公开(公告)号：CN104641024A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380048354.7

申请日：2013-10-28

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 北川胜之 ,  浦野雅彦 ,  吉田胜浩

IPC: C30B15/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/02 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1056

Abstract: 本发明涉及一种原料填充方法，在具有圆筒部件及锥形阀的再装填管中收容原料，其中，所述圆筒部件为石英制并收容原料，所述锥形阀用于开闭该圆筒部件下端的开口部，在将该收容有原料的再装填管安置在腔室内，使锥形阀下降，打开圆筒部件下端的开口部，由此向石英坩埚内投入收容在再装填管内的原料，其特征在于，配置再装填管及石英坩埚，使开始投入原料时所述再装填管的下端与石英坩埚内的原料或者熔液的距离为200mm以上250mm以下，之后，以石英坩埚的下降速度(CL)与再装填管的锥形阀的下降速度(SL)之比(CL/SL)为1.3以上1.45以下的方式，一边使石英坩埚和再装填管的锥形阀同时下降，一边投入原料。由此，能够抑制石英坩埚或再装填管的破损。

公开(公告)号：CN104620362A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380047658.1

申请日：2013-10-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 浅井一将

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B49/12 ,  B24B37/005 ,  B24B37/08 ,  B24B49/03 ,  H01L21/02024 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明公开一种具有以高研磨速率进行研磨的第一研磨工序、及接着以低研磨速率进行研磨的第二研磨工序的双面研磨方法，该双面研磨方法包含：测量工序，其在研磨后将从晶圆的最外周部通过中心的直线分割成规定的区间，且光学测量该已分割的区间的截面形状；数值化工序，其将每个已分割的区间的已预先设定的权重附加至已测量的截面形状，将每个区间的平坦度加以数值化；以及设定工序，其基于已数值化的平坦度，来设定下次研磨时的第一研磨工序的研磨条件和第二研磨工序的研磨条件；其中，在测量截面形状的工序中，最外周区间的测量所使用的测量装置的光束直径，比最外周以外的区间的测量所使用的光束直径更小。由此，提供一种双面研磨方法，能够不降低生产率且以良好的精度来测量研磨后的晶圆的直到最外周部的形状，以提高包含晶圆的最外周部的晶圆整体的平坦度。

公开(公告)号：CN104602864A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380046138.9

申请日：2013-08-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐佐木正直 ,  青木一晃 ,  安田太一 ,  佐藤勇章 ,  汤浅雄大 ,  浅井一将 ,  古川大辅

IPC: B24B37/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/28 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种双面研磨方法，其在载体上保持晶圆，且利用粘贴有研磨布的上平板和下平板来夹持所述载体，并同时研磨所述晶圆的双面，其中，所述载体具有：保持孔，其用于保持所述晶圆；环状的树脂插入物，其沿着所述保持孔的内周而配置，且具有接触所述所保持的晶圆的周缘部的内周面；该双面研磨方法的特征在于，在将所述树脂插入物的内周面上的凹凸的最大高低差定义为所述内周面的平面度，并将连结所述内周面的上端部与下端部的直线与垂直于载体主面的直线所夹的角度定义为所述内周面的垂直度时，一边将所述平面度维持在100μm以下，并将所述垂直度维持在5°以下，一边研磨所述晶圆的双面。由此，提供一种双面研磨方法，该双面研磨方法尤其能够抑制如外周塌边这样的研磨后的晶圆的平坦度的恶化，该平坦度的恶化由于载体的树脂插入物的内周面的形状变化所导致。

公开(公告)号：CN103998182A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280062581.0

申请日：2012-11-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 富井和弥

IPC: B24B27/06 ,  B28D5/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B28D5/045 ,  B24B27/0633 ,  B28D5/0064

Abstract: 本发明是一种工件的切割方法，该方法将固定有磨粒的钢线卷绕在多个带槽滚筒上，并使上述钢线在轴方向做往复行进，一边向上述钢线供给加工液，一边将工件压抵至上述做往复行进的钢线而进行切入进给，由此将上述工件切割成晶片状，上述工件的切割方法其特征在于，反复进行下述工序而切割上述工件，该工序为，在将上述工件在切入进给方向以5mm以上且30mm以下的进给量进行切入进给之后，使上述工件仅以上述进给量的1/4以上且小于进给量的后退量、且上述工件的切入进给方向的长度的1/15以下的后退量向与上述切入进给方向相反的方向倒退。由此，提供一种在利用使用了固定有磨粒的钢线的线锯所进行的切割中，能够改进工件的切割质量、尤其能够改进纳米形貌的切割方法。

公开(公告)号：CN103842129A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280045340.5

申请日：2012-08-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 糸井征夫

IPC: B24B27/06 ,  B28D5/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B23D61/185 ,  B23D57/0053 ,  B24B27/0633 ,  Y10T83/04 ,  Y10T83/9292

Abstract: 本发明是一种工件的切割方法，使卷绕于多个带槽滚筒的钢线在轴方向做往复行进，一边向上述钢线供给浆液一边将工件相对地下压，并压抵至做往复行进的上述钢线而切入进给，而将上述工件切割成晶片状，上述工件的切割方法其特征在于，包括：准备上述带槽滚筒的工序，上述带槽滚筒以上述带槽滚筒的多个槽的底部的位置与该带槽滚筒的旋转轴之间的距离从钢线供给侧朝向钢线回收侧逐渐变短的方式形成；以及切割上述工件的工序，以上述钢线供给侧的钢线比上述钢线回收侧的钢线更早地压抵至上述工件的方式切割上述工件。由此，能够抑制在利用线锯切割工件时尤其是在使槽间距较窄的钢线回收侧因工件的开始切割部位局部变薄而导致的TTV变差。

公开(公告)号：CN101454908B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200780019441.4

申请日：2007-05-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木由佳里 ,  池田淳 ,  石崎顺也 ,  池田俊一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02576 ,  H01L24/05 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463

Abstract: 本发明的发光元件(100)具有发光层部(24)，其具有依次积层AlGaInP所分别构成之n型包覆层(4)、有源层(5)及p型包覆层(6)的双异质结构；且以部分覆盖第一主表面侧为p型、第二主表面侧为n型之贴合对象层(50)第一主表面的形式，形成光取出侧电极(9)。又，在该贴合对象层(50)的第二主表面贴合由III-V族化合物半导体所构成之n型透明元件基板(90)(能带间隙能量大于有源层)。接着，在透明元件基板与贴合对象层(50)中至少一个上形成贴合面，使得两者贴合，且形成贴合面侧形成有n型掺杂物Si浓化之高浓度Si掺杂层3d的InGaP中间层(3)。由此，本发明提供一种即使是在发光层部与透明导电性半导体基板之贴合面侧为n型，形成于贴合面侧之InGaP中间层以Si掺杂成n型时，可充分降低在贴合界面之元件串联电阻，也可谋求该切换反应性的发光元件。

公开(公告)号：CN101589479B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200880002856.5

申请日：2008-01-28

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木由佳里 ,  池田淳

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/02052

Abstract: 在具有发光层部24的由III-V族化合物半导体所构成的主化合物半导体层50一方的主表面，具有将透明导电性半导体基板70直接贴合的构造，且将主化合物半导体层50与透明导电性半导体基板70的贴合界面的碱金属原子浓度调整在大于或等于1×1014atoms/cm2、小于或等于2×1015atoms/cm2的范围。由此，提供一种可充分降低发光层部与透明导电性半导体基板界面电阻的发光元件。

公开(公告)号：CN101809769A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200880109044.0

申请日：2008-10-07

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久米史高 ,  筱原政幸

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/30 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/30

Abstract: 根据金属有机化合物气相外延法，具有以 方向作为基准方向，倾斜角为10°到20°之间的主轴的GaAs单结晶基板(1)上，依次形成由包含两个或多个以上III族元素的(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中0≤x≤1，0＜y≤1)构成的发光层部(24)和第一GaP层(7a)。其中，倾斜角用氢化物气相外延法，在第一GaP层(7a)上形成第二GaP层(7b)，(7c)。第二GaP层(7b)，(7c)作为二阶段生长，以第一生长速度的低速生长区域(7b)和以高于上述第一生长速度的第二生长速度的高速生长区域(7c)，在整个生长过程中，速度在10μm/hr到40μm/hr之间。从而提供一种化合物半导体外延晶片及其制造方法，它能够抑制通过氢化物气相外延法形成的厚的窗口层时产生的小丘高度。

公开(公告)号：CN100517724C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN02807889.6

申请日：2002-03-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  三谷清

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明提供一种SOI晶片及其制造方法，该SOI晶片是利用离子注入剥离法所制作的SOI晶片，其特征为：发生在SOI晶片边缘部的基片表面外露的平台部的SOI岛区域宽度小于1mm，而且利用LPD检查所检测出的存在于SOI层表面的尺寸为0.19μm以上的凹坑状缺陷的密度，在1counts/cm2以下。因此，可提供一种利用离子注入剥离法所制作的SOI晶片，抑制剥离时所发生的SOI岛的产生，并且降低SOI晶片表面所存在的LPD缺陷密度的SOI晶片及其制造方法，而且可减少器件不良。

公开(公告)号：CN100490075C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200480010125.7

申请日：2004-03-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 金谷晃一 ,  大塚彻 ,  大濑广树

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12

Abstract: 一种衬托器(2)，其中在半导体基板(W)的正面上进行单晶薄膜的气相生长时，半导体基板(W)在凹部(2c)中受到大致水平地支承，并且所述凹部(2c)包括用以支承半导体基板(W)的外周侧凹部(20)和形成在所述外周侧凹部(20)内部且自所述外周侧凹部(20)凹入的中央侧凹部(21)，其中所述外周侧凹部(20)包括基板支承表面(20a)，所述基板支承表面自凹部(2c)的外周侧朝向中央侧相对于水平表面向下倾斜，并且基板支承表面(20a)中除去至少内周边缘之外的区域支承位于半导体基板(W)的外周边缘内部的一部分半导体基板(W)的背面。