公开(公告)号：CN100449800C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200510097748.9

申请日：2005-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 橘浩一 ,  本乡智惠 ,  布上真也 ,  小野村正明

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/30 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明的半导体衬底包括GaN衬底和在GaN衬底上外延生长的由III-V族氮化物化合物半导体构成的单晶层。所述GaN衬底具有由位于0.12度至0.35度范围内的从{0001}面向 方向的表面倾角绝对值和位于0.00度至0.06度范围内的从{0001}面向 方向的表面倾角绝对值来确定的表面取向。

公开(公告)号：CN101276870A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810082459.5

申请日：2008-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 波多腰玄一 ,  斋藤真司 ,  服部靖 ,  布上真也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件，能够降低串联电阻，可以使光取出效率提高。本发明的半导体发光器件，包括：活性层(14)，放射波长λ的光；第1导电型的第1半导体层(10、12)，具有设置在活性层(14)上、与活性层(14)相接的第1主面，与第1主面对置的第2主面，及与第2主面相接、与平行于第2主面的面之间具有45度以上且小于90度的斜角的侧面；第2导电型的第2半导体层(18)，夹着活性层(14)与第1半导体层(10、12)对置；及第1电极(20)，夹着第2半导体层(18)与活性层(14)对置；活性层(14)与第1电极(20)间的距离d依存于波长λ及第2半导体层(18)的折射率n。

公开(公告)号：CN1741296A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510097748.9

申请日：2005-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 橘浩一 ,  本乡智惠 ,  布上真也 ,  小野村正明

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/30 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明的半导体衬底包括GaN衬底和在GaN衬底上外延生长的由III－V族氮化物化合物半导体构成的单晶层。所述GaN衬底具有由位于0.12度至0.35度范围内的从{0001}面向 方向的表面倾角绝对值和位于0.00度至0.06度范围内的从{0001}面向 方向的表面倾角绝对值来确定的表面取向。