)中完全填充有高介电常数介质(11)，在栅槽内、栅槽与漏极之间的钝化层上部及高介电常数介质上部淀积有交叠栅(12)，高介电常数介质与交叠栅构成复合交叠栅。本发明具有工艺简单、击穿电压高、场板效率高、可靠性高和成品率高的优点。(2)、势垒层(3)、台面(6)、绝缘介质层(7)、钝化