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公开(公告)号：CN87102296A
公开(公告)日：1987-10-21
申请号：CN87102296
申请日：1987-02-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08242 , G03G5/08228 , Y10S430/146
Abstract: 一个用于电子照相的光接收元件，它由基底和在基底上的光接收层构成。光接收层由一个显示光电导性的光电导层和一个表面层构成。光电导层由在硅原子阵列中含有氢原子和卤素原子中至少一种的非结晶材料构成。而表面层由含有硅原子、碳原子和氢原子组分的非结晶材料构成。在表面层中元素组分在层的厚度方向上的分布密度是变化的，以便在与光电导层的界面上获得光学带隙的匹配。表面层中氢原子最大分布密度为41—70原子％。
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公开(公告)号：CN1112293A
公开(公告)日：1995-11-22
申请号：CN94120757.9
申请日：1994-12-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/18 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明用来制造高效和低损耗的光电池，本发明也用连续地卷装进出法在大面积无不均匀现象高速均匀地加工这种光电池。用RF等离子CVD法形成i-型半导体层的顶部电池，用微波等离子CVD法形成中间电池和/或底部电池。用等离子掺杂形成在入射光侧的掺杂层的顶部电池，用RF等离子CVD法形成中间电池和/或底部电池。本发明的任务通过分别与二层或三层串联型光电池的各层相应地设置膜形成室用连续地卷装进出法连续形成半导体叠层来完成。
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公开(公告)号：CN1014184B
公开(公告)日：1991-10-02
申请号：CN87101639
申请日：1987-03-03
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/0825 , G03G5/08257
Abstract: 提供一个改进的电子摄影术用光接收元件包括：一层为电子摄影术用的基底和一光接收层，后者由含硅原子锗原子的多晶材料形成的长波长光吸收层构成；一层由含硅原子作为主要原子成分的非晶材料形成的光电导层；及一层由含硅原子、碳原子和氢原子的非晶材料形成的表面层，表面层中氢原子含量为1×10-3至40原子百分比。光接收层可具有一层电荷注入阻挡层或/和一层接触层。
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公开(公告)号：CN1011627B
公开(公告)日：1991-02-13
申请号：CN87101883
申请日：1987-02-03
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/0825 , G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/08257
Abstract: 一种改进的用于电子照相术的光接收元件，它包括适用于电子照相术的基底和光接收层，其中光接收层由电荷注入阻挡层、光导层、表面层等构成。电荷注入阻挡层由含有作为主要组份原子的硅原子和某种用于控制电导率并阻止从基底一侧注入电荷的元素的多晶材料形成；光导层由含有作为主要组份原子的硅原子的无定形材料形成；表面层由含有硅原子、碳原子、氢原子的无定形材料形成，且表面层中氢原子的含量为41-70atm%。光接收层中还可能包括有接触层和/或长波长光的吸收层。
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公开(公告)号：CN87101883A
公开(公告)日：1988-04-27
申请号：CN87101883
申请日：1987-02-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/085
CPC classification number: G03G5/0825 , G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/08257
Abstract: 一种改进的用于电子照相术的光接收元件，它包括适用于电子照相术的基底和光接收层，其中光接收层由电荷注入阻挡层、光导层、表面层等构成。电荷注入阻挡层由含有作为主要组分原子的硅原子和某种用于控制电导率并阻止从基底一侧注入电荷的元素的多晶材料形成；光导层由含有作为主要组分原子的硅原子的无定形材料形成；表面层由含有硅原子、碳原子、氢原子的无定形材料形成，且表面层中氢原子的含量为41～70atm％。光接收层中还可能包括有接触层和/或长波长光的吸收层。
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公开(公告)号：CN1161820C
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN99111914.2
申请日：1999-07-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/50 , H01L31/18
CPC classification number: C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32706 , H01L21/02425 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L31/1824 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种制造半导体层的方法，将原料气体引入放电室中，对该室施加高频功率，通过放电分解原料气体，在室中的衬底上形成半导体层，它包括步骤：提供至少是甚高频(VHF)的高频功率作为高频功率；对放电室施加直流功率的偏置功率和/或射频(RF)的高频功率同时还施加VHF高频功率；和控制流进对其施加偏置功率的电极中的电流的直流分量，使放电室内壁面积上的电流密度处于0.1A/m2至10A/m2的范围内。高质量的半导体层可大面积高速地淀积。
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公开(公告)号：CN1097299C
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN98109428.7
申请日：1998-03-09
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/1055 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 形成淀积膜、半导体元件和光电转换元件的工艺，在基片上形成包括非单晶半导体的第一导电类型半导体层；在第一导电类型半导体层上形成包括非晶半导体的基本上为i型半导体层；在其上形成包括微晶半导体的基本上为i型半导体层，同时降低它的膜形成速度；以及在包括微晶半导体的基本上为i型半导体层上形成包括非单晶半导体的第二导电类型半导体层。由此，可以得到具有高光电转换效率高生产率的光电转换元件。
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公开(公告)号：CN1029993C
公开(公告)日：1995-10-11
申请号：CN90106809.8
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3277 , H01J2237/3325 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种采用微波等离子CVD工艺连续形成大面积功能性淀积薄膜的方法，所述方法包括：按纵向连续移动的基片带；在基片移动过程中通过弯曲和凸起所述移动基片带以形成所述成膜室圆周壁的圆筒形部分从而建立具有成膜空间的基本封闭的成膜室；通过气体输送装置将成膜原材料气体导入所述成膜空间；同时，通过采用微波施加装置将微波能辐射或传播到所述成膜空间，其中微波施加装置能够以垂直于微波能传播方向具有方向性地辐射或传播所述微波能以便在所述成膜空间产生微波等离子区，由此在暴露于所述微波等离子区的所述连续移动圆周壁的内表面上连续形成功能性淀积薄膜。一种适用于实际所述方法的装置。
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公开(公告)号：CN1009688B
公开(公告)日：1990-09-19
申请号：CN87107592
申请日：1987-09-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L29/247 , H01L21/324 , H01L31/109 , H01L31/1105 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种改进的半导体器件，诸如改进的渐变带隙晶体管和改进的渐变带隙二极管，其特征在于该器件由含有硅原子、调节带隙的原子和降低定域能级的原子的非单晶材料构成，并且该器件至少在非结位置的一个方位上还具有一个带隙连续渐变的区域，而且只有导带和价带之一是连续渐变的。即显著地改善了频率特性，又改善了光敏效应。
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公开(公告)号：CN87101639A
公开(公告)日：1987-11-25
申请号：CN87101639
申请日：1987-03-03
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/0825 , G03G5/08257
Abstract: 本发明提供一个改进的电子摄影术用光接收元件。它包括：一层为电子摄影术用的基底和一光接收层，后者由含硅原子锗原子的多晶材料形成的长波长光吸收层构成；一层由含硅原子作为主要原子成分的非晶材料形成的光电导层；及一层由含硅原子、碳原子和氢原子的非晶材料形成的表面层，表面层中氢原子含量为1×10-3至40原子百分比。光接收层可具有一层电荷注入阻挡层/一层接触层。
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