公开(公告)号：CN106847762A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611025660.0

申请日：2016-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李灿浩 ,  郑显秀 ,  朴明洵

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/14166 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 公开了一种半导体装置和一种半导体封装件。所述半导体装置包括：基底；去耦电容器，设置在基底上；第一连接焊盘，与去耦电容器竖直地叠置；钝化层，暴露第一连接焊盘的一部分；以及第一焊料凸块，设置在第一连接焊盘上并覆盖钝化层的顶表面的一部分。

公开(公告)号：CN106206531A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610361755.3

申请日：2016-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明洵 ,  郑显秀 ,  李灿浩

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49811

Abstract: 如下提供了一种集成电路装置。连接端子设置在半导体结构的第一表面上。导电焊盘设置在半导体结构的与第一表面相对的第二表面上。基底穿透通孔(TSV)结构贯穿半导体结构。TSV结构的端部延伸到半导体结构的第二表面之外。导电焊盘围绕TSV结构的端部。连接端子通过TSV结构电连接到导电焊盘。