公开(公告)号：CN106340542A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610836732.3

申请日：2011-01-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/385 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/123 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 在包括氧化物半导体层的晶体管中，形成氧化物绝缘层，以与氧化物半导体层接触。然后，通过氧化物绝缘层将氧引(加)入氧化物半导体层，并进行热处理。通过氧引入和热处理的这些步骤，从氧化物半导体层有意地去除杂质，如氢、水分、羟基或氢化物，以便使氧化物半导体层高度纯化。

公开(公告)号：CN102779854B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210138067.2

申请日：2012-05-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  山出直人 ,  吉冈杏子 ,  佐藤裕平 ,  寺岛真理

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性并且可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其包括：具有包含超过化学计量组成比的氧的区域的非晶氧化物半导体层，以及设置在该非晶氧化物半导体层上的氧化铝膜。该非晶氧化物半导体层通过如下步骤形成：对进行了脱水或脱氢处理的结晶或非晶氧化物半导体层进行氧注入处理，然后在设置有氧化铝膜的状态下进行450℃以下的热处理。

公开(公告)号：CN105849913A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480071297.9

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  羽持贵士 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。

公开(公告)号：CN101901838B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201010197655.4

申请日：2010-05-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅野裕治 ,  肥塚纯一

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/34 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/465 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体装置及该半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种使用氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中，降低氧化物半导体层与源电极层或漏电极层之间的接触电阻，以使其电特性稳定。还提供该薄膜晶体管的制造方法。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上形成其导电率高于该氧化物半导体层的缓冲层，在该缓冲层上形成源电极层及漏电极层，以使氧化物半导体层与源电极层或漏电极层隔着缓冲层电连接。此外，缓冲层受到反溅射处理及氮气氛中的热处理，形成其导电率高于氧化物半导体层的缓冲层。

公开(公告)号：CN104064473A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410329040.0

申请日：2009-12-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  坂田淳一郎 ,  丸山哲纪 ,  井本裕己 ,  浅野裕治 ,  肥塚纯一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L28/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及制造半导体装置的方法，其中提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。

公开(公告)号：CN103855224A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310631139.1

申请日：2013-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 德永肇 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/22 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供一种可靠性高且具有稳定的电特性的半导体装置。通过以接触于形成有沟道的氧化物半导体膜的上层及下层的方式形成含有一种以上与构成该氧化物半导体膜的金属元素相同的金属元素的氧化物膜，可以使该氧化物半导体膜的上侧界面与下侧界面不容易生成界面能级。另外，通过作为与氧化物半导体膜接触的氧化物膜使用电子亲和能比氧化物半导体膜的电子亲和能小的材料，流过沟道的电子几乎不会迁移至与氧化物半导体膜接触的氧化物膜中，而主要迁移至氧化物半导体膜中。因此，即使形成于氧化物膜的外侧的绝缘膜与氧化物膜的界面存在能级，该能级也几乎不会对电子的移动造成影响。

公开(公告)号：CN102763203A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180011339.6

申请日：2011-01-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/385 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/123 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 在包括氧化物半导体层的晶体管中，形成氧化物绝缘层，以与氧化物半导体层接触。然后，通过氧化物绝缘层将氧引(加)入氧化物半导体层，并进行热处理。通过氧引入和热处理的这些步骤，从氧化物半导体层有意地去除杂质，如氢、水分、羟基或氢化物，以便使氧化物半导体层高度纯化。

公开(公告)号：CN1716539B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200510078541.7

申请日：2005-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  篠田裕人 ,  中村理 ,  磯部敦生 ,  山口哲司 ,  鄉戶宏充

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/67213 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明提供一种具有使用大量生产上可多件提取的大面积衬底并且均匀掺入杂质元素的装置的半导体器件制造装置。本发明的一个特征为：将离子流的截面取为线状或正方形，而且使大面积衬底保持对离子流倾斜规定的倾斜角θ不变，同时使该衬底往垂直于离子流的纵向的方向移动。本发明中，通过改变倾斜角调整离子束的入射角。使大面积衬底对水平面为倾斜状态，从而能使离子流纵向宽度小于衬底1条边的长度。

公开(公告)号：CN101859799A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010159694.5

申请日：2010-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅野裕治 ,  肥塚纯一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供半导体装置及该半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种使用氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中，降低氧化物半导体层与源电极层或漏电极层之间的接触电阻，以使其电特性稳定。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上形成具有高电阻区及低电阻区的缓冲层，以使氧化物半导体层与源电极层或漏电极层接触而中间夹着缓冲层的低电阻区。

公开(公告)号：CN101202300A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200810003150.2

申请日：2002-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浜田崇 ,  村上智史 ,  山崎舜平 ,  中村理 ,  梶尾诚之 ,  肥塚纯一 ,  高山彻

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明特征在于，在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上，形成含稀有气体元素的半导体膜，并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且，在第一n－沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n－沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p－沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。