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公开(公告)号：CN110445997B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201910373126.6
申请日：2019-05-06
Applicant: 真实仪器公司
Inventor： L·A·布洛克
Abstract: 本公开提供光学仪器、将光学输入转换为数字信号输出的方法，以及光谱仪。在一个实施例中，所述光学仪器包含：(1)光学传感器，其经配置以接收光学输入且将所述光学输入转换为电信号；以及(2)转换系统，其具有：转换电路，其具有经配置以接收所述电信号且将所述电信号修改为模拟输出的多个并行信号通道；模拟开关，其经配置以根据所述光学仪器的操作模式而选择所述并行信号通道中的一者；以及模/数转换器，其经配置以从所述所选并行信号通道接收所述模拟输出且将所述模拟输出转换为数字信号输出。
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公开(公告)号：CN110662339A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910160394.X
申请日：2019-03-04
Applicant: 真实仪器公司
Inventor： 马克·A·梅洛尼
Abstract: 本发明提供一种等离子体源和一种用于激发等离子体的激发系统，和一种光学监测系统。在一个实施例中，所述等离子体源包含：(1)同轴谐振腔主体，其具有内长度且包含第一端、第二端、内电极和外电极，(2)射频信号接口，其沿着所述内长度在固定位置电耦合到所述内电极和所述外电极并且经配置以提供射频信号到所述同轴谐振腔主体，(3)窗口，其经定位在所述同轴谐振腔主体的所述第一端处，和(4)安装凸缘，其经定位靠近所述同轴谐振腔主体的所述第一端处的所述窗口且界定等离子体腔，其中所述窗口形成所述等离子体腔的一个侧且将所述同轴谐振腔主体与所述等离子体腔中的等离子体隔离。
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公开(公告)号：CN102203898B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN200980136544.8
申请日：2009-07-16
Applicant: 真实仪器公司 , 德克萨斯大学达拉斯分校
Inventor： 吉米·W·霍斯克 , 马苏·J·郭克勒 , 麦克·威伦 , 安德鲁·威克斯·库尼 , 肯尼斯·C·赫文 , P.L.·司德文·瑟班
Abstract: 本发明涉及气体线路电子流激励器。所述电子束激励器通常包括用于在电子源腔中生成电子云的可变密度电子源，和用于将来自电子源腔的电子作为电子束加速成用于发射荧光的气体样本的可变能量电子激励器。电子束的电子能量是可通过调节越过可变能量电子抽取器可变控制的。所述变能量电子抽取器通过腔上的孔朝着该抽取器给电子供能。施加到电子源上的激励功率可独立于电子束的电子能量调节从而改变电子的电子密度而不改变电子束的电子的能级。
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公开(公告)号：CN102630337A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201080045397.6
申请日：2010-08-12
Applicant: 真实仪器公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32944 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L21/3065 , H01L22/14
Abstract: 一种监测等离子体处理的至少一个工艺参数的方法，该方法在半导体晶圆、表面或基底上进行，且确定等离子体工具室内发生的电弧事件。该方法包括以下步骤：检测等离子体处理期间从等离子体鞘层产生的调制光、从RF传输线采样RF电压信号和RF电流信号、处理检测到的调制光信号和RF信号以产生等离子体处理的至少一个监测统计值、以及处理监测信号以确定晶圆处理期间发生的电弧作用事件。
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公开(公告)号：CN101689222A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880015308.6
申请日：2008-05-06
Applicant: 真实仪器公司
Inventor： 麦克·威伦 , 安德鲁·威克斯·昆尼 , 凯尼斯·C·哈飞 , 约翰·道格拉斯·柯莱斯
IPC: G06F19/00
CPC classification number: G01J3/443 , G01J3/28 , G01J2003/2866
Abstract: 本发明涉及一种在故障检验和过程监测中使用的光谱设备辐射校准系统和方法。首先，将参考摄谱仪校准到本地基本标准(具有已知光谱强度和可追溯到参考标准的经校准的光源)。然后根据参考摄谱仪而非本地基本校准标准来校准其它摄谱仪。这通过用参考摄谱仪和待校准的摄谱仪两者观察光源来完成。来自待校准的摄谱仪的输出与参考摄谱仪的输出相比较，然后进行调整以与该输出一致。当前的校准过程能分两个阶段完成，第一阶段将摄谱仪校准到参考摄谱仪，然后在等离子腔室微调到窄带光源。作为替代，参考摄谱仪能校准到本地基本标准而光学耦合到等离子腔室。在此，本地基本标准校准光源临时定位在等离子腔室内、或者在沿着腔室内部布置的光腔室中，用于校准参考摄谱仪。当耦合到具有本地基本标准校准光源的等离子腔室时，其它摄谱仪能校准到参考摄谱仪，从而将整个光学路径中的每个组件校准到参考光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101438126A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200680044391.0
申请日：2006-09-27
Applicant: 真实仪器公司
Inventor： 阿兰·阿南斯·艾
IPC: G01B9/02
CPC classification number: G01B11/0675
Abstract: 本发明贯注于一种用于根据外差光学信号获取高精确的相位偏移信息的自参考外差反射计系统和方法，不用一个参考晶片来校正。该自参考外差反射计在外差反射(HR)模式和自参考(SR)模式之间快速转换，其中在HR模式使用了包括以ω和ω+Δω的分离角频率极化的s和p极化光束分量的HR光束，在SR模式使用了包括以ω和ω+Δω的分离角频率极化的p极化光束分量的SR光束。当两个测量快速连续的进行时，假设检测器中的温度感应噪声对两个测量是相同的。从HR光束中产生一个测量相位偏移δRef/film，从SR光束中产生一个参考相位偏移δRef/Sub。从HR光束的差拍信号产生的测量相位偏移δRef/film用于薄膜厚度测量。SR光束是p极化的，不会从薄膜表面产生显著的反射，并且不会携带任何属于薄膜的相位信息。从SR光束的差拍信号产生的参考相位偏移δRef/Sub等同于使用参考样本得到的信息。然后从测量相位偏移δRef/film和与温度造成的相位偏移无关的参考相位偏移δRef/Sub得到薄膜相位偏移信息。从薄膜相位偏移信息计算得到薄膜厚度。
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公开(公告)号：CN117411461A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310875068.3
申请日：2023-07-17
Applicant: 真实仪器公司
Inventor： C·皮兰特
Abstract: 本申请涉及用于半导体处理系统的改进的控制。本公开提供具有时延、可重复性、稳定性、信号可检测性和其他益处的改进的光学数据的处理。改进的处理可用于更准确且一致地监测和控制半导体工艺。在一个实例中，处理光谱数据的方法包含：(1)收集一或多个波长上的光学发射光谱数据的时间有序序列，(2)从光学发射光谱数据的所述时间有序序列提取一或多个属性，(3)分析所述一或多个属性的特性，(4)确定所述一或多个属性的调节，(5)根据预定滤波器集合、所述调节和所述特性来处理所述一或多个属性，及(6)基于所述一或多个属性的所述处理而选择用于处理所述光谱数据的滤波器配置。
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公开(公告)号：CN115552537A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202280004137.7
申请日：2022-04-13
Applicant: 真实仪器公司
IPC: G16C20/00
Abstract: 本公开通过识别表示光学数据的电数据中的异常信号来提供对所述光学数据的改进处理。所述改进处理还可包含修改所述经识别异常信号数据以提供对所述光学数据的更真实表示。所述经公开处理可被各种系统及设备用于处理对应于所述光学数据的光谱数据。所述改进处理可用来改进对半导体工艺的监测且因此改进总体半导体工艺。在一个实例中，一种处理光谱数据的方法包含：(1)接收时间上分离的光谱数据样本；以及(2)基于所述时间上分离的光谱数据样本中的至少一个前导者及至少一个后续者来识别所述光谱数据样本中的中间者中的一或多个异常信号。
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公开(公告)号：CN108109938B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201711127994.3
申请日：2017-11-14
Applicant: 真实仪器公司
Abstract: 本申请案涉及一种光学校准装置及表征系统。本发明提供一种用于对与处理室相关联的光学信号进行室内校准的光学校准装置、一种用于等离子体处理室的表征系统、表征等离子体处理室的方法及一种室表征器。在一个实例中，所述光学校准装置包含：(1)外壳，(2)光学源，其位于所述外壳内且经配置以提供具有连续光谱的源光，及(3)光学塑形元件，其位于所述外壳内且经配置以在所述处理室内的操作期间将所述源光成形为近似于等离子体发射的校准光。
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