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公开(公告)号：CN101477967A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910029174.X
申请日：2009-01-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/822 , B82B3/00 , H01L45/00 , G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。本发明采用纳米阵列的相变材料作为存储信息的载体，通过在电极与相变材料之间导入合适的介质层，提高了相变有源区的热效率，使得存储器件的操作电流与功耗得到有效降低，并且工艺简单、成本低廉，从而为制造出适合PCRAM的商用化存储器奠定了基础。
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公开(公告)号：CN100462952C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200710019710.9
申请日：2007-02-06
Applicant: 南京大学
IPC: G06F13/38
Abstract: 本发明公开了一种接口可配置的USB控制器，包含USB标准收发单元接口控制模块、端点(ENDPOINT)控制逻辑模块、控制状态机模块、可配置位宽的接口控制模块；USB标准收发单元接口控制模块接收从主机传来的数据包，并进行解析，在控制状态机模块的控制下将数据分发到各端点控制逻辑模块，并且通过接口控制模块与微处理器和FIFO(先进先出单元)进行通讯。本发明符合USB2.0规范要求，支持高达480Mbps的传输速率，它提供了可配置的微处理器接口和先进先出(FIFO)接口，能够以IP核的形式方便地与多种微控制器核相连接集成，并且也易于集成在AMBATM、VCITM、OCPTM等多种片上系统(SOC)体系架构中。
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公开(公告)号：CN101017751A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710020043.6
申请日：2007-02-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01J1/304 , H01J9/02 , H01L21/205 , H01L21/324 , B82B1/00 , B82B3/00 , C30B29/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体硅场电子发射材料，同时还涉及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该材料包括沉积在衬底上的氢化非晶硅半导体薄膜，氢化非晶硅半导体薄膜的厚度在4－50纳米，氢化非晶硅半导体薄膜上镶嵌有均匀分布的硅晶粒，硅晶粒的粒径在1－10nm。制备时，经过在衬底上沉积氢化非晶硅半导体薄膜、准分子超短脉冲激光晶化等步骤。本发明通过晶化使得非晶硅半导体薄膜形成纳米尺度的硅晶粒，在薄膜表面形成纳米突起，从而具有低的场发射阈值电场和高的场增强因子。由于与超大规模集成电路工艺相匹配，又可以使用廉价的玻璃衬底，因此对于半导体硅材料在大面积平板场发射显示器件的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN1966397A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610097955.9
申请日：2006-11-23
Applicant: 南京大学
IPC: B82B3/00 , C23C16/513
Abstract: 气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法，首先在等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)系统中衬底硅表面分别进行氩气(Ar)等离子体和氢气(H2)等离子体的预处理，在衬底硅表面形成硅纳米环的成核中心；然后，在PECVD系统中原位周期性交替使用大氢稀释硅烷气体(SiH4+H2)和纯氢气(H2)对成核中心进行硅的生长和刻蚀，形成硅量子环纳米结构。对硅衬底表面预处理，形成纳米环结构的成核中心，其密度必须控制在1～3×108/cm2，为以后环结构的生长提供条件；周期性交替使用大氢稀释硅烷气和氢气进行硅生长和刻蚀的方法是：在每个周期当中，使用大氢稀释硅烷在成核中心进行生长，然后以纯氢气进行硅的刻蚀。重复上述淀积和刻蚀5－50个周期。
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公开(公告)号：CN1901344A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610088387.6
申请日：2006-07-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种脉宽调制器的电压基准电路，包括软启动电路、带隙基准电路和小电流充电电路，软启动电路给带隙基准电路提供合适的偏置，并使其顺利启动；带隙基准电路的基准信号VREF0输出端与小电流充电电路连接；小电流充电电路用得到的小电流对较大电容充电，使整个基准电路的输出信号VREF缓慢上升。本发明可以在很大程度上减小甚至完全消除DC/DC脉宽调制器系统上电时输出电压的超调量，并且可以使基准电压的电源抑制比(PSRR)性能大大提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1873923A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610085300.X
申请日：2006-06-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种常温下用硅衬底上的单层CdTe纳米晶体作为掩模版，构筑高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括1)、氧化、刻蚀；2)、铺设单层CdTe纳米晶体模版；3)、反应离子刻蚀；4)、去除模版和漂洗；5)、退火、钝化各步骤，完成高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的构筑。采用本发明的方法后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，在获得均匀分布的高密度纳米硅的同时，可对纳米晶粒表面进行有效钝化，以降低缺陷态密度，因而能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使纳米硅量子点走出实验室，切实实现产业化。
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公开(公告)号：CN119727731A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411784973.9
申请日：2024-12-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种面向温度传感器的SARADC电路，该电路包括CDAC阵列、比较器、SAR逻辑模块和温度模式切换电路。前置温度传感器利用三极管的基极‑发射极电压的温度特性，产生电压差值随温度线性变化的双端电压。本发明通过SARADC结构，首先补偿了感温前级电路固有的失调电压，然后将前置温度传感器产生的随温度变化的双端电压的差值转换为8位2进制数字信号，通过量化后的数字信号表示温度信号。本发明通过切换ADC的参考电压模块，从而改变ADC量化的温度范围。本发明中，温度每变化1℃，温度传感器双端输出电压的差值变化0.0039V；SARADC的一个LSB值也为0.0039V，即SARADC的单位输出数字信号变化对应1℃的温度变化，有效提高了量化温度的效率。
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公开(公告)号：CN119577623A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510119819.8
申请日：2025-01-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多级复用算法的超轻量化癫痫监测方法及系统，属于卷积神经网络技术领域，其技术方案要点是，获取当前t时刻的脑电波样本数据、t‑kn时刻的脑电波样本推理结果和t‑k时刻的图卷积结果数据，其中每个时刻的脑电波采样长度均为m×k×n，k为采样步长，n、m和k均为正整数；提取t‑kn时刻的脑电波样本推理结果中与当前t时刻采样区间重叠的数据，得到第一数据，提取t‑k时刻的图卷积结果数据中，与当前t时刻采样区间重叠且与t‑kn时刻采样区间不重叠的数据，得到第二数据；根据第一数据和第二数据，得到t时刻的脑电波推理结果，本发明通过复用当前时刻之前的结果数据，减少了平均推理的计算量。
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公开(公告)号：CN119474007A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411555390.9
申请日：2024-11-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了可重构计算阵列、重构控制器架构、芯片及重构计算方法，包括主控模块、状态机模块、计算译码器模块、访存资源控制器模块、重构控制器模块、可重构计算阵列、输入缓冲区模块和输出缓冲区模块；状态机模块通过状态切换，控制整个重构计算过程；重构控制器模块根据计算译码器模块的译码结果配置可重构计算阵列中PE单元的连接方式，实现多种计算功能以完成不同类型的数据计算任务。本发明通过对可重构计算阵列中多个计算单元进行动态配置，使得硬件架构能够根据不同的算法需求进行实时调整，对可重构计算阵列进行精准配置以完成不同的计算任务，而无需为每种任务设计专用的硬件，从而提高芯片配置的灵活性并提高资源利用率。
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公开(公告)号：CN113705803B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111011695.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及基于卷积神经网络的图像硬件识别系统及部署方法，基于SoC平台实现MobileNetV1 SSD网络进行图像识别，平台内置ARM处理器和FPGA。ARM端完成全局调度任务，主要完成数据预处理，数据重排，网络推理，FPGA配置，以及后处理，包括非极大值抑制算法实现。ARM端整体策略采用按通道取数的方式以及MEC策略来降低数据重复率。FPGA端设计数据分发模块配合特殊尺寸的SRAM进行数据缓存，1*1和3*3两种卷积控制器，其中3*3卷积可配置成dw卷积和normal卷积两种模式，PE乘法阵列、加法树阵列，以及通道累加模块，大大提高资源的利用率。ARM端和FPGA端的交互通过调用驱动函数ioctl来实现，映射到硬件的Avalon接口实现数据与配置信息传输。本发明在板子资源受限的情况下有较好的优化。
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