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公开(公告)号：CN105355736B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510770220.7
申请日：2015-11-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种具有量子点p区结构的紫外发光二极管(UV‑LED)，自下而上依次包括：衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN量子阱有源区、AlzGa1‑zN电子阻挡层，GaN或低Al组分AlqGa1‑qN量子点p型层和氧化铟锡(ITO)导电层，其中z>y>x>q，在ITO导电层和n区上分别引出p型和n型欧姆电极。由于采用GaN或低Al组分AlqGa1‑qN量子点作为p区材料，易实现Mg掺杂和激活；又因为量子点相较于高维材料具有更大的禁带宽度，可以避免其对紫外出射光的吸收，因此该结构可以从而提高UV‑LED的外量子效率和发光功率。
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公开(公告)号：CN107240627A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710342958.2
申请日：2017-05-16
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/24 , H01L33/325
Abstract: 本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管，包括：由下至上依次设置的衬底，AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区、AlzGa1‑zN电子阻挡层，其中z>y>x，p型AlGaN层和透明导电层，在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型欧姆电极。本发明的有益效果为：本发明可形成与极化电场方向相反的补偿电场，一方面有利于减缓甚至消除量子阱的能带倾斜，增加量子阱势垒层的有效高度，提高载流子，特别是电子在多量子阱结构中分布的均匀性；另一方面，增加了量子阱中的电子与空穴的波函数在空间上的重叠程度，提高了电子与空穴的辐射复合效率，从而能够显著提升UV‑LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN107240615A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710338137.1
申请日：2017-05-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109
CPC classification number: H01L31/109 , H01L31/035236
Abstract: 本发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器，包括：自下而上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、非极性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱吸收、分离层、非掺杂AlzGa1‑zN倍增层、p型AlGaN层，在p型AlGaN层上设置的p型欧姆电极，在n型AlGaN层上设置的n型欧姆电极，其中0
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公开(公告)号：CN107170666A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710377918.1
申请日：2017-05-25
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/02389 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种非极性Ⅲ族氮化物外延薄膜，该外延薄膜包括从下至上的衬底、第一层图形结构、第二层图形结构和在衬底上、并透过双重图形结构生长的非极性Ⅲ族氮化物外延薄膜。其中第一层图形结构为具有一定表面覆盖率的插入层或掩模结构；第二层图形结构为在第一层图形结构上制备的具有一定排列方向性和周期性的网状结构。在此结构上进行非极性氮化物的外延生长，将会触发平行于衬底表面的侧向外延生长，形成岛状氮化物结构；而当岛状氮化物合并时，沿某些方向的生长将会受到抑制，而沿某个特定方向的生长将会获得促进，因此可解决非极性Ⅲ族氮化物生长各向异性突出的难题，获得高质量的外延薄膜。
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公开(公告)号：CN104835893B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510287664.5
申请日：2015-05-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/36
Abstract: 本发明公开了一种基于金属氮化物半导体的氮极性面发光二极管，属于半导体器件技术领域。该发光二极管包括自下而上依次设置的氮极性面n型半导体层、氮极性面多量子阱有源区、氮极性面电子阻挡层、氮极性面p型半导体层，所述氮极性面p型半导体层上层设置有p型电极，所述发光二极管还包括设置于氮极性面n型半导体层侧面且与氮极性面n型半导体层完全键合的金属极性面n型半导体层，所述金属极性面n型半导体层的上表面设置有n型电极。相比现有技术，本发明以金属极性面n型半导体层作为氮极性面发光二极管中n型半导体层的欧姆接触层，可以避免氮极性面n型半导体层上不易制作良好欧姆电极的问题，且制备工艺简单，实现成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104916713B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510284031.9
申请日：2015-05-28
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0248 , H01L31/036 , H01L31/101 , H01L31/107
Abstract: 一种以光子晶体作为入射窗的氮化镓基紫外探测器，其特征在于，包括由下而上依次设置的阴极电极101、n型Alx1Ga1‑x1N层102、Aly1Ga1‑y1N/Aly2Ga1‑y2N多量子阱雪崩增益区103、Aly3Ga1‑y3N/Aly4Ga1‑y4N超晶格吸收区104、p型Alx2Ga1‑x2N层105、环形阳极电极107和制作于p型Alx2Ga1‑x2N层105表面、但局限于阳极电极环107内的光子禁带隙宽度可调的光子晶体入射窗106。本发明的有益效果为：极大程度地降低背景噪声，有效提高信噪比，通过设置光子晶体入射窗结构，可提高带通区光线在吸收区的进光量50％以上，而对波长位于带通区外但又落在光子禁带内的光线，则可滤掉其进光量80％以上。既保证了探测器具有高灵敏度和高增益，又有效地降低了探测器的背景噪声与暗电流，有益于提高探测器的可靠性与稳定性。
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公开(公告)号：CN105977356A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610327711.9
申请日：2016-05-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/145
Abstract: 本发明公开了一种具有复合电子阻挡层结构的紫外发光二极管，该发光二极管自下而上依次包括衬底(101)、低温AlN成核层(102)、高温AlN缓冲层(103)、n型AlGaN层(104)、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区(105)、由p‑AlsIntGa1‑s‑tN层(1061)和p‑AlzGa1‑zN层(1062)组成的p‑AlsIntGa1‑s‑tN/p‑AlzGa1‑zN复合电子阻挡层(106)。本发明可解决传统的电子阻挡层结构在最后一个量子阱势垒和电子阻挡层之间会形成寄生电子反型层的问题。
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公开(公告)号：CN105977349A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610328031.9
申请日：2016-05-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0012
Abstract: 本发明公开了一种具有p‑i‑n隧道结的多有源区发光二极管，该二极管由下至上依次包括衬底、氮化物成核层、氮化物缓冲层、n型氮化物层、第一发光区、p‑i‑n隧道结、第二发光区、和氧化铟锡导电层；其中第一发光区由第一有源区、第一p型氮化物电子阻挡层和第一p型氮化物空穴注入层组成，第二发光区由第二有源区、第二p型氮化物电子阻挡层和第二p型氮化物空穴注入层组成。本发明实现了多有源区发光，不仅可以降低电极接触带来的电迁移问题，还能有效减小传统隧道结工作时内部耗尽区的宽度，从而减小电子隧穿的距离，增加电子隧穿的几率，并可有效缓解传统重掺杂隧道结引起的晶格失配，提高器件的晶体质量。
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公开(公告)号：CN104635934A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510091464.2
申请日：2015-02-28
Applicant: 东南大学
IPC: G06F3/01
Abstract: 本发明公开了一种基于逻辑思维和形象思维的脑机接口方法及装置，涉及脑机接口技术的新颖范式涉及，特征提取分类与分类领域。实验要求被试进行心算以及三维物体旋转，采集了六个电极的信号，采用共空间模式提取特征值。针对共空间模式适用于多个电极以及特征值的问题，改进了共空间滤波算法，将一个电极的脑电信号进行不同频段和时段的分离，并将这些脑电信号进行特征提取计算。将特征值进行支持向量机的分类，通过离线数据分析，这种数据处理可以达到比较优秀的分类效果。本发明构建了基于逻辑思维和抽象思维的脑机接口，提高了系统的可靠性，减小实验想象难度，以及长期实验造成的视觉疲劳，提高了脑机接口系统的舒适性，扩展了更多的适用人群。
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