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公开(公告)号：CN113666328B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111014713.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种传感器结构及其制备方法、电子设备，该传感器结构包括：硅基底；设置在硅基底一侧的膜层结构，其中，硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔；封装基板，封装基板设置在硅基底远离膜层结构的一侧；连接层，设置在硅基底与封装基板之间，连接层中形成有第一空隙，第一空隙用于连通空腔与传感器结构之外的环境。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率以及降低成本。
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公开(公告)号：CN113582127B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202010364449.1
申请日：2020-04-30
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 本发明提供一种压力传感器封装结构，其包括：封装体，具有第一表面及第二表面；至少一压力传感器芯片，设置在所述封装体内，所述压力传感器芯片的一表面具有压力敏感区及芯片电极，所述压力敏感区及所述芯片电极暴露于所述封装体的第一表面；外接电极，设置在所述封装体的第二表面；电连接结构，包括重布线层及导电连接件，所述重布线层设置在所述封装体的第一表面，并与所述芯片电极电连接，以将所述芯片电极进行电学重新分布，所述导电连接件贯穿所述封装体，并将所述外部电极与所述重布线层电连接。本发明优点是，所述芯片电极经重布线层进行电学重新分布后通过导电连接件与外部电极连接，提高压力传感器封装结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN113582126B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202010363540.1
申请日：2020-04-30
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 本发明提供一种压力传感器封装结构及电子设备，所述压力传感器封装结构包括基板；柔性外壳，与所述基板围成密封腔体；压力传感器，设置在所述腔体内，所述压力传感器具有第一端及第二端，所述第一端朝向所述基板设置，且设置有外接电极，所述外接电极与所述基板电连接，所述第二端朝向所述柔性外壳的内侧上表面，所述第二端设置有压力敏感部及电连接部，在受到外界压力时，所述柔性外壳将力传递至所述压力敏感部，所述电连接部通过导电结构与所述外接电极电连接。本发明的优点在于，大大提高了压力传感器封装结构的可靠性，且扩大了压力传感器封装结构的使用范围。
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公开(公告)号：CN117915251A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410312080.8
申请日：2024-03-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明公开了一种声电转换结构及其制作方法、麦克风，制作方法包括：提供衬底；在衬底的一侧制作背极板，背极板包括固定电极层和位于固定电极层两侧的第一绝缘层和第二绝缘层，其中，第二绝缘层位于第一绝缘层靠近衬底一侧，固定电极层和第二绝缘层开设有声孔，第一绝缘层在具有声孔的固定电极层上制作成型；对第一绝缘层进行刻蚀，以形成至少一个凸起结构和与所述声孔至少部分交叠的贯穿孔，所述凸起结构容置于所述贯穿孔；在第一绝缘层远离固定电极层的一侧分别制作第三绝缘层和振动电极层；在衬底背离背极板的一侧，对衬底进行刻蚀形成背腔；通过声孔处将部分的第三绝缘层刻蚀掉，得到声电转换结构。本发明的技术方案能够提升MEMS传感器的性能。
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公开(公告)号：CN117641718B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410111679.5
申请日：2024-01-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Inventor： 耿德辉
Abstract: 本发明的实施例公开了一种线路板，上述线路板包括：芯层结构，其包括第一绝缘介质层以及设置于第一绝缘介质层两侧的第一导电线路层和第二导电线路层；介电层，其设置于芯层结构的具有第二导电线路层的一侧，并且介电层的两侧包覆有第二绝缘介质层，介电层上设置有多个电阻区和填充在电阻区之间的绝缘区；第三导电线路层，设置于介电层背离芯层结构的一侧；第二导电线路层通过介电层中的任意一个电阻区与第三导电线路层电连接。根据本发明，通过设置垂直于导电线路层的电阻区，解除了平面电阻设计上的限制，增强了电阻和线路板整体的受力可靠性和安全性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110808277B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201910919293.6
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L23/544 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供了一种ASIC晶圆结构及其制备方法，通过设置对位孔，解决了与掩膜板对位的问题。晶圆结构包括：硅衬底；多个电路模块，多个电路模块间隔排布于硅衬底的正面；其中，硅衬底上未被多个电路模块覆盖的区域设置有至少一个对位孔，至少一个对位孔从正面沿硅衬底的厚度方向延伸。
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公开(公告)号：CN117380295B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311703498.3
申请日：2023-12-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Inventor： 孙秉坤
Abstract: 本发明提供了一种微流道芯片的制造方法，方法包括：提供包括多个微流道芯片的半导体晶片，每个微流道芯片包括层叠设置的保护层和结构层，结构层具有微流道结构；在相邻两个微流道芯片之间的切割道位置，对半导体晶片的保护层进行包括激光诱导深度刻蚀技术、或激光直写技术的第一划片工艺，以去除部分厚度的保护层形成第一子凹槽；在第一子凹槽处进行包括干法刻蚀技术的第二划片工艺，去除剩余厚度的保护层形成第二子凹槽，以及结合深硅刻蚀工艺刻穿结构层，以得到分离的微流道芯片。本发明最大程度减少了碎渣颗粒的产生，且保证切割道上下近似平直、宽度也基本一致，增强了微流道的结构强度，提高了微流道芯片使用寿命。
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公开(公告)号：CN117376759B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311665910.7
申请日：2023-12-07
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Inventor： 孟燕子
IPC: H04R1/08
Abstract: 本发明公开了一种麦克风组件及麦克风，包括：基底，基底具有贯通的背腔；电极层，电极层包括相互隔离的第一电极区和第二电极区，第一电极区上设有朝向所述第二电极区延伸的第一齿电极和第二齿电极，第二电极区上设有朝向所述第一电极区延伸的第三齿电极，第一齿电极和第三齿电极构成第一电容，第二齿电极和第三齿电极构成第二电容，第一电容和第二电容构成差分电容。本发明的技术方案实现了将压膜阻尼转变为滑动阻尼，从而避免了现有技术中电极与背极板之间的粘滞吸合，且结构简单，具有生产成本低的优点。
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公开(公告)号：CN117246975B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311532386.6
申请日：2023-11-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种集成的惯性传感器芯片及其制作方法，旨在通过在氧化硅片上形成第一空腔和第二空腔，并在氧化硅片上形成在厚度方向上贯穿其的第一通孔，并且形成的第一通孔在邻近其第一表面具有较大的第一开口，在位于其第二表面上具有相对较小的第二开口；将氧化硅片的第一表面与衬底基板的具有第一器件结构和第二器件结构的一侧表面相键合，并在氧化硅片的背离衬底基板的一侧制作覆盖氧化硅片的氧化硅层，以封闭第一通孔。从而不仅有利于氧化硅片与衬底基板键合的过程中的应力释放，而且也便于对第一通孔进行密封。通过上述晶圆级的封装，实现了低成本的将加速度计传感器芯片与陀螺仪传感器芯片集成在一起。
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公开(公告)号：CN117073670A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311057043.9
申请日：2023-08-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01C21/16
Abstract: 本发明的实施例公开了一种惯性传感器，其中惯性传感器包括结构层；第一器件层的第一表面与结构层相固定连接，在第一表面设有第一凹陷部，第一凹陷部的表面与结构层面向第一表面的一侧形成第一空腔；第一器件层还包括位于第一空腔内的至少一个锚点，在第一空腔的第一腔底设有至少一个第一凹槽，沿第一器件层的厚度方向上，第一凹槽从第一腔底伸入第一器件层内；至少一个锚点的外壁至少部分地构造成第一凹槽的内壁；沿第一器件层的厚度方向上，至少一个锚点的高度大于第一空腔的深度。根据本发明，其通过凹槽释放应力的同时，增加锚点的高度，减少通过锚点所传递的应力。
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