氮化物基半导体发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1848471A

    公开(公告)日:2006-10-18

    申请号:CN200610075305.4

    申请日:2006-04-12

    Inventor: 幡俊雄

    Abstract: 本氮化物基半导体发光装置包括:形成在导电衬底(1)上的图案表面(20a);形成在图案表面(20a)上的多层金属层(49);和形成在多层金属层(49)上的多层半导体层(19),且其特征在于多层金属层(49)和多层半导体层(19)的主表面(49m,49n,19m,19n)具有小于图案表面(20a)的面积,和多层半导体层(19)包括p型氮化物基半导体层(14)、发光层(13)和n型氮化物基半导体层(19)。因此,提供了在氮化物基半导体层与导电衬底之间具有优异粘附性的高可靠氮化物基半导体发光装置。

    半导体发光元件
    112.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1250546A

    公开(公告)日:2000-04-12

    申请号:CN98803436.0

    申请日:1998-03-18

    Inventor: 幡俊雄

    CPC classification number: H01L33/42 H01L33/145 H01L33/32 H01L33/38

    Abstract: 本发明涉及半导体发光元件,其特征在于,由在表面具有电流阻挡区域和电流注入区域的半导体层、为构成所述电流阻挡区域而在所述半导体层上形成的电流阻挡层、在该阻挡层上形成的衬垫电极、以及为构成所述电流注入区域而在所述半导体层上形成的透光性电极构成,所述衬垫电极具有与透光性电极连接的电极连接部。利用这样的半导体发光元件,可防止发生由于透光性电极断线而造成的电流不能注入发光元件、透光性电极电阻变高的情况,能高成品率地制作工作性能良好的发光元件。

    发光装置以及照明器具
    114.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107004751B

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201580060819.X

    申请日:2015-08-25

    Abstract: 提供一种能够通过来自单一的电源的电力供给来调整颜色温度的发光装置以及包含该发光装置的照明器具。该发光装置具备:反射器,由在上部具有开口部的壳体构成;阳极用电极端子以及阴极用电极端子,被设置于上述壳体的侧壁或者底面;和相邻的第1发光部以及第2发光部,在上述反射器的内侧,电连接于上述阳极用电极端子以及上述阴极用电极端子且被并联设置,上述第1发光部包含第1电阻部件,能够对包含上述第1发光部以及上述第2发光部的发光部整体发出的光的颜色温度进行调整。

    发光装置以及发光装置的制造方法

    公开(公告)号:CN104282829B

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201410486524.6

    申请日:2010-02-12

    Abstract: 一种发光装置,其具备有:基板;被装载于基板的主正面上的LED芯片;含有第1荧光体的含荧光体层,该含荧光体层被设置于基板的主正面上,且覆盖LED芯片;以及含有第2荧光体的色度调整用荧光体层,该色度调整用荧光体层被设置在比含荧光体层靠向光出射方向的外层上,其中,色度调整用荧光体层以点状形成。由此,提供一种能够通过进行色度的微调整来抑制因荧光体的浓度差而导致的微小色度偏差的、发光装置以及发光装置的制造方法。

    半导体发光装置
    120.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102522485B

    公开(公告)日:2015-04-15

    申请号:CN201110427212.4

    申请日:2009-02-05

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置。在半导体发光装置的封装体(1)的凹部(2)的底面上,设置放置发光元件(3r,3g,3b)的镀了银的金属部件区域(4)、铜板图案的引出电极(6)、和将金属部件区域(4)分隔为多个的凸形树脂部(7)。在金属部件区域(4)上部分形成遮盖树脂(8),还设置密封树脂,以覆盖金属部件区域(4)、遮盖树脂(8)、和凸形的树脂部(7)。根据这种结构,使密封树脂与放置发光元件的金属部件区域(4)的接触面积减少,防止金属部件区域(4)与发光元件的脱落和错位等,从而能提供可靠性高的半导体发光装置。

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