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公开(公告)号：CN103646902A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310613010.8
申请日：2013-11-26
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67017
摘要： 本发明涉及半导体工艺领域，特别涉及用于优化半导体工艺条件的气体炉管，一种用于优化半导体工艺条件的气体炉管，炉管为一由下到上管路直径逐渐增大的管道，且所述管道管壁四周上由下而上添加毛细孔，炉管为从下往上气体管开口逐渐变大的梯形构造，毛细孔由下到上逐渐变大且逐渐变多，本发明的有益效果是，第一改变传统气体注入管直管的构造，采用从下往上气体管开口逐渐变大的梯形构造。第二增加毛细孔的应用，并采用由下到上毛细孔逐渐变大和变多得方式来达到气体流出量平衡的要求。
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公开(公告)号：CN103258758A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310166041.3
申请日：2013-05-07
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明涉及膜厚量测机台中颗粒的监控方法及控片，其中，控片包括第一控片和第二控片，第一控片包括一硅衬底和位于其上的的薄膜；第二控片包括一硅衬底和位于其上的大于的薄膜。通过采用上述的第一控片和第二控片分别对膜厚量测机中的单波长椭偏仪功能模块和宽带光谱功能模块的工艺制程中的环境颗粒状况进行监控，以全面监控膜厚量测机工艺制程的环境颗粒状况。使用本发明的控片和监控方法所进行的对膜厚量测机功能模块的监控，能够较为客观的反应膜厚量测机在该两个功能模块下的环境颗粒状况，并且对该两个功能模块进行监控能够反应整个膜厚量测机的工艺制程环境颗粒状况。
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公开(公告)号：CN107968038A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711160388.1
申请日：2017-11-20
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置，包括炉管以及设置在炉管反应腔一侧的氮气喷淋装置，炉管内设有晶舟，其特征在于，氮气喷淋装置和晶舟之间设有导向装置，导向装置使氮气喷淋装置吹出的氮气的吹扫方向朝向晶舟的舟脚的下方。本发明通过在氮气喷淋装置和晶舟之间安装一层阻隔网，使吹出的氮气方向朝向晶舟的下方，避免气体对舟脚的吹扫从而改善因舟脚掉落微粒造成的缺陷。
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公开(公告)号：CN107507764A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710612020.8
申请日：2017-07-25
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种离子注入剂量自动控制方法及系统，属于半导体制造技术领域；方法包括：分别获取当前层之前特定层的制造工序中离子注入剂量的影响参数，根据所有影响参数以及当前层的制造工序对应的注入工序的标准注入剂量，处理得到当前层的目标注入剂量，处理得到当前层的目标注入剂量；将当前层的目标注入剂量与预设的目标剂量范围进行比较，以确定与目标注入剂量相匹配的目标剂量范围；选择与被确定的目标剂量范围相对应的离子注入程式，并根据被选择的离子注入程式确定当前层的制造工序中的离子注入剂量。系统依照上述方法实现。上述技术方案的有益效果是：简化离子注入剂量自动控制的复杂度，保证注入剂量调整的稳定性和安全性。
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公开(公告)号：CN107239632A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710471713.X
申请日：2017-06-20
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明提出一种模拟离子注入光阻穿透深度的模型及其建模方法，该模型为：其中f(x，y)为离子注入到光阻中的厚度，g(x，y)为离子注入到硅基中的厚度，y为注入能量，x为注入离子种类，AMU(x)为元素x的原子量。本发明提出的模拟离子注入光阻穿透深度的模型及其建模方法，可以计算出离子注入在光阻中的深度，从而针对不同离子注入条件选择相适应的光阻，以避免光阻穿透。
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公开(公告)号：CN106504978A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610902791.6
申请日：2016-10-17
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/146
摘要： 一种用于提高衬底金属捕获能力的CIS硅片处理方法，其包括：提供半导体硅衬底，在所述半导体硅衬底背面依照现有CIS产品片制作工艺完成背面淀积低温氧化膜；在完成低温氧化膜背封的基础上，在所述半导体硅衬底正面进行碳原子的注入片制造工序，作为增加硅基体缺陷密度的方法，加大对金属元素的捕获能力；在所述半导体衬底的正面进行EPI外延层的生长，完成产品片制造工序。
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公开(公告)号：CN106252213A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610703032.7
申请日：2016-08-22
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L27/146
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L27/14687
摘要： 本发明提供了一种防止重掺杂的硅衬底边缘的离子析出的方法，包括：提供一硅衬底，硅衬底为含有第一种离子的重掺杂硅衬底；对硅衬底边缘区域进行第二种离子注入，以在硅衬底边缘区域形成防止硅衬底边缘的重掺杂离子析出的阻挡层；其中，第一种离子和第二种离子不相同。本发明通过对硅衬底边缘进行离子注入，从而形成防止硅衬底边缘重掺杂离子析出的阻挡层，有效避免了硅衬底边缘离子扩散析出，确保了后续工艺质量。
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公开(公告)号：CN105810613A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610173716.0
申请日：2016-03-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67253
摘要： 本发明提供了一种高电流注入机台监控方法，包括：在裸晶上形成一层氧化层；量测氧化层的膜厚；判断膜厚的均匀性是否满足预定要求；如果膜厚的均匀性满足预定要求，则利用高电流注入机台对裸晶执行高电流注入工艺；在高电流注入工艺完成之后对裸晶进行N2退火；测量裸晶的方块电阻值。
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公开(公告)号：CN105529281A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610088129.1
申请日：2016-02-17
申请人： 上海华力微电子有限公司
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/67011
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一半导体设备检漏方法，包括步骤：待测晶圆预清洗，并测量其自然氧化层厚度D1；选定待检半导体设备，并采用所述待检半导体设备进行工艺制程，该工艺制程在测试气体氛围下进行；测量待测晶圆制程后自然氧化层厚度D2；依据待测晶圆工艺制程前后自然氧化层厚度变化量ΔD＝D2-D1，判断所述待检半导体设备是否存在微漏。与现有技术相比，本发明提供的半导体设备检漏方法具有更高的检漏精度高，能够检测到设备的微漏现象，从而实现对低压炉管、多晶硅机台等半导体设备漏率的精确测试，提高工艺质量和产品良率。
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