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公开(公告)号：CN118273989A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311809994.7
申请日：2023-12-26
申请人： ASM IP私人控股有限公司
发明人： M·K·阿鲁拉南达姆 , B·坎南 , J·L·温科勒
摘要： 本技术的各种实施例可以提供一种具有由多个侧壁限定的内部区域的蓄压器。蓄压器可以包括设置在第一侧壁中的入口和设置在第二侧壁内的出口。蓄压器还可以包括设置在内部区域内的活塞和联接到活塞的杆，其中杆通过第三侧壁延伸到内部区域的外部。
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公开(公告)号：CN118272789A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311826128.9
申请日：2023-12-27
申请人： ASM IP私人控股有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18 , C23C16/40
摘要： 用于在衬底上形成含锑膜的系统和方法。还公开了相关的结构和膜。锑膜通过等离子体增强原子层沉积过程形成。锑膜可以在EUV光刻过程中用作底层。
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公开(公告)号：CN118256892A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311804983.X
申请日：2023-12-25
申请人： ASM IP私人控股有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/67 , C23C16/448 , C23C16/458 , C23C16/52
摘要： 描述了用于调节处理室体积的方法和设备。例如，在移除用于执行与处理室相关的功能的至少一个部件之后，处理室可以安装有固定装置以调节处理室的体积。具有固定装置的处理室可以减少前体气体量和用于涂覆工件的处理时间。在涂覆之后，工件可被放置在另一处理室中，以执行与该另一处理室相关的功能。
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公开(公告)号：CN112626494B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202011071411.1
申请日：2020-10-09
申请人： ASM IP私人控股有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 公开了一种气体注入系统、包括所述气体注入系统的反应器系统以及使用所述气体注入系统和反应器系统的方法。气体注入系统可用于气相反应器系统中，以独立地监测和控制联接到反应室的气体注入系统的多个通道中的气体流速。
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公开(公告)号：CN118166337A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311668476.8
申请日：2023-12-06
申请人： ASM IP私人控股有限公司
IPC分类号： C23C16/448 , H01L21/67
摘要： 本技术的各种实施例可提供容纳固体前体粉末和惰性液体的浆料的第一容器、接收浆料、蒸发惰性液体并第一次升华固体前体粉末以形成蒸气的第二容器、将蒸气再冷凝回固态并第二次升华固体前体以形成蒸气的第三容器以及接收来自第三容器的蒸气的反应室。
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公开(公告)号：CN118116843A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311613047.0
申请日：2023-11-27
申请人： ASM IP私人控股有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683
摘要： 一种衬底冷却装置，包括具有顶表面的冷却板，顶表面包括从其突出的嵌入式衬底支撑构件阵列。通道设置在冷却板的下侧部分中，导管嵌入通道中，导管包括在第一端的冷却剂入口和在第二端的冷却剂出口，粘性导热材料设置在通道中并热耦合到通道的内表面和导管的外表面。一个或多个开口凹槽设置在冷却板的顶表面中，从冷却板的周边朝向冷却板的中心点向内延伸，开口凹槽周向设置在冷却板的直径相对侧，其中开口凹槽的尺寸设置成接收分度器的对应衬底操纵构件。还描述了衬底转移系统、冷却板装置和衬底转移方法。
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公开(公告)号：CN113948367B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110794298.8
申请日：2021-07-14
申请人： ASM IP私人控股有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 公开了形成包括用于光刻的应力管理层的结构的方法和包括应力管理层的结构。还公开了用于沉积应力管理层的系统。示例性方法包括使用等离子体增强循环(例如原子层)沉积和等离子体增强化学气相沉积中的一种或多种来形成应力管理层。
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公开(公告)号：CN117995653A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311439045.4
申请日：2023-11-01
申请人： ASM IP私人控股有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H10B41/35 , H10B41/27 , H10B43/35 , H10B43/27 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/40
摘要： 公开了用于将包含p型半导体氧化物的层沉积到衬底表面上的方法和系统。沉积过程包括循环沉积过程。可并入这些层的示例性结构包括3DNAND单元、存储器件、金属‑绝缘体‑金属结构和DRAM电容器。
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公开(公告)号：CN117987812A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311459939.X
申请日：2023-11-03
申请人： ASM IP私人控股有限公司
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52
摘要： 提供了一种衬底处理设备。衬底处理设备包括：反应室，其设置有室壁，该室壁包括第一侧壁、与第一侧壁相对设置的第二侧壁、连接到第一侧壁和第二侧壁的底壁；设置在第一侧壁中的闸阀隧道，其配置为由闸阀关闭；设置有顶板和轴的衬底支撑件，该衬底支撑件设置在反应室内并配置为支撑顶板上的衬底，其中衬底支撑件配置为可在处理位置和转移位置之间竖直移动；以及衬里，其围绕衬底支撑件的周边设置并配置为与衬底支撑件一起移动，其中，衬里的外壁配置为当衬底支撑件处于处理位置时覆盖闸阀隧道。
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公开(公告)号：CN117955449A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311402469.3
申请日：2023-10-26
申请人： ASM IP私人控股有限公司
摘要： 在一实施例中，一种用于半导体制造的系统包括连续波(CW)射频(RF)源和脉冲RF源。该系统还包括位于CW RF源和负载之间的匹配网络以及控制电路。控制电路接收指示脉冲RF信号的一个或多个信号，并选择脉冲RF信号的一部分。控制电路然后在脉冲RF信号的选择部分期间采样至少一个参数。基于至少一个参数，控制电路引起至少一个可变电抗元件的改变，这使匹配网络在CW RF源和负载之间阻抗匹配。
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