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公开(公告)号：CN113671338A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111088370.1
申请日：2021-09-16
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了提供一种焊接型IGBT模块的DBC组件的测试工装，包括：上盖组件、底板组件和锁扣组件；底板组件包括底板，底板上设置有适于容纳待测DBC组件的容纳仓；上盖组件适于扣合于底板组件，且适于在扣合时从侧部和顶部包围容纳仓；上盖组件一侧适于连接于底板组件，另一侧适于通过锁扣组件紧固于底板组件；上盖组件还包括引出电极组，引出电极组适于在上盖组件扣合于底板组件时电性接触待测DBC组件的相应电极。本发明的焊接型IGBT模块的DBC组件的测试工装，可用来验证DBC组件设计和焊接工艺是否存在缺陷，完成对DBC组件封装前的筛选，可以提高IGBT模块良品率和可靠性。
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公开(公告)号：CN108226733B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201611125731.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种用于IGBT模块的混合功率循环检测装置和检测方法，其检测装置包括：并联的主电源支路、测量电源支路、第一电流传感器、主动控制循环单元、第二电流传感器和被动控制循环单元；主电源支路包括：主电源和与其串联的主控电源开关；测量电源支路包括：测量电源和与其串联的测量电源开关；主动控制循环单元包括：并联的主动控制支路，被动控制循环单元包括：并联的被动控制支路。本发明结合IGBT模块主动控制加热和被动控制加热，扩展被测模块数量；同时考虑IGBT模块加热升温和降温过程时间比例，合理设计并联支路数量，最高效率利用电源。
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公开(公告)号：CN111707919A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010608422.2
申请日：2020-06-29
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IGBT器件测试电路及测试方法，测试电路包括：双脉冲测试模块用于测试IGBT的开通、关断性能；电流耐受能力测试模块用于在模拟换流阀双极性短路情况下，对IGBT的电流耐受能力进行测试；采集模块用于采集IGBT集射极电压及发射极电流；保护模块用于当IGBT集射极电压和/或发射极电流超过对应的预设阈值时，切断双脉冲测试模块与IGBT的连接。本发明利用双脉冲测试模块对IGBT的开通、关断性能进行测试，利用电流源持续输出方波电流来模拟换流阀双极性短路情况下，浪涌电流冲击IGBT的情况，从而进一步提高了对IGBT性能测试的全面性及多样性。
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公开(公告)号：CN110133472B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910481839.4
申请日：2019-06-04
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R31/265 , G01R31/27
Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数，然后利用所述双脉冲测试电路，获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值，得到测试数据，根据测试数据确定拟合函数中的待定系数，得到拟合函数模型；然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号，并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号，获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数，实现了IGBT芯片的非接触式测量，进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。
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公开(公告)号：CN111076835A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911378133.1
申请日：2019-12-27
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明公开了一种IGBT器件温度在线测量方法及装置，该方法包括：将工作状态下的待测IGBT器件置于第一预设温度中，采集开通过程待测IGBT器件的栅极电压；根据栅极电压计算得到待测IGBT器件第一预设温度下的开通米勒平台时延；改变第一预设温度的值，计算得到多个预设温度下的开通米勒平台时延；根据第一预设温度下的开通米勒平台时延和多个预设温度下的开通米勒平台时延计算得到待测IGBT器件的工作温度。本发明实施例提供的IGBT器件温度在线测量方法及装置，可以实现IGBT器件的温度在线测量，同时测量方法简单，易操作；并且通过该在线测量方法还可以实现IGBT工作状态的在线监控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110931465A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201811103811.9
申请日：2018-09-20
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供的一种具有抑制压接型IGBT器件渡越时间振荡的装置，所述装置包括：发射极极板(1)、PCB板(5)、集电极极板(7)和软磁材料(3)；所述PCB板(5)通过软磁材料(3)与所述发射极极板(1)连接后进行封装；所述发射极极板(1)与集电极极板(7)相连接。对目前存在的压接式IGBT器件的拖尾电流振荡有很好的抑制作用。
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公开(公告)号：CN110927548A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911137416.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统，其特征在于，所述系统包括：电源装置、辅助IGBT器件、辅助IGBT器件对应的驱动单元、被测功率半导体器件和被测功率半导体器件对应的驱动单元。本发明提供的技术方案能够准确快速的对被测功率半导体器件进行浪涌电流承受能力检测，满足了电力系统用功率半导体器件不同波形的浪涌电流测试需求。
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公开(公告)号：CN108897915A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810546483.3
申请日：2018-10-08
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片矩阵模型自动生成方法及系统，包括：获取IGBT芯片矩阵模板中IGBT芯片结构及连接关系建立IGBT芯片模型；通过IGBT芯片模板中的信息采集模型读取所述IGBT芯片模板中各电路元件的特性参数；基于所述特性参数对所述IGBT芯片模型进行配置；对配置后的IGBT芯片模型进行封装，生成IGBT芯片矩阵模型。本发明提供的技术方案实现了上百个芯片的自动摆放，节省了大量的时间的精力，芯片的自动生成代替了工作中大量的重复人工劳动，解决了手动建模容易出错的问题，同时开发了专用程序，IGBT芯片矩阵模型通过应用程序实现了IGBT内部均流特性的快速验证。
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公开(公告)号：CN108428677A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810218535.4
申请日：2018-03-16
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种压接型IGBT弹性压装结构及压接型IGBT封装结构，通过对子单元数量的增减、排列组合，可以使IGBT弹性压装结构或总的IGBT器件承受不同等级的电流。芯片能够在作用在子单元上的工况压力和所述弹簧组件的标准压力的作用下往复运动并正常工作。在工作状态下，此时散热器将压靠在子单元上，散热器给子单元一定的工况压力，所述子单元当受到正常工况压力时，所述子单元的集电极大钼片发生靠近或贴靠在壳体表面的运动。当工况压力大于弹簧组件的标准压力时，壳体和弹簧组件配合使用，避免过多的压力转移到芯片上，可有效降低由于芯片厚度不均导致在芯片上出现的应力集中、热膨胀过应力问题，显著提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN110148574B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201910424721.8
申请日：2019-05-21
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明通过提供一种芯片压接结构及半导体封装结构，该压接结构包括汇流底板，具有至少一个导向通孔；至少一个顶压导杆，分别与所述导向通孔一一对应设置，通过导电压簧与所述汇流底板导电连接，在外部压力和所述导电压簧的弹力的压力差作用下，具有穿入所述导向通孔的第一状态和复位的第二状态；所述导电压簧连接端面为平面。本发明提供了一种芯片压接结构及半导体封装结构，通过设置导电压簧，补偿了芯片厚度不一致及结构加工引起的尺寸误差，使各芯片压力基本一致，提高了封装可靠性。
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