公开(公告)号：CN103069553B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201180041352.6

申请日：2011-08-30

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 福原升

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7785

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其具有基底基板、第1结晶层、第2结晶层以及绝缘层，基底基板、第1结晶层、第2结晶层以及绝缘层依照基底基板、第1结晶层、第2结晶层、绝缘层的顺序设置，第1结晶层和第2结晶层之间或基底基板和第1结晶层之间还具有第3结晶层，所述第2结晶层包含与构成所述第1结晶层的结晶晶格匹配或准晶格匹配，并且禁带幅宽比构成所述第1结晶层的结晶还大的结晶；所述第3结晶层包含与构成所述第1结晶层的结晶晶格匹配或准晶格匹配，并且禁带幅宽比构成所述第1结晶层的结晶还大的结晶；所述第3结晶层包含成为施体或受体的第1原子，在所述第3结晶层包含成为施体的第1原子时，所述第2结晶层包含成为受体的第2原子，在所述第3结晶层包含成为受体的第1原子时，所述第2结晶层包含成为施体的第2原子。第1结晶层可以作为场效应晶体管中的通道层使用，绝缘层可以作为场效应晶体管中的栅极绝缘层使用。

公开(公告)号：CN101868857A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200880116357.9

申请日：2008-11-12

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 长谷川彰 ,  小广健司 ,  福原升

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供氧化物半导体材料和其制造方法、电子装置和场效应晶体管。氧化物半导体材料含有Zn、Sn和O，不含有In，且电子载流子浓度大于1×1015/cm3且小于1×1018/cm3。电子装置具有包含氧化物半导体材料的半导体层，和设置在上述半导体层上的电极。场效应晶体管具有包含氧化物半导体材料的半导体层、设置在上述半导体层中并相互隔开的源电极和漏电极、和门电极，所述门电极设置在可在位于上述源电极和上述漏电极之间的上述半导体层的区域施加偏置电位的位置。

公开(公告)号：CN103098188B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180040410.3

申请日：2011-08-30

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 福原升

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7785

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其具有基底基板、第一结晶层、及绝缘层，基底基板、第一结晶层、及绝缘层的位置顺序为基底基板、第一结晶层、绝缘层；第一结晶层是由可准晶格匹配于GaAs或AlGaAs的InxGa1-xAs(0.35≤x≤0.43)构成。第一结晶层是可适用于场效电子晶体管的沟道层，绝缘层是可适用于场效电子晶体管的栅极绝缘层。

公开(公告)号：CN102084412B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN200980126164.6

申请日：2009-07-16

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 松室智纪 ,  福原升 ,  长谷川彰

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/40 ,  G02F2203/01

Abstract: 本发明是提供一种有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法。有源矩阵基板(101A)具有透明基板(10)、形成在透明基板上的透明布线(LG、LD、LP、L1、L2等)、覆盖透明布线的至少一部分的透明半导体层(44)、覆盖布线及透明半导体层(44)的至少一部分的透明绝缘膜(40、50)。布线包括在行列方向上以相互交叉的方式延伸的主布线(41的一部分等)、和从该主布线分支而与各像素(101a)中的元件连接的副布线(41的一部分、42、43等)，这些布线利用例如ZTO或ITO等半导体材料来形成。

公开(公告)号：CN103069553A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180041352.6

申请日：2011-08-30

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 福原升

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7785

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其具有基底基板、第1结晶层、第2结晶层以及绝缘层，基底基板、第1结晶层、第2结晶层以及绝缘层依照基底基板、第1结晶层、第2结晶层、绝缘层的顺序设置，第1结晶层和第2结晶层之间或基底基板和第1结晶层之间还具有第3结晶层，所述第2结晶层包含与构成所述第1结晶层的结晶晶格匹配或准晶格匹配，并且禁带幅宽比构成所述第1结晶层的结晶还大的结晶；所述第3结晶层包含与构成所述第1结晶层的结晶晶格匹配或准晶格匹配，并且禁带幅宽比构成所述第1结晶层的结晶还大的结晶；所述第3结晶层包含成为施体或受体的第1原子，在所述第3结晶层包含成为施体的第1原子时，所述第2结晶层包含成为受体的第2原子，在所述第3结晶层包含成为受体的第1原子时，所述第2结晶层包含成为施体的第2原子。第1结晶层可以作为场效应晶体管中的通道层使用，绝缘层可以作为场效应晶体管中的栅极绝缘层使用。

公开(公告)号：CN102099848B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN200980128531.6

申请日：2009-07-16

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 松室智纪 ,  福原升 ,  长谷川彰

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/26

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板。有源矩阵基板(101A)具备：透明基板(10)；形成于透明基板上的布线(LG、LD、LP、L1、L2等)；覆盖该布线的至少一部分的透明半导体层(44)；及覆盖布线及透明半导体层的至少一部分的透明绝缘膜。布线包括：作为主布线的第一金属布线(41M)；及从主布线分支而作为副布线的透明布线(41、42、43等)。作为主布线的第一金属布线，至少一部分使用比作为副布线的布线具备更高导电性的材料而形成。

公开(公告)号：CN102439696A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080022049.7

申请日：2010-05-19

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  秦雅彦 ,  福原升

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8248 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/082 ,  H01L29/737 ,  H01L31/10 ,  H01L33/34

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/66318 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法、电子器件及其制造方法。该半导体基板具备：具有向硅导入了杂质原子的杂质区域的基底基板；与杂质区域相接地设置的多个晶种体；以及与多个晶种体的每一个相接地设置且与多个晶种体分别晶格匹配或准晶格匹配的多个化合物半导体。该半导体基板还可以进一步具备阻碍体，该阻碍体被设置于基底基板上且设有使杂质区域的至少一部分露出的多个开口。

公开(公告)号：CN102396059A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201080016486.8

申请日：2010-04-13

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 福原升 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/66 ,  G01N27/00

CPC classification number: G01R31/025 ,  G01R31/129

Abstract: 本发明提供一种测量方法，用于测量包含基底基板及缓冲层的半导体基板的空穴或电子的移动所致的漏电流或提供绝缘击穿电压。具体是，该测量方法测量具有基底基板，及在基底基板上设置的缓冲层的半导体基板的漏电流或绝缘击穿电压，具有：在缓冲层设置含有由被施加电场时对缓冲层注入空穴的材料组成的空穴注入电极的多个电极的步骤；测量对从多个电极选择出的含有至少一个空穴注入电极的第1一对电极施加电压或电流时在第1一对电极中流动的电流及第1一对电极间的电压的步骤；根据第1一对电极中流动的电流及第1一对电极间的电压，测量半导体基板中的空穴的移动所致的漏电流或测量绝缘击穿电压的步骤。

公开(公告)号：CN102099848A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980128531.6

申请日：2009-07-16

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 松室智纪 ,  福原升 ,  长谷川彰

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/26

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板。有源矩阵基板(101A)具备：透明基板(10)；形成于透明基板上的布线(LG、LD、LP、L1、L2等)；覆盖该布线的至少一部分的透明半导体层(44)；及覆盖布线及透明半导体层的至少一部分的透明绝缘膜。布线包括：作为主布线的第一金属布线(41M)；及从主布线分支而作为副布线的透明布线(41、42、43等)。作为主布线的第一金属布线，至少一部分使用比作为副布线的布线具备更高导电性的材料而形成。