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公开(公告)号：CN106129206A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610609550.2
申请日：2016-07-29
申请人： 天津三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/00 , H01L33/10 , H01L33/36 , H01L33/0066
摘要： 本发明提供了一种具有全镜面结构的发光二极管及其制作方法，利用外延预先成长的DBR层，在芯片工艺中再将欧姆接触层对应的DBR层保留，使欧姆接触电极区域既可形成欧姆接触亦具有反射层的效果，并搭配ODR镜面系统，构成全镜面结构，达到无反射镜面面积损失，具体结构包括发光外延叠层及位于其下方的镜面系统，所述镜面系统包括金属反射层和位于其上的透光层，所述透光层包括透光区和欧姆接触区，所述透光区由透光性介电材料构成，与金属反射层构成ODR反射镜，所述欧姆接触区从下到上依次包含欧姆接触层和DBR层，所述DBR层至少由第一半导体层和第二半导体层交替构成，从而构成一个不间断反射镜面系统。
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公开(公告)号：CN106058002A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610417700.X
申请日：2016-06-15
申请人： 青岛杰生电气有限公司
摘要： 本发明公开了一种紫外发光器，包括N型电极和P型电极，所述N型电极和/或P型电极连接有反光件；当所述N型电极连接有反光件时，所述N型电极的反光件设置于所述紫外发光器的N型半导体层内；当所述P型电极连接有反光件时，所述P型电极的反光件设置于所述紫外发光器的P型半导体层内；当所述N型电极和P型电极均连接有反光件时，所述N型电极的反光件设置于所述紫外发光器的N型半导体层内，所述P型电极的反光件设置于所述紫外发光器的P型半导体层内。反光件对紫外线具有反射作用，可以提高紫外发光器的出光效果。
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公开(公告)号：CN105826437A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610350423.5
申请日：2016-05-25
申请人： 扬州乾照光电有限公司
CPC分类号： H01L33/005 , H01L33/36 , H01L33/40
摘要： 一种低成本发光二极管及其制作方法，涉及发光二极管的生产技术领域。在生长处延层的P型欧姆接触层时，以InxGa(1?x)As或GaP为材料，掺杂Mg或C；采用电子束或磁控溅射的方式，将金属镍镀在P型欧姆接触外延层的表面，再在300～550℃的条件下进行退火，然后再在金属镍层表面采用Ti、Al、Cr或Ni中的任意一种再依次制作1～2层金属层。本发明不仅达到了上电极与P型欧姆接触层的良好欧姆接触，而且无须采用金属Au，利于大大降低材料成本，利于推广使用。
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公开(公告)号：CN105742446A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610282677.8
申请日：2016-04-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 张博
CPC分类号： H01L33/36 , H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/62 , H01L33/005
摘要： 本发明公开了一种发光元件及其制备方法，该发光元件包括：阳极电极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极电极，全部发光单元被划分为若干个发光组，每一发光组中至少包括两个发光单元，位于同一发光组中的全部发光单元共用同一电子传输层和阴极电极。本发明的技术方案通过将同一发光组中的全部发光单元共用同一电子传输层和阴极电极，从而有效减少阴极电极的数量，此时部分发光单元在其自身所对应区域内无需设置阴极电极，而这些发光单元的最小尺寸可近似等于阳极电极的尺寸。与现有技术相比，本发明的技术方案可有效减小发光元件中部分发光单元的尺寸，从而使得发光元件中可设置的发光单元的数量增加，进而有利于提高发光元件的分辨率。
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公开(公告)号：CN105679802A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610094108.0
申请日：2011-08-10
申请人： 索尼公司
发明人： 佐川裕志
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L27/156 , H01L27/3211 , H01L27/3216 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/3276 , H01L31/02327 , H01L33/08 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/60 , H01L51/5012 , H01L51/5036 , H01L51/5206 , H01L51/5228 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及显示装置和有机EL发光装置，该显示装置包括：衬底；多个发光元件，其沿彼此交叉的第一方向和第二方向排列在衬底上，每一发光元件包括第一电极和包括发光膜的有机膜；第二电极层，其被配置在每一发光元件的有机膜上；分离部，其被配置在沿第一方向彼此邻接的发光元件之间的衬底上，并具有两对或者多对阶梯，以及驱动电路，其被配置在衬底和发光元件之间并被构造为驱动发光元件，其中发光元件中的第一电极彼此分离，并且第二电极层在分离部上具有不连续部，并且不连续部不与发光元件的发光区域重叠。本发明可以在确保较高的数值孔径的同时，可靠地避免泄露电流的发生，展示出良好的显示的性能。
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公开(公告)号：CN103779472B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310507863.3
申请日：2013-10-24
申请人： 丰田合成株式会社
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/44
摘要： 本发明的课题在于使来自面朝上装配中使用的半导体发光元件的光的输出增加。半导体发光元件（1）具备：n型半导体层（120）、发光层（130）和p型半导体层（140）、与p型半导体层（140）连接的p侧电极部（150）、与n型半导体层（120）连接的n侧电极部（160）。n侧电极部（160）具有n侧供电电极（162）、n侧辅助电极（163）和n侧连接电极（164），n侧供电电极（162）和n侧辅助电极（163）从发光层（130）看设置在p型半导体层（140）的内侧。在p型半导体层（140）之上，设置有对于从发光层（130）输出的波长的光透明的供电绝缘层（170），例如成为n侧供电电极（162）和n侧辅助电极（163）的下方的部位，被设定为容易反射来自发光层（130）的光的厚度，其他的部位被设定为容易透射来自发光层（130）的光的厚度。
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公开(公告)号：CN105576099A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610120569.0
申请日：2016-03-04
申请人： 太原理工大学
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/005
摘要： 本发明属于光电子器件领域，具体为一种基于3D打印制备LED器件电极的方法。本发明将MOCVD或MBE生长的至少具有缓冲层、N型层、多周期的量子阱有源层及P型层的外延片作为基底材料，采用3D打印在P型层台面上打印ITO导电层、然后刻蚀出N型层的台面、再打印N型电极及P型电极层。基于3D打印形成LED器件电极结构，不仅能够减少电极制备过程中的光刻及刻蚀工艺步骤，缩短生产周期，降低光刻及刻蚀过程可能对外延片造成的污染和损伤几率，还能够降低电极形成过程中高温退火过程对量子阱有源区界面结构的破坏，从而提高LED器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN103354253B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310258023.8
申请日：2010-08-02
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/0008 , H01L33/0016 , H01L33/0095 , H01L33/36 , H01L33/387 , H01L33/56 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , Y10S438/94
摘要： 根据一个实施方式，一种半导体发光装置制造方法包括在基板主表面上形成分离沟槽。包括发光层的半导体层被形成在基板上。分离沟槽将半导体层分离为多个元件。该方法包括在基板主表面上形成绝缘膜。绝缘膜覆盖半导体层和位于基板上的分离沟槽底表面。该方法包括通过从与主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分开。激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。
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公开(公告)号：CN102751405B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210251517.9
申请日：2008-11-25
申请人： LG伊诺特有限公司
发明人： 朴炯兆
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/387
摘要： 公开了一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层之下的有源层以及在所述有源层之下的第二导电半导体层；在所述发光结构之下的反射层，所述反射层包括具有第一折射率的第一介质和具有不同于所述第一折射率的第二折射率的第二介质；在所述第一导电半导体层上形成的第一电极层；和在所述反射层之下的第二电极层。
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公开(公告)号：CN105449066A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510891044.2
申请日：2015-12-07
申请人： 南京理工大学
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/36 , H01L2933/0016
摘要： 本发明公开了一种超晶格梯度组分渐变缓冲层透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法，该光电阴极由自下而上由衬底层、超晶格梯度组分渐变p型AlxGa1-xN缓冲层、p型AlyGa1-yN发射层以及Cs或者Cs/O激活层组成，所述超晶格梯度组分渐变p型AlxGa1-xN缓冲层是由8-15个组分渐变层循环堆叠和一个过渡层组成，过渡层与发射层接触，最下面的组分渐变层与衬底层接触。本发明提高了晶体的生长质量，较大程度减少缓冲层内部的晶格缺陷，提高发射层光子的吸收率，最终提高光电阴极的光电发射量子效率。
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