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公开(公告)号：CN116631555A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310394048.4
申请日：2023-04-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供的一种患者病历数据的处理方法、装置、电子设备及存储介质，通过患者表示矩阵根据预先构建的表型矩阵和患者表示矩阵，得到表型概率矩阵；根据所述表型概率矩阵对所述表型矩阵进行采样，得到表型均值矩阵；根据所述表型均值矩阵和所述患者表示矩阵，得到表型标准差矩阵；根据所述表型均值矩阵和所述表型标准差矩阵构建表型分布矩阵；对所述表型分布矩阵进行采样，得到个性化聚类的患者表示矩阵。通过本发明能够将患者的表征聚类到不同的表型，从而告诉预测过程中最重要的表型。与一般的表示学习模型相比，本发明具有具有更强的表示学习能力，从而可以处理更加复杂且实时变化的患者健康状况。本发明能够应用于数据处理技术领域。
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公开(公告)号：CN111506344B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202010148974.X
申请日：2020-03-05
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06F9/30 , G06F13/28 , G06N3/0464 , G06T1/20 , G06T1/60
Abstract: 本申请实施例属于深度学习硬件架构技术领域，涉及一种基于脉动阵列架构的深度学习硬件系统，系统包括：数据输入及处理子系统，用于接收、存储数据并对数据进行处理，所述数据包括特征图数据、卷积核数据、配置指令数据；脉动阵列计算子系统，用于对所述特征图数据和卷积核数据进行逐行卷积运算并输出运算结果；控制子系统，用于根据所述配置指令数据控制所述脉动阵列计算子系统。脉动阵列计算子系统在控制子系统根据配置指令数据的配置和控制下进行特征图数据和卷积核数据的逐行并行卷积运算，直到特征图的最后一行，卷积运算过程中的数据搬运均发生在脉动阵列计算子系统的脉动阵列内部，降低了系统的功耗，且并行运算提高系统的计算速度。
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公开(公告)号：CN116342195A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310175181.0
申请日：2023-02-27
Applicant: 北京大学
IPC: G06Q30/0273 , G06Q30/0242
Abstract: 本发明涉及人工智能技术领域，提供一种实时竞价广告的竞价策略确定方法、装置、设备和介质。其中方法包括：获取当前时刻的状态信息，状态信息用于限制待竞价的实时竞价广告的竞价策略；将状态信息输入至回报结果预测模型，得到回报结果预测模型输出的回报结果，回报结果包括多个竞价策略对应的奖励结果，任一奖励结果用于表征实时竞价广告的收益；基于回报结果，从多个竞价策略中确定出目标竞价策略；其中，回报结果预测模型是基于第一样本状态信息和第一样本状态信息对应的样本回报结果训练得到的，样本回报结果包括多个第一样本竞价策略对应的第一样本奖励结果。本发明可以提高竞价策略的确定准确性，进而提高广告收益率和广告竞价胜率。
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公开(公告)号：CN113013250B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110205068.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/34 , H01L21/443
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法，属于微电子器件领域。该场效应晶体管包括衬底、栅电极、金属‑绝缘层电介质、有源层和源/漏电极，栅电极位于衬底之上，金属‑绝缘层电介质位于栅电极之上，有源层位于金属‑绝缘层电介质之上,源/漏电极位于有源层之上，所述金属‑绝缘层电介质结构采用氧化铝/钛/氧化铝的三明治结构，所述氧化铝薄膜厚度分别为10‑100纳米，钛薄膜为金属钛薄膜或氧化钛薄膜，所述钛薄膜厚度为10‑100纳米。本发明提出了一种用于微电子器件的新型high‑k电介质材料，该金属‑绝缘层混合电介质采用磁控溅射和原子层淀积工艺制备，步骤简单、成本低，具有实际应用潜力。
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公开(公告)号：CN111585546B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010274643.0
申请日：2020-04-09
Applicant: 北京大学
IPC: H03K3/0233 , H03K19/0185
Abstract: 本发明实施例提供基于阻变存储器的非挥发性锁存器电路及操作方法，电路包括：第一传输门TG1、第二传输门TG2、第一双稳态电路、第二双稳态电路、第一选通管T1、第二选通管T2和RRAM；TG1输入端连接数据信号，TG1输出端分别连接第一双稳态电路的输入端和TG2的输入端；TG2输出端分别连接T1的源极、RRAM的顶电极端、第二双稳态电路的输入端和第二输出端；第二双稳态电路的第一输出端分别连接T2的源极和RRAM的底电极端；T1和T2的栅极分别连接CLK，T1的漏极连接第一双稳态电路的第二输出端，T2的漏极连接第一双稳态电路的第一输出端。可解决当外接偏置电压关闭时锁存器内部电平信号会丢失的问题。
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公开(公告)号：CN114093438A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111263213.X
申请日：2021-10-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态库网络时序信息处理方法。该方法利用具有高电子迁移率且性质稳定的层状二维材料Bi2O2Se作为有效层沟道制备背栅场效应晶体管结构的多模态光热传感器，根据该器件对电脉冲、光脉冲、升温脉冲和降温脉冲的高维度、非线性的记忆衰退特性，实现了多模态库网络设计，通过该多模态库网络处理时序信息，训练成本低，且效率高、精度高。
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公开(公告)号：CN113964019A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111186030.2
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的台阶状垂直方向器件及其制备方法和应用。所述基于Bi2O2Se的台阶状垂直方向两端器件是通过选择性腐蚀硅/高k衬底上的Bi2O2Se层状二维材料形成台阶，并在台阶上下分别制备顶电极和底电极而获得的。利用该两端器件成功测试了Bi2O2Se二维材料垂直方向上的电流输运特性，并做变温测试和模型拟合，得到垂直方向上Se空位的移动以及Poole‑Frenkel发射电流机制。
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公开(公告)号：CN113644193A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110727631.3
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种阻变存储器件的制备方法、装置、电子设备和存储介质，其中方法包括：在经过热氧化处理后的硅片上采用射频磁控溅射方式，制备得到阻变存储器件的衬底；在衬底上采用直流溅射方式，制备得到阻变存储器件的底电极；在底电极上采用PECVD工艺淀积预设厚度的二氧化硅，得到阻变存储器件的阻变介质层，并通过调节PECVD工艺的射频功率调控阻变介质层中缺陷的含量；在阻变介质层上采用直流溅射方式，制备得到阻变存储器件的活性电极；在活性电极上采用直流溅射方式，制备得到阻变存储器件的顶电极。本发明能够通过调节PECVD工艺的射频功率调控阻变介质层中缺陷的含量，制备出满足特定驱动电流或特定功耗的阻变存储器。
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公开(公告)号：CN113486200A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110783460.6
申请日：2021-07-12
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06F16/532 , G06N3/02
Abstract: 本发明提供一种稀疏神经网络的数据处理方法、处理器和系统，获取由所述稀疏神经网络的稀疏数据转换得到的稠密数据；将所述稠密数据中的权重数据和输入特征图进行通道匹配，将通道相同的权重数据和输入特征图匹配成对，得到和权重数据匹配的输入特征图的索引值；对匹配的权重‑输入特征图数据对进行PE阵列计算。实现了同时挖掘各特征图和权值数据的稀疏性，减少存储空间和运算量，降低系统延时并提高系统吞吐率。
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