公开(公告)号：CN102388434A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080016149.9

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L29/1608

Abstract: 加热多个碳化硅衬底(10)和支撑部(30)。将第一辐射平面(RP1)的温度设定成第一温度，在垂直于一个平面(PL1)并且远离所述支撑部(30)的方向上从所述多个碳化硅衬底(10)延伸的第一空间中，所述第一辐射平面(RP1)面对所述多个碳化硅衬底(10)。将第二辐射平面(RP2)的温度设定成高于所述第一温度的第二温度，在垂直于一个平面(PL1)并且远离所述多个碳化硅衬底(10)的方向上从所述支撑部(30)延伸的第二空间中，所述第二辐射平面(PR2)面对所述支撑部(30)。将第三辐射平面(RP3)的温度设定成低于所述第二温度的第三温度，沿着一个平面(PL1)从所述多个碳化硅衬底(10)之间的间隙(GP)延伸的第三空间中，所述第三辐射平面(RP3)面对所述多个碳化硅衬底(10)。

公开(公告)号：CN100589236C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200710104113.6

申请日：2007-05-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西浦隆幸 ,  田中聪 ,  堀江裕介 ,  冲田恭子 ,  冈本贵敏

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02008 ,  H01L21/02052 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在化合物半导体衬底的表面具有降低了的杂质含量的化合物半导体衬底的检测方法、化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法。在化合物半导体衬底的检测方法中，使用原子力显微镜以不大于0.4nm的间距在不大于0.2平方微米的范围内测量化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms。通过该检测方法测量的化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms为不大于0.2nm。

公开(公告)号：CN114651091B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202080078036.5

申请日：2020-11-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  本家翼 ,  上田俊策

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/304

Abstract: 将凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。第一主面的表面粗糙度为0.15nm以下。将第一正方区域中，表示碳化硅的拉曼光谱的峰的波数的平均值作为第一波数；将第二正方区域中，表示碳化硅的拉曼光谱的峰的波数的平均值作为第二波数；将第一正方区域中，碳化硅的拉曼光谱的峰的半峰宽的平均值作为第一半峰宽；并且将第二正方区域中，碳化硅的拉曼光谱的峰的半峰宽的平均值作为第二半峰宽，在此情况下，第一波数与第二波数之差的绝对值为0.2cm‑1以下，并且第一半峰宽与第二半峰宽之差的绝对值为0.25cm‑1以下。

公开(公告)号：CN111029401B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201911171795.1

申请日：2016-01-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/04 ,  H01L21/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/48 ,  C23C14/58 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B33/02

公开(公告)号：CN110660840B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201910821706.7

申请日：2015-06-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  本家翼

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  B24B1/00 ,  B24B9/00 ,  B24B9/06 ,  B24B19/22 ,  B24D3/28 ,  B24D5/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B29/64 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。一种碳化硅单晶衬底(1)，其包括第一主表面(1a)、第二主表面(1b)和圆周边缘部(3)。第二主表面(1b)与第一主表面(1a)相反。圆周边缘部(3)连接第一主表面(1a)和第二主表面(1b)。当沿着与第一主表面(1a)垂直的方向观察时，圆周边缘部(3)具有：直线形的定向平面部(OF1)，具有第一半径(R1)的第一圆弧部(A1)，和连接定向平面部(OF1)和第一圆弧部(A1)并具有小于第一半径(R1)的第二半径(R2)的第二圆弧部(A2)。提供了一种能够抑制在碳化硅外延膜的表面中的级差的发生的碳化硅单晶衬底、及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。

公开(公告)号：CN108495957B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN201780007967.4

申请日：2017-01-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  樱田隆 ,  高须贺英良 ,  上田俊策 ,  佐佐木将 ,  梶直树 ,  三岛英彦 ,  江口宽航

IPC: G01N23/207 ,  C30B29/36

Abstract: 在检测器6配置于[11‑20]方向、在相对于[‑1‑120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括主面11的中心O的第一测量区域31、以及使用所述检测器测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第一强度分布1的最大强度的比例大于或等于1500。在检测器6配置于[‑1100]方向、在相对于[1‑100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第一测量区域31、以及使用所述检测器6测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第二强度分布2的最大强度的比例大于或等于1500。在所述第一强度分布1指示最大值时的能量的最大值EH1与最小值EL1之差的绝对值小于或等于0.06keV。

公开(公告)号：CN111051581B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201880055130.1

申请日：2018-08-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  宫濑贵也 ,  本家翼 ,  山本裕史 ,  冲田恭子

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅外延晶片，所述碳化硅外延晶片包含：4H多型的单晶碳化硅衬底，所述单晶碳化硅衬底具有相对于{0001}面以角度θ向 方向倾斜的主面；和形成在所述主面上的厚度为t的碳化硅外延层，其中所述单晶碳化硅衬底的直径大于或等于150mm，其中所述角度θ大于0°且小于或等于6°，其中在所述碳化硅外延层的表面中存在螺旋位错坑和距所述坑的距离为t/tanθ的对角线缺陷的一个以上的对，并且其中所述坑和所述对角线缺陷的对的密度小于或等于2对/cm2。

公开(公告)号：CN106796877B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201580055161.3

申请日：2015-08-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子

IPC: H01L21/304 ,  C30B29/36 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02

Abstract: 一种用于制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤：制备具有主表面的碳化硅衬底(S10)、使用含有金属催化剂的抛光剂抛光碳化硅衬底的主表面(S20)、以及在抛光的步骤之后清洗碳化硅衬底(S30)。清洗的步骤包括利用王水清洗所述碳化硅衬底的步骤(S33)。

公开(公告)号：CN111433394A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201880078475.9

申请日：2018-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  本家翼

IPC: C30B29/36

Abstract: 本发明满足规定的数学表达式，其中ν0代表指示与具有4H多型并且具有零应力的碳化硅的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数，νmax代表指示与从第一主表面到第二主表面的区域中的碳化硅衬底的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数的最大值，νmin代表指示与从第一主表面到第二主表面的区域中的碳化硅衬底的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数的最小值，并且ν1代表指示与在第一主表面处的碳化硅衬底的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数。

公开(公告)号：CN110299403A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910475115.9

申请日：2015-11-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: H01L29/34 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02 ,  B24B37/04 ,  C09K3/14 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅基板，其包含碳化硅，其中，当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度为20mm至150mm，所述基板的直径为150mm，且所述碳化硅具有六方晶体结构。本发明还涉及一种碳化硅基板，其包含碳化硅，其中，当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度为20mm至150mm，所述基板的直径为150mm，且所述主表面为相对于Si面具有小于8度的偏角的晶面。根据本发明，可以提供可以在其主表面上形成高品质半导体层的碳化硅基板。