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公开(公告)号：CN108063364B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201810012159.3
申请日：2018-01-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于砷化镉可饱和吸收材料的半导体外腔锁模激光器。依次由可连续、直接工作于中红外波段的半导体激光器、砷化镉薄膜、衍射光栅、透镜和反射镜构成；其中半导体激光器经透镜准直、衍射光栅衍射最终聚焦在砷化镉薄膜与反射镜构成的物理组合结构上，形成锁模脉冲；用于实现锁模脉冲输出的砷化镉薄膜厚度控制在30nm‑1μm，该可饱和吸收体工作波长覆盖2‑6微米的红外区域。本发明可以在中红外波段直接实现超快、高稳定、波长可调谐的锁模脉冲输出。
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公开(公告)号：CN108550518B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201810440768.9
申请日：2018-05-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在衬底上同质外延一层GaN外延层，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在GaN外延层上外延超晶格插入层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在超晶格插入层上外延一层AlxGa(1‑x)N薄膜。本发明采用分子束外延技术在GaN外延层与AlxGa(1‑x)N薄膜层之间生长超晶格插入层，能够缓解/消除AlxGa(1‑x)N薄膜表面裂纹的问题。本发明还通过设计程序，能够方便、快速和精确地控制Ga源和Al源挡板的开闭状态和氮气的流量，可以解决手动控制带来的不便和误差等问题，进而实现高质量的超晶格插入层的外延生长。
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公开(公告)号：CN110634943A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910976128.4
申请日：2019-10-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/20 , H01L21/337 , H01L29/808
Abstract: 本发明公开了一种利用MBE再生长的横向结构GaN基JFET器件及其制备方法。该方法首先利用金属有机物汽相化学沉积装置在硅衬底上外延好半绝缘的3-5μm的GaN层，再外延300nm左右的n-GaN沟道层，然后在外延好的器件结构上刻蚀出陡峭的n沟道台面，接着利用MBE在台面两侧通过掩模选区外延p-GaN，与中间n沟道台面形成横向突变的p-n结，从而构成一种具有横向沟道的结构简单的GaN-JFET。
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公开(公告)号：CN110544656A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910885207.4
申请日：2019-09-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/683 , H01L27/15 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种利用超可拉伸晶态纳米线实现Micro-LED巨量转移的方法，包括以下步骤：利用PECVD或者PVD工艺在衬底上淀积一层绝缘介质层作为牺牲层；利用光刻、电子束直写或者掩膜板技术定义台阶边缘，以及与Micro-LED接触固定的区域，利用干法或湿法刻蚀工艺刻蚀绝缘介质层形成弹簧状垂直台阶侧壁；并沿着台阶刻蚀制作引导通道；在制备好的台阶一端，通过光刻、蒸发或者溅射工艺，局部淀积一层催化金属层；升高温度至催化金属熔点以上，通入还原性气体等离子体进行处理，使催化金属层转变为分离的金属纳米颗粒；本发明方法突破了长期以来限制微发光二极管的大规模制备和巨量转移的问题。
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公开(公告)号：CN108807586B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810399948.7
申请日：2018-04-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器，包括β相的氧化镓衬底、金属(Au)叉指状电极、绝缘介质钝化层和另一同晶体取向的β相氧化镓单晶滤光片，在(100)、(001)或(010)β相的单晶衬底上沉积金属得到叉指状电极阵列，然后覆盖绝缘介质钝化层，所述绝缘介质钝化层漏出金属(Au)叉指状电极；氧化镓单晶滤光片是位于Au叉指状电极器件的上方2‑5mm处放置，氧化镓单晶滤光片的晶体取向与衬底相同，面积稍大于衬底，氧化镓单晶滤光片面内晶体取向垂直于氧化镓衬底。上述器件具有封装结构，可以实现阵列化信号输出。本探测器能实现有效的滤除杂波，增强对短波的抑制作用，实现窄带的日盲紫外探测器；探测器结构简单，成本较低，抑制较高，有利于推广使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110112172A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910428357.2
申请日：2019-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓纳米孔阵列/量子点混合结构的全色微米LED显示芯片。在硅基片的GaN蓝光LED外延层上，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式矩形台面结构，每个矩形台面结构构成一个RGB像素单元。在每个矩形像素单元中，都包含三块红光、绿光和蓝光矩形亚像素区域，相邻亚像素区域之间由隔离槽隔开。每个亚像素区域中设纳米孔阵列结构，并填充红色和绿色量子点，通过量子点颜色转换实现全色显示。还公开了其制备方法。该器件利用纳米孔结构提高量子点的稳定性与寿命，同时利用量子点间的能量共振转移，有效提高其内量子效率与色转换效率，能够实现高分辨、高色域、高对比度的全色显示。
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公开(公告)号：CN109616563A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811513203.5
申请日：2018-12-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种背电极通孔UVC半导体发光二极管，包括基于外延的UVC发光二极管结构，在n型层内设多个垂直通孔，n型金属电极分布在通孔中。并公开了其制备方法。本发明采用采用工艺简单、低损伤、高效出光的三维光散射结构，n型金属电极在二极管内部分布的孔中，每一个金属电极柱都是反射镜，实现最大程度的平面内光散射，大大增强了器件的出光效率。
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公开(公告)号：CN104507207B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201410677234.X
申请日：2014-11-21
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种高性能电流式多切LED控制器，包括输入整流单元、电压采样单元、逻辑控制单元、电流采样单元、恒流控制单元、开关阵列、电容、电阻和LED灯串；逻辑控制单元根据电压采集单元和电流采样单元采集的电压、电流信号发出控制信号给开关阵列控制LED灯串实现三切或四切的串转并的转换，并且发出控制信号调节恒流控制单元的电流值。本发明无纹波、低EMI、高效率、实现单电压输入范围、较高PF值、小型化、集成化和低成本，串联电容分压法极大的扩展了对输入电压变化的自适应并提高了系统效率，而且为LED提供了强大的滤波、供电；创新的电流监测自锁开关，极大的提高了系统的效率并减小了系统尺寸、降低了系统成本。
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公开(公告)号：CN107293625B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201710464683.X
申请日：2017-06-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件，其结构自下至上依次包括：一衬底；一生长在衬底上的GaN缓冲层；一生长在GaN缓冲层上的AlN插入层；一生长在AlN插入层上的AlxGa1‑xN层；并刻蚀形成贯穿AlxGa1‑xN层、AlN插入层，深至GaN缓冲层的纳米柱阵列；所述纳米柱阵列中，AlxGa1‑xN层的直径小于AlN插入层的直径。并公开了该AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件的制备方法。本发明利用纳米柱结构，释放异质外延薄膜中的应力，提高器件发光效率；通过改变阵列结构参数，调控光场分布，提高紫外光的抽取效率。采用优化的三层胶紫外软压印技术，可克服AlGaN外延片表面粗糙带来的缺陷，压印图形边缘平滑无锯齿，可实现大面积制备，且纳米柱阵列形状、直径大小可调，结构可转移。
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公开(公告)号：CN109023516A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811022456.2
申请日：2018-09-03
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B25/183 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了一种制备自支撑氮化镓衬底的自分离方法，其步骤包括：在蓝宝石衬底上生长厚度范围在0.1‑1微米且分布均匀的氧化镓薄膜；在氨气气氛中对薄膜进行全部氮化，形成网格状分布的多孔氮化镓薄膜；在该多孔氮化镓薄膜上进行氮化镓厚膜的卤化物气相外延生长，获得低应力高质量氮化镓厚膜；外延完成后，降温至室温，外延氮化镓厚膜与蓝宝石衬底之间自然分离，得到自支撑氮化镓厚膜。
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