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公开(公告)号：CN103022211B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210580088.X
申请日：2012-12-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池，其结构由下至上依次为：衬底、GaN层、全应变弛豫高In组分InyGa1-yN层、InGaN超晶格层、高In组分n-InyGa1-yN层、高In组分i-InxGa1-xN层、高In组分p-InyGa1-yN层、p-GaN覆盖层；在高In组分n-InyGa1-yN层上引出负电极，在p-GaN覆盖层上引出正电极。本发明的p-i-n结InGaN太阳电池结构是直接生长在全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层上的，全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层不会对p-i-n结InGaN太阳电池层产生失配应力，可以有效提高p-i-n结InGaN太阳电池材料的质量和电池转换效率；另外较高In组分的n-InGaN层与p-InGaN层将较低In组分的i-InGaN层夹在中间，品格的失配在i-InGaN层中引入了拉应变，可进一步提高p-i-n结InGaN太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN102465337B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201010549754.4
申请日：2010-11-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种多片多源卧式氢化物气相外延生长系统，反应腔体为卧式结构，生长区中设有石墨支托，不同的反应源分别设有独立的输入管道，石墨支托上放置外延生长衬底。本发明提出一种多片多源式卧式氢化物气相外延(HVPE)生长系统，以实现GaN基材料生长的大规模应用，可一次性生长多片大面积GaN基材料。
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公开(公告)号：CN103137805A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310077631.9
申请日：2013-03-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于光电微型传感器的宽谱紫外发光二极管及其制作方法，采用不同铝组分的多量子阱结构作为有源区。本发明在结构中设计了AlGaN/AlN超晶格缓冲层，实现由蓝宝石衬底到n型AlGaN势垒层的应力释放，为材料的质量提供保障。因为在较低铝组分的AlGaN中才能形成良好的p型欧姆接触，所以有源层的结构也是采取先生长高铝组分的AlGaN层，再依次生长低铝组分的AlGaN层。p型Ni/Au欧姆电极大面积覆盖p型GaN欧姆接触层来实现电流的均匀传输。本发明提供的紫外发光二极管结构，其有源层的多个量子阱由不同铝组分的AlGaN材料构成，从而可以提高其光谱宽度，实现连续波段的紫外光源。
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公开(公告)号：CN102420277B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110360361.3
申请日：2011-11-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法，步骤如下：1)在GaN模板或其它半导体薄膜表面沉积一层SiO2或SiNx介质薄膜材料，厚度为10～50nm，将PS和PMMA混合共聚物涂刷至介质薄膜表面，清洗PMMA后获得PS纳米柱图形，采用等离子体刻蚀将PS纳米柱图形转移至介质薄膜层上；将纳米柱图形制备如下参数：面密度达到0.8～1.0×1011cm-2；2)采用反应离子刻蚀将纳米柱点阵图形转移至SiNx或SiO2介质薄膜层，去掉聚苯乙烯获得可供MOCVD二次生长GaN纳米点结构的模板；3)GaN基量子点结构生长，GaN量子点结构发射强烈的蓝紫光，用于制作高效率发光二极管(LED)和激光器(LD)光电子器件中有源层结构。
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公开(公告)号：CN101519772B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200910030912.2
申请日：2009-04-20
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455
Abstract: CVD材料生长设备的反应源进气分配的方法，让分解温度相差较大的反应气源经各自的输运通道单独地进入反应腔体，并对分解温度较高的源气体进行加热预分解后再让其与分解温度较低的反应源气体充分混合后，在合适的温度下进行反应以外延生长薄膜材料。对于分解温度较高的反应源气体，在输运至石墨反应腔进气端前需对其进行加热而使其预分解，这个过程是通过在导引气体的细石英管周围配置石墨管感应件、经射频加热的方法来实现的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103094434A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210492605.8
申请日：2012-11-27
Applicant: 南京大学
Abstract: ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法，包括以下步骤：取一衬底，衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓；在衬底依次外延生长GaN缓冲层，n型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和P型GaN,形成初步的GaN基片；量子阱层整个厚度约50nm-200nm，周期数为2-10；在GaN基片上采用PVD进行蒸镀金属层；对蒸镀生长金属层的基片进行高温退火；利用ICP刻蚀工艺，刻蚀GaN基片直至n型GaN层或部分n型GaN层；形成InGaN/GaN纳米柱。
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公开(公告)号：CN103065956A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210579182.3
申请日：2012-12-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/30
Abstract: 一种实现硅表面结构平滑的方法，步骤如下：通过红外光加热的方式控制硅或锗材料温度以及加热和冷却的时间；基于高真空或超高真空的石英腔体中引入氢气气氛加热，在加热过程中加入氩气，氦气或氪气等抑制表面的过迁移现象，在温度开始下降即600℃-1000℃时通过氮气终结硅表面的迁移，或者继续加入氩气或二氧化碳等抑制硅原子的迁移，然后在后期降温即从800℃到室温的过程中引入高纯氧气；通入氧气形成一层致密的氧化硅薄膜作为保护层材料的表面结构。本发明平滑方法同样可以改善光栅等各类表面结构。该平滑方法要求的周期短，工艺要求价格低廉，可以实现量产，并有效实现硅原子表面的平滑。
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公开(公告)号：CN103022211A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210580088.X
申请日：2012-12-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池，其结构由下至上依次为：衬底、GaN层、全应变弛豫高In组分InyGa1-yN层、InGaN超晶格层、高In组分n-InyGa1-yN层、高In组分i-InxGa1-xN层、高In组分p-InyGa1-yN层、p-GaN覆盖层；在高In组分n-InyGa1-yN层上引出负电极，在p-GaN覆盖层上引出正电极。本发明的p-i-n结InGaN太阳电池结构是直接生长在全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层上的，全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层不会对p-i-n结InGaN太阳电池层产生失配应力，可以有效提高p-i-n结InGaN太阳电池材料的质量和电池转换效率；另外较高In组分的n-InGaN层与p-InGaN层将较低In组分的i-InGaN层夹在中间，品格的失配在i-InGaN层中引入了拉应变，可进一步提高p-i-n结InGaN太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN102903886A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210287527.8
申请日：2012-08-13
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01M4/0471 , H01M4/04 , H01M10/0431 , H01M10/0436 , H01M10/0587 , H01M10/42
Abstract: 利用干法腐蚀去除电池极片毛刺的方法，利用电感线圈将反应气体离子化，使得离子化后的反应粒子在DC偏压下轰击电池极片毛刺表面，使电池极片工件边缘的毛刺在物理轰击效果下被消除，从而达到消除因工件加工带来的边缘毛刺。所使用的设备是电感耦合等离子体刻蚀仪（简称ICP）。本发明能完全去除电池极片上的毛刺，从而可以有效避免电池极片在卷绕过程中刺破隔膜而引起电池短路的现象发生。
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公开(公告)号：CN101908511B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010237851.X
申请日：2010-07-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L23/14 , H01L23/373 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/16 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器及其制备方法，整流器包括金属衬底、金属键合层和氮化镓肖特基整流器晶片，金属衬底作为支撑衬底，氮化镓肖特基整流器晶片包括氮化镓外延层、氮化镓肖特基电极和欧姆电极，氮化镓外延层通过金属键合层与金属衬底键合，氮化镓肖特基电极与欧姆电极相对金属衬底在外延层的另一侧呈横向分布，制备时把欧姆电极与肖特基接触电极先后制备在外延片的正面，之后再在另一面通过激光将蓝宝石衬底剥离，再与金属衬底键合。本发明可解决GaN肖特基整流器的金属化方案与蓝宝石衬底剥离的工艺兼容性问题，以高导热性金属衬底作为支撑载体及热沉，解决了器件的散热问题，可有效提高器件的性能和可靠性。
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