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公开(公告)号：CN104900497A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510331057.4
申请日：2015-06-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/205 , H01L33/40
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02491 , H01L21/02499 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L33/40 , H01L2933/0016
Abstract: 一种在非金属衬底上直接生长石墨烯的方法，属于半导体材料生长技术领域。目前在非金属衬底上进行石墨烯的生长需要先将石墨烯生长在金属衬底上，再通过转移的方法将其转移到目标衬底上。这种方法关键的缺陷是转移过程中的非理想因素，即石墨烯的完整性可能被破坏从而进一步影响所制造器件的性能。通过在非金属衬底上溅射一层几纳米厚的金属层，就可以直接在非金属衬底上进行石墨烯的生长，有效地避免了转移过程可能带来的问题，极大地简化了工艺流程。
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公开(公告)号：CN104392945A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410602373.6
申请日：2014-10-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/66 , H01L21/205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L29/66477
Abstract: 一种基于场效应估算CVD方法生长在铜箔上的石墨烯迁移率的方法，属于半导体技术领域。通过测量以石墨烯为沟道的背栅场效应晶体管中源漏电流随栅压的变化，来估算石墨烯的迁移率，石墨烯的转移过程在制作电极之后，不仅避免了制作电极对石墨烯的损伤，同时也避免了光刻过程中光刻胶对石墨烯的影响，石墨烯转移之后不需要进行光刻，不仅简化了一步工艺步骤，降低了成本，而且也避免了光刻对石墨烯的影响。
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公开(公告)号：CN102636261B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201210130399.6
申请日：2012-04-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明用于半导体光电子信息技术领域，具体涉及一种基于微动元调制GaN？HEMT沟道电流的红外探测器。其特征在于：所述探测器的结构依次包括：GaN/AlGaN？HEMT器件，微动元件，光波吸收辅助层，充气腔，衬底，吸收光波气体，窗口层；微动元件与HEMT沟道连接，充气腔内的吸收光波气体和光波吸收辅助层吸收光波后，发生形变，推动微动元件位移，微动元件的位移诱导GaN？HEMT沟道电流变化，使光波信号转变成电信号被探测。本发明实现GaN基力-电耦合红外探测器的高灵敏性和高可靠性。
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公开(公告)号：CN102868091A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210338837.8
申请日：2012-09-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种应用石墨烯表面电流扩展层的大功率面发射激光器，属于半导体光电子技术领域。包括下电极10，N型衬底2，N型分布布拉格反射镜31，有源层4，电流限制层5，P型分布布拉格反射镜32，欧姆接触层6，石墨烯电流扩展层7，上电极11。利用石墨烯薄膜的高导电性，良好的透光率及导热性来用作顶发射型垂直腔面发射激光器的表面电流扩展层，提高大功率垂直腔面发射激光器性能。解决之前电流扩展差，电流注入拥挤的问题。而石墨烯在紫外和近红外区透光率远高于常用的氧化铟锡透明导电膜（ITO），其纳米级的厚度也不会给器件带来有关光干涉的影响。
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公开(公告)号：CN101975554B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201010298989.0
申请日：2010-09-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01B11/08
Abstract: 本发明涉及一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法，属于半导体光电子技术领域。所述测定方法可测量观看所有波段面的发射激光器，并可以测定各种面发射半导体激光器电流限制孔，包括可测量长度的刻度显微镜，测定时，首先将待测半导体激光器施加小电流观察，直到半导体激光器出现微弱荧光，便可看到激光器电流限制孔形状光斑，然后用刻度显微镜观察测量光斑尺寸，即可测定电流限制孔孔径尺寸；所述测定方法对于改善模式特性的光子晶体垂直腔面发射激光器、分布孔激光器，可实现刻蚀缺陷孔即出光孔与电流限制孔的相对位置对准观察，并可随时测定电流限制孔形状，不受波长范围影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101038213A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710065409.1
申请日：2007-04-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01J5/38
Abstract: 本发明涉及一种双腔平衡式气动室温红外探测器，属于探测器领域。包括吸收腔(10)、覆盖于吸收腔上的红外窗口(2)、在吸收腔壳体上的敏感薄膜(6)以及检测敏感薄膜形变的元件(14)，特征在于：在敏感薄膜(6)的另一侧设置平衡腔(11)，吸收腔(10)与平衡腔(11)内的气体的压强相同。其中，检测敏感薄膜形变的元件(14)设置在吸收腔内或平衡腔内，为可变电容(4)，或者是由隧道尖端(9)和敏感薄膜(6)构成的元件。本发明结构简单、有极好的温度、压强特性，可以在很宽的温度、压强范围正常工作。同时也屏蔽了气流等对器件的影响，提高了探测器的性能。
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公开(公告)号：CN1945862A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610114080.9
申请日：2006-10-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 高提取效率的半导体发光二极管结构及其制备方法属于光电子器件制造技术领域，适合于多种波长的半导体LED。现有LED虽然内量子效率高，但是外量子效率很低，只有很少的一部分光子能够从LED出射。本发明提出在LED外延片上生长ITO透明导电膜与SixNy介质膜组成的复合增透膜结构，ITO透明导电膜的光学厚度为二分之一LED发射波长的整数倍，SixNy介质膜的光学厚度为四分之一LED发射波长的奇数倍，SixNy介质膜的折射率是LED外延片最上层半导体材料的折射率的开方。这种设计能够在实现好的电流扩展的同时，将界面反射率降到最低来实现最佳增透作用，极大的提高外量子效率，使得光强增加了130％以上。
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公开(公告)号：CN1812146A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510132116.1
申请日：2005-12-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明属于光电子器件领域。传统结构光提取效率低，热可靠性差，绝缘层一次生长完成，易造成PN结漏电。结构包括：P电极加厚电极(1)，高反镜保护层(2)，金属高反镜(3)，N电极(4)，N型半导体(5)，多量子阱有源区MQW(6)，P型半导体(7)，P电极欧姆接触层(8)，N电极加厚电极(9)，衬底(10)；由P型半导体，多量子阱有源区MQW，N型半导体构成LED台；其特征在于：LED台侧壁上有透明绝缘层(11)；台上表面小于下表面面积；LED台侧壁与竖直面成锐角；金属高反镜覆盖在P电极欧姆接触层上，并延展覆盖在透明绝缘层上，但不与N电极接触；金属高反镜、透明绝缘层和LED台三者折射率大小排列为高低高。本发明解决了LED侧面出光，不能有效提取器件所发出的光问题，防止PN结氧化。
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公开(公告)号：CN1588617A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410074342.4
申请日：2004-09-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 硅片低温直接键合方法，属半导体直接键合领域。现有技术处理过的硅片仍需450℃以上的热处理，而高温会改变硅片的杂质分布，热膨胀会带来应力，损伤硅片上的微细结构，有IC存在并有铝引线时，温度超过铝硅共晶点引起器件失效。本发明表面处理过程为：先将系统抽成真空，然后充入等离子体对硅片进行处理：等离子体为纯CF4气体或体积比为100∶1～1∶20的CF4与O2的混合气体，处理时间为5～20分钟，温度为20～300℃，电源功率密度控制在2.5～10W/Cm2。可使表面层原子处于高能量状态，提高表面层吸附的OH－的能力，对硅片进行抛光，提高硅片的表面质量，从而提高贴合的效果。在100～300℃的热处理温度下，获得较高的键合质量，减轻了对硅片上杂质分布及微细结构的影响。
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公开(公告)号：CN119009673A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411073519.2
申请日：2024-08-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种幅度相位联合调制编码超表面垂直腔面发射激光器，由垂直腔面发射激光器(Vertical‑Cavity Surface‑Emitting Laser，VCSEL)和幅度相位联合调制超表面两部分组成。通过在VCSEL的出光口制备高质量纳米光学超表面结构，实现超表面与VCSEL激光器的一体化设计。通过调整超表面单元旋转角度和几何尺寸，能够同时对透射激光的相位和幅度的准确调控，且相位与幅度相互独立。通过合理设计超表面的相位和幅度响应分布，可以激光器背出射面实现多平面高质量全息成像，有效地推进集成式超表面激光器的发展，提高了超表面激光器对激光的有效控制，在无线通信、雷达、成像、信号处理等领域都有重要的应用前景。
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