公开(公告)号：CN100530556C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610081873.5

申请日：2006-05-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 八乡昭广 ,  西浦隆幸

IPC: H01L21/306 ,  H01L33/00

Abstract: 提供一种抑制杂质或微粒等异物附着在化合物半导体表面的清洗方法和制造方法。本发明的氮化物系化合物半导体的清洗方法，包括：准备氮化物系化合物半导体的工序(基板准备工序(S10))、和清洗工序(S20)。在清洗工序(S20)中，基于PH值为7.1以上的清洗液对氮化物系化合物半导体进行清洗。

公开(公告)号：CN101081485A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710108825.5

申请日：2007-05-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  西浦隆幸 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: B24B29/00 ,  H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 用于氮化物晶体的表面处理方法是化学和机械抛光氮化物晶体(1)的表面的表面处理方法。使用氧化物磨粒(16)。磨粒(16)具有至少－850kJ/mol的标准生成自由能作为每1摩尔氧分子的转换值，并具有至少为4的莫氏硬度。该表面处理方法有效地提供了具有形成于其上的平滑且高质量表面的氮化物晶体，用于有效地获得可以用于半导体器件的氮化物晶体衬底。

公开(公告)号：CN101075570A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710104113.6

申请日：2007-05-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西浦隆幸 ,  田中聪 ,  堀江裕介 ,  冲田恭子 ,  冈本贵敏

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02008 ,  H01L21/02052 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在化合物半导体衬底的表面具有降低了的杂质含量的化合物半导体衬底的检测方法、化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法。在化合物半导体衬底的检测方法中，使用原子力显微镜以不大于0.4nm的间距在不大于0.2平方微米的范围内测量化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms。通过该检测方法测量的化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms为不大于0.2nm。

公开(公告)号：CN1885499A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610094016.9

申请日：2006-06-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西浦隆幸 ,  上村智喜

IPC: H01L21/306 ,  H01L33/00 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/02052 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明提供衬底的表面处理方法和III－V族化合物半导体的制造方法，其中由III－V族半导体化合物制成的衬底是化学计量的，并减小了外延生长后表面的微观粗糙度。该方法包括制备由III－V族化合物半导体制成的衬底的步骤(S10)，及以pH调至2～6.3(含端值)的酸性且加入了氧化剂的清洗溶液对衬底进行清洗的清洗步骤(S20)。

公开(公告)号：CN1877805A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610088704.4

申请日：2006-06-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 八乡昭广 ,  西浦隆幸

IPC: H01L21/66 ,  H01L33/00 ,  G01N21/88

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/6489

Abstract: 本发明提供可以评价表面的损伤程度的化合物半导体构件的损伤评价方法以及损伤的程度小的化合物半导体构件的制造方法、氮化镓类化合物半导体构件及氮化镓类化合物半导体膜。首先，进行化合物半导体基板(10)的表面(10a)的光致发光测定，然后，在利用光致发光测定得到的发光光谱中，使用与化合物半导体基板(10)的能带间隙对应的波长(λ1)的峰P1的半高宽W1，评价化合物半导体基板(10)的表面(10a)的损伤。

公开(公告)号：CN1868674A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610077029.5

申请日：2006-04-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  西浦隆幸

IPC: B24B29/00 ,  B24B37/00 ,  B24B19/22 ,  B24D17/00 ,  H01L33/00 ,  H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L33/32 ,  C09G1/02 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  C30B35/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  Y10T428/24355 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: III族氮化物晶体膜的表面处理方法，III族氮化物晶体基材，具有外延层的III族氮化物晶体基材，和半导体设备。III族氮化物晶体膜的表面处理方法，包括将III族氮化物晶体膜的表面进行抛光，其中抛光用的抛光液的pH值x和氧化－还原电位值y(mV)同时满足y≥－50x+1,000和y≤－50x+1,900的关系。

公开(公告)号：CN109689579A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780055586.3

申请日：2017-07-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 筱嵜崇史 ,  森田彻 ,  西浦隆幸

IPC: C02F3/12 ,  B01D65/08 ,  B01D71/36 ,  C02F1/44 ,  C02F3/08 ,  C02F3/20

CPC classification number: B01D65/08 ,  B01D71/36 ,  C02F1/44 ,  C02F3/08 ,  C02F3/12 ,  C02F3/20 ,  Y02W10/15

Abstract: 本发明的一个实施方式涉及的膜分离活性污泥处理系统具备：具有含有机物废水的流入口和排出口并且对上述含有机物废水进行生物处理的生物处理槽；以能在上述生物处理槽内流动的方式配置并且附着保持活性污泥的多个载体；配置在上述生物处理槽内并且对上述含有机物废水进行曝气的第一气泡供给机构；配置在上述生物处理槽内的上述第一气泡供给机构的下游侧的膜分离机构；和配置在上述生物处理槽内的上述膜分离机构的下方并且对上述膜分离机构进行清洗的第二气泡供给机构，并且上述第二气泡供给机构供给的气泡的平均直径大于上述第一气泡供给机构供给的气泡的平均直径。

公开(公告)号：CN107039516A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611005643.0

申请日：2012-05-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫原贤一 ,  西浦隆幸 ,  坪仓光隆 ,  藤原新也

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/02 ,  H01L21/335 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明涉及化合物半导体衬底。本发明的目的在于提供化合物半导体衬底及其表面处理方法，其中，即使在将处理过的衬底长时间储存之后，也不会出现电阻值异常。即使将所述化合物半导体衬底长时间储存且然后在其上形成外延膜，也不会出现电特性异常。根据本发明的半导体衬底为如下化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，所述镜面抛光的表面被含有氢(H)、碳(C)和氧(O)的有机物质覆盖；或者如下化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，其中，在550℃的生长温度下生长的外延膜与所述化合物半导体衬底之间的界面处的硅(Si)峰值浓度为2×1017cm‑3以下。

公开(公告)号：CN1896343B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200610093296.1

申请日：2006-06-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  楫登纪子 ,  中畑成二 ,  西浦隆幸

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/08 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: G01N23/207 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  G01B15/08 ,  G01N2223/602 ,  G01N2223/634 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  Y10T428/2978

Abstract: 一种氮化物晶体的特征在于，关于氮化物晶体(1)的任意特定平行晶格平面(1d)的平面间距，由|d1-d2|/d2的值表示的所述晶体的表面层(1a)上的均匀畸变等于或低于2.1×10-3，其中在满足所述特定平行晶格平面(1d)的X-射线衍射条件的同时通过改变X-射线从晶体表面的穿透深度来进行X-射线衍射测量而获得所述平面间距，由在0.3μm的X-射线穿透深度处的平面间距d1和在5μm的X-射线穿透深度处的平面间距d2获得所述|d1-d2|/d2的值。上述构造提供了具有晶体表面层的氮化物晶体，该晶体表面层在不破坏晶体的情况下直接和可靠地被评估，因此它可以以优选方式用作半导体器件的衬底以及上述构造还提供氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件以及制备它们的方法。

公开(公告)号：CN101315910A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200710167164.3

申请日：2007-10-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西浦隆幸 ,  目崎义雄 ,  堀江裕介 ,  樋口恭明

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C30B29/42 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/3245

Abstract: 一种GaAs半导体衬底(10)包括表面层(10a)。当利用通过X－射线光电子光谱术在光电子出射角θ为10°的条件下测量的Ga原子和As原子的3d电子光谱来计算原子比时，该表面层(10a)上所有Ga原子对所有As原子的构成原子比(Ga)/(As)至少为0.5且不大于0.9；在该表面层(10a)上，与O原子结合的As原子与所有Ga原子和所有As原子的比(As－O)/{(Ga)+(As)}至少为0.15且不超过0.35；并且在该表面层(10a)上，与O原子结合的Ga原子与所有Ga原子和所有As原子的比(Ga－O)/{(Ga)+(As)}至少为0.15且不超过0.35。因此，提供了具有清洁到允许至少通过衬底的热清洗移除表面上的杂质和氧化物这样的程度的表面的GaAs半导体衬底。