公开(公告)号：CN101266928B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200810001745.4

申请日：2003-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  菅原卓也 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和基板处理方法，该基板处理方法的特征在于：氮化在基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，该方法包括：氮化处理工序，通过等离子体激励稀有气体和氮气，生成氮原子团或者氮离子，利用所述氮原子团或者氮离子来氮化所述氧化膜，所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：在100℃～500℃的基板温度，将所述等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持有所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。

公开(公告)号：CN100587923C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200680001355.6

申请日：2006-09-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种选择性等离子体处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，使含氧等离子体对在表面上具有硅和氮化硅层的被处理体进行作用，选择性地对硅进行氧化处理，使得在氮化硅层中形成的氧氮化硅膜的膜厚相对于所形成的硅氧化膜的膜厚的比率为20%以下。

公开(公告)号：CN101604630A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910142332.2

申请日：2009-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C23F4/00 ,  H05H1/24 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种等离子蚀刻处理方法以及等离子蚀刻处理装置。该等离子蚀刻处理方法能够在等离子蚀刻处理时容易且适当地进行形状控制。其中，该等离子蚀刻处理方法包括：将半导体基板(W)保持在设于处理容器(12)内的保持台(14)上的工序；用于产生等离子激励用微波的工序；将电介质板(16)与保持台(14)之间的间隔设为100mm以上、将处理容器内(12)的压力设为50mTorr以上而经由电介质板(16)将微波导入处理容器(12)内、使处理容器(12)内产生等离子体的等离子产生工序；将等离子蚀刻处理用反应气体供给到处理容器(12)内，利用所产生的等离子体对半导体基板(W)进行等离子蚀刻处理的处理工序。

公开(公告)号：CN101505574A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910006920.3

申请日：2009-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  吉川润 ,  佐佐木胜 ,  加藤和行 ,  四方政史 ,  高桥慎伍

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 提供一种等离子体处理设备，其特征是通过限定电介质与缝隙之间的位置关系来极大地提高等离子体点火性和点火稳定性。等离子体处理设备(11)包括：处理室(12)，其具有顶部开口；电介质(15)，在其底面上具有倾斜面(16a和16b)，使得厚度尺寸连续变化，并且该电介质(15)被布置成封闭处理室(12)的顶部开口；以及天线(24)，其被布置在电介质(15)的顶面上，用于向电介质(15)供给微波，从而在电解质(15)的底面产生等离子体。此外，天线(24)设置有定位在倾斜面(16a和16b)的铅直上方的多个缝隙(25)。

公开(公告)号：CN100499030C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200480035836.X

申请日：2004-12-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜 ,  井出真司 ,  尾崎成则

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明提供一种可以充分地除去残渣有机物和自然氧化物，并且不对通孔的侧壁绝缘膜造成损伤，不对k值造成不良影响的半导体基板导电层表面的净化方法。将在半导体基板的导电层(1)的表面上形成绝缘膜(2、3)、并在绝缘膜(3)中形成将导电层(1)的一部分露出的通孔(4)的半导体装置搬入到反应容器内，在反应容器内产生含氢的等离子体、以将通孔(4)底部的导电层(1)上净化，利用灰化将残渣有机物(6)分解除去并将导电层(1)表面上的铜氧化膜(7)还原成铜。

公开(公告)号：CN1926692A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200480042264.8

申请日：2004-03-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜 ,  壁义郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/4941

Abstract: 在硅晶片(101)上的栅极氧化膜(102)上形成多晶硅膜，从而形成多晶硅电极层(103)(第一电极层)。在该多晶硅电极层(103)上形成钨层(105)(第二电极层)。此外，在形成钨层(105)前，预先在多晶硅电极层(103)上形成导电性的阻挡层(104)。然后，以氮化硅层(106)作为蚀刻掩模，进行蚀刻处理。使用含有氧气和氢气的处理气体，利用处理温度为300℃以上的等离子体氧化处理，在露出的多晶硅层(103)的露出面上形成氧化绝缘膜(107)。由此，能够不氧化钨层(105)而对多晶硅电极层(103)进行选择性的氧化处理。

公开(公告)号：CN1836316A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480023656.X

申请日：2004-09-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜 ,  星野聪彦 ,  井出真司 ,  柏木勇作

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明涉及降低通过化学蒸镀法形成的含有Si、O和CH的绝缘膜的介电常数的方法。向等离子体处理装置的反应容器内供给含有氢原子的加工气体。向反应容器内导入微波并供给均匀的电磁波，由此在反应容器内产生含有氢游离基的等离子体。通过照射于绝缘膜的等离子体含有的氢游离基，改变绝缘膜的结构，降低介电常数。经过径向槽天线向反应容器内供给微波。

公开(公告)号：CN1659692A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03813333.4

申请日：2003-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  菅原卓也 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种基板处理方法，通过微波等离子体氮化处理氮化在硅基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，可避免损伤氧氮化膜，抑制硅基板和氧氮化膜的界面处的氧化膜的再生长，使氧化膜换算膜厚减少。所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：将所述微波激励等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。

公开(公告)号：CN102403183B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201110287142.7

申请日：2011-09-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  佐佐木胜 ,  桥本润 ,  吉村正太 ,  小津俊久 ,  西塚哲也

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供能够更精确地蚀刻成所希望的形状的等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法。等离子体蚀刻处理装置11包括：在内部对被处理基板进行蚀等离子体处理的处理容器12；向处理容器12内供给等离子体处理用的气体的气体供给部13；配置在处理容器12内，在其上支承被处理基板W的支承台14；产生等离子体激励用的微波的微波发生器15；使用由微波发生器15产生的微波，在处理容器12内产生等离子体的等离子体发生单元；调整处理容器12内的压力的压力调整单元；向支承台14供给交流偏置电力的偏置电力供给单元；以交替反复地进行停止和供给的方式控制偏置电力供给单元的交流偏置电力的控制单元。

公开(公告)号：CN101604630B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN200910142332.2

申请日：2009-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C23F4/00 ,  H05H1/24 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种等离子蚀刻处理方法以及等离子蚀刻处理装置。该等离子蚀刻处理方法能够在等离子蚀刻处理时容易且适当地进行形状控制。其中，该等离子蚀刻处理方法包括：将半导体基板(W)保持在设于处理容器(12)内的保持台(14)上的工序；用于产生等离子激励用微波的工序；将电介质板(16)与保持台(14)之间的间隔设为100mm以上、将处理容器内(12)的压力设为50mTorr以上而经由电介质板(16)将微波导入处理容器(12)内、使处理容器(12)内产生等离子体的等离子产生工序；将等离子蚀刻处理用反应气体供给到处理容器(12)内，利用所产生的等离子体对半导体基板(W)进行等离子蚀刻处理的处理工序。