公开(公告)号：CN103107056A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201110354972.7

申请日：2011-11-10

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 彭立波 ,  龙会跃 ,  谢均宇

IPC: H01J37/21 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J49/30 ,  H01J37/05 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057

Abstract: 本发明公开了一种宽带离子束分析器，用于从宽带离子束中分离出所需的离子，包括上磁极、下磁极、上励磁线圈、下励磁线圈、分析光栏和磁轭，其中：所述上磁极和下磁极均具有弧形的入射端边界和出射端边界；所述入射端边界和出射端边界的弧面半径都等于所述所需的离子在磁场中的偏转半径。本发明通过采用具有弧形入射端边界和出射端边界的上磁极和下磁极，且弧面半径都等于所述所需的离子在磁场中的偏转半径，使得宽带离子束中所需的离子能够在磁场中部理想聚焦，得到焦斑尺寸等于0的理想焦点，可以通过选取合适的最小的分析缝宽度而获得最佳的分析分辨率，实现宽带离子束中所需的离子与其他离子完全分离。

公开(公告)号：CN102947479A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201180029156.7

申请日：2011-05-18

Applicant: 默克专利有限公司

Inventor： 菲利普·施特塞尔 ,  霍尔格·海尔 ,  赫伯特·施普赖策 ,  伯恩哈德·舒巴赫 ,  约翰内斯·达森布罗克

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/12 ,  C23C14/32 ,  H01L51/00 ,  H01J37/317

CPC classification number: C23C14/32 ,  C23C14/04 ,  C23C14/12 ,  C23C14/221 ,  H01J37/05 ,  H01J37/3178 ,  H01J49/00 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/0827 ,  H01L51/0008

Abstract: 本发明涉及利用分子（5，6）涂覆载体材料（2）的表面（1）的方法，其中来自分子储存器（3，4）的所述分子（5，6）被转化为气体状态并电离，在所述带电分子（5，6）到达所述表面（1）的途中，使其暴露于至少一个场分量与所述带电分子（5，6）定向运动方向垂直的至少一个电场和/或磁场，以便向所述带电分子（5，6）施加力的导向作用，所述导向作用与所述带电分子（5，6）的定向运动方向垂直。电和/或磁聚焦装置（8），例如四极场，作用于所述带电分子（5，6）在所述分子储存器（3，4）和所述表面（1）之间的定向运动。隔膜装置（12）以这样的方式布置在所述分子储存器（3，4）和所述表面（1）之间，所述方式使得仅具有指定的质荷比的分子（5，6）通过所述隔膜装置（12）到达表面（1）。借助于合适的电场和/或磁场或借助于可随时间变化的隔膜装置（14），防止所述带电分子（5，6）在指定的时间内撞击所述表面（1）。由此促进所述表面的结构化涂覆。

公开(公告)号：CN102789948A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210155278.7

申请日：2012-05-18

Applicant: FEI公司

Inventor： J.B.麦金

IPC: H01J37/141 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/15 ,  H01J49/288 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/31749

Abstract: 本发明涉及用于控制ExB Wien过滤器中磁场分布的方法和结构。一种ExB Wien滤质器提供用于机械调整在滤质器入口和出口端帽的磁场分布的方法和结构。可以通过在入口和出口端帽的外径的缝隙内配置多个磁垫片并且也通过在包围入口和出口孔的圆形通量坝内配置多个磁塞垫片来修改通量返回路径的磁阻。本发明的用于磁场的纯机械调整与现有技术的电磁体调整方法比较的优点包括更大可靠性、简单性、更低成本和无功率耗散。本发明可以将永磁体或者电磁体用于生成质量分离磁场。

公开(公告)号：CN102737932A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210107940.1

申请日：2012-04-13

Applicant: FEI公司

Inventor： D.塔格尔 ,  N.W.帕克 ,  M.W.乌特劳特

IPC: H01J37/10

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/053 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/31749

Abstract: 本发明涉及从射束中去除了中性粒子的像差校正维恩ExB滤质器。一种用于离子束系统的滤质器包括至少两级并且降低色像差。一个实施例包括两个对称滤质器级，所述两个对称滤质器级的结合降低或者消除了色像差以及入口和出口边缘场误差。实施例也可以防止中性粒子抵达样本表面以及避免射束路径中的交叉。在一个实施例中，所述过滤器能够使来自生成多个种类的源的单一离子种类通过。在其他实施例中，所述过滤器能够使具有一定能量范围的单一离子种类通过并将所述多能量离子聚焦到衬底表面上的同一点。

公开(公告)号：CN102262997A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110122317.9

申请日：2011-05-12

Applicant: FEI公司

Inventor： P.C.蒂梅杰 ,  B.H.弗雷塔格 ,  S.拉扎尔

IPC: H01J37/28 ,  H01J37/244 ,  G01N23/04 ,  G01N23/22

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/2802 ,  H01J2237/2804

Abstract: 本发明涉及同时电子检测。本发明提供用以检测穿过样品的电子的多个检测器。所述检测器优选地在电子穿过棱镜之后检测所述电子，其中所述棱镜根据电子的能量分离电子。随后由不同检测器检测处于不同能量范围内的电子，其中优选地至少其中一个检测器测量所述电子在穿过样品时所损失的能量。本发明的一个实施例提供对于核心损失电子的EELS，而且同时提供来自低损失电子的亮视场STEM信号。

公开(公告)号：CN102203914A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980143988.4

申请日：2009-11-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 维克多·M·本夫尼斯特 ,  詹姆士·S·贝福 ,  法兰克·辛克莱 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J49/30 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种带状离子束质量分析器，具有第一螺线管线圈、第二螺线管线圈以及钢质磁轭配置。每个螺线管线圈具有大致的“轨道”组态，界定了一个可供带状离子束从中穿行的空间。这两个螺线管线圈沿着带状离子束的穿行方向而分开。每个螺线管线圈产生均匀的磁场，供较宽的带状离子束进行质量解析，以产生想要的离子图像，其中离子是由离子源产生的。

公开(公告)号：CN101416270B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200780012023.2

申请日：2007-03-27

Applicant: 株式会社IHI

Inventor： 中本一朗 ,  宝来宽 ,  袖子田龙也 ,  吉田昌弘

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/04 ,  H01J37/09 ,  H01J37/244 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/057 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明涉及使质量分离了的离子束对基板照射进行离子注入的质量分离型离子注入装置。在具备接收来自质量分离电磁铁(17)的离子束(1)、分选所希望的离子并使其通过的分离狭缝(20)的离子注入装置(10)中，分离狭缝(20)以使离子束(1)通过的缝隙形状是可变的方式构成。此外，离子注入装置(10)具备可变狭缝(30)，其配置在引出电极系统(15)和质量分离电磁铁(17)之间，形成离子束(1)通过的缝隙，该可变狭缝(30)以遮蔽从离子源(12)引出的离子束(1)的一部分的方式可变地构成缝隙形状。该离子注入装置(10)具备分离狭缝(20)可变狭缝(30)的双方也可，具备任一方也可。

公开(公告)号：CN100589225C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200580009834.8

申请日：2005-11-14

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小方诚司 ,  樱田勇藏 ,  关口雅行 ,  西桥勉

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J37/1474 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/30483

Abstract: 本发明的课题是提供能抑制离子束的发散、能进行精细的扫描波形的控制、可得到约10°的大的扫描角的离子注入装置。在离子注入装置中，作成了具备如下的离子束扫描机构(10A)的结构：在离子束线上的规定部位上配置第1、第2、第3室(12A、14A、16A)，第2室(14A)，相对于第1、第3室(12A、16A)间隔第1、第2间隙(20A、22A)配置，第2室(14A)经在第1、第2间隙(20A、22A)中安装了的第1、第2这2对电极对(26A、28A)与第1、第3室(12A、16A)电绝缘，而且，第1、第2这2对电极对(26A、28A)以规定的角度与离子束的基准轴J在相反的方向上倾斜地相交，并且施加所希望的扫描波形的电位的扫描电源(40A)与第2室(14A)连接。

公开(公告)号：CN203833984U

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201420271741.9

申请日：2014-05-26

Applicant: 苹果公司

Inventor： S·R.·兰开斯特-拉罗克 ,  C·钱 ,  植村贤介 ,  P·哈雷罗

IPC: C21D10/00

CPC classification number: B23K15/00 ,  B23K15/02 ,  B23K20/122 ,  H01J37/05 ,  H01J37/305 ,  H01J2237/05

Abstract: 本公开一般地涉及电子束调节系统、电子束处理装置与系统。一种用于电子束处理金属工件的表面部分的系统包括配置为发射具有第一能量分布的电子束的电子束发射器，以及设置在所述电子束发射器和所述金属工件之间并对由所述电子束发射器发射的电子束起作用以将所述第一能量分布改变为第二能量分布的机构，其中，所述第二能量分布被限制于将所述金属工件的表面部分保持在与预先选择的金属相相对应的温度范围内的电子束能量范围。本公开的一个实施例解决的一个技术问题是如何可靠地从金属工件的表面区域移除金属间化合物。

公开(公告)号：CN203466162U

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201190000794.1

申请日：2011-10-10

Applicant: VG系统有限公司

Inventor： B.巴纳德

IPC: H01J37/08

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/026 ,  H01J37/05 ,  H01J37/3171 ,  H01J49/142 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/0827

Abstract: 在此提供了一种可转换的离子枪，该离子枪包括：用于产生气体团簇的一个气体膨胀喷嘴(4)；用于电离这些气体团簇和气体原子的一个电离室；以及一个可变(优选地一个磁性扇区)质量选择器(50)，该可变质量选择器用于质量选择这些电离气体团簇和电离气体原子以便产生在基本上包括电离气体团簇与基本上包括电离气体原子之间可变的一个离子束。优选地，该枪包括一个电浮式飞行管(52)用于调整在该质量选择器内时的这些离子的能量。