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公开(公告)号：CN103280541A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310193868.3
申请日：2013-05-23
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种在CVD石墨烯上制备柔性器件和柔性衬底的工艺方法，属于基于纳米碳（石墨烯）的柔性电子技术领域。在石墨烯层上制备柔性电子器件功能结构，石墨烯层是用CVD生长在金属催化剂衬底片上的，然后在柔性电子器件功能结构上制备柔性衬底；采用电化学鼓泡法使金属催化剂衬底片与石墨烯层分离：在电解槽中，将上述石墨烯的产品作为阴极，进行水的直流电解，在电解液的辅助下于阴极产生的氢气泡渗入金属催化剂衬底片与石墨烯层的界面间，最终分开；最后在表面涂覆石墨烯钝化层。本发明缩短了工艺流程、降低了成本，减小了对环境的重金属污染。
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公开(公告)号：CN102903831A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210151371.0
申请日：2012-05-15
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L33/50 , H01L25/075 , H01L33/00
CPC分类号： H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种LED的结构及制备工艺，属于LED封装领域。其包括蓝光LED芯片（5）、具有独立电极的LED支架（1），雅格晶体（7）位于LED芯片（5）的上方，雅格晶体（7）与支架（1）通过透明胶水（6）连接，芯片（5）被固定于支架内（1）。所述的本发明提供的一种LED的结构及制备工艺，所述蓝光LED芯片（5）发出的蓝光激发雅格晶体（7），使雅格晶体（7）发出黄光而形成白光，避免了在制造过程中使用传统荧光粉，减少了一次胶水烘烤，避免了因使用过程中荧光粉退化带来的色温和显色指数变化，同时雅阁晶体的温度特性优于荧光粉，也使得LED的热性能大幅度提高。本发明简化传统荧光粉白光LED的制造工艺，而且减少了胶水的使用量和制造时间，大幅度降低了成本。
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公开(公告)号：CN102636261A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210130399.6
申请日：2012-04-27
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： G01J1/42
摘要： 本发明用于半导体光电子信息技术领域，具体涉及一种基于微动元调制GaN HEMT沟道电流的红外探测器。其特征在于：所述探测器的结构依次包括：GaN/AlGaN HEMT器件，微动元件，光波吸收辅助层，充气腔，衬底，吸收光波气体，窗口层；微动元件与HEMT沟道连接，充气腔内的吸收光波气体和光波吸收辅助层吸收光波后，发生形变，推动微动元件位移，微动元件的位移诱导GaN HEMT沟道电流变化，使光波信号转变成电信号被探测。本发明实现GaN基力-电耦合红外探测器的高灵敏性和高可靠性。
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公开(公告)号：CN1490888A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03157152.2
申请日：2003-09-17
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/0016
摘要： 高效高亮度多有源区隧道再生白光半导体发光二极管(LED)，属于半导体光电子技术领域，涉及一种发光二极管。本发明包括有依次纵向层叠的p型电极(1)，红色发光单元(14)，隧道结(9)，由绿色发光单元(15)、蓝色发光单元(16)、及绿色发光单元与蓝色发光单元之间的隧道结(9)或者由蓝绿色发光单元(19)构成的下层芯片(17)，n型电极(13)，还包括有设在红色发光单元和与其相邻的隧道结(9)之间的或者设在下层芯片(17)和与其相邻的隧道结(9)之间的芯片键合层(8)。本发明的发光二极管是一次电光转换，发光效率高，由于材料为半导体材料，比基于荧光粉的器件的可靠性高，寿命长，色度逼真。
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公开(公告)号：CN1079586C
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN99100397.7
申请日：1999-01-28
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法，属于半导体光电子技术领域，其特征是发光二极管中的发光区由多个重复排列的单元大发光区构成，每一个单元大发光区包括前级发光区和后级发光区以及位于前后两级发光区之间的P+-N+隧道结。多级发光区通过各级间的隧道结为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道，从而成倍地提高器件的量子效率和亮度。该发光二极管能提供高亮度半导体光源，用于光显示、交通信号灯、汽车头尾灯等领域。
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公开(公告)号：CN110611017B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201910879324.X
申请日：2019-09-18
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开了一种氮化镓上生长石墨烯提高LED透明导电及散热性的方法，通过在蓝宝石基的蓝光LED外延片的p型氮化镓表面淀积超薄铂做催化剂，选用乙炔作为碳源，利用等离子增强技术，低温环境中在p型氮化镓表面直接生长石墨烯。最后，利用超薄铂与石墨烯共同组成的透明导电层来增强LED表面的电流扩展和散热。该发明中，石墨烯在LED表面直接生长得到，无需转移，器件制备效率大幅提高，工艺流程大幅简化。该发明有望推动石墨烯透明导电薄膜在蓝光LED衬底上的商业应用。
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公开(公告)号：CN110611017A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910879324.X
申请日：2019-09-18
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开了一种氮化镓上生长石墨烯提高LED透明导电及散热性的方法，通过在蓝宝石基的蓝光LED外延片的p型氮化镓表面淀积超薄铂做催化剂，选用乙炔作为碳源，利用等离子增强技术，低温环境中在p型氮化镓表面直接生长石墨烯。最后，利用超薄铂与石墨烯共同组成的透明导电层来增强LED表面的电流扩展和散热。该发明中，石墨烯在LED表面直接生长得到，无需转移，器件制备效率大幅提高，工艺流程大幅简化。该发明有望推动石墨烯透明导电薄膜在蓝光LED衬底上的商业应用。
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公开(公告)号：CN102157507B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201110027068.5
申请日：2011-01-25
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/00 , H05B37/02
摘要： 本发明涉及一种LED集成模块的封装结构及其制备工艺，其包括红光LED芯片7和蓝光LED芯片8、具有独立电极3、4、5的LED支架1、陶瓷基板6、荧光粉10、硅胶11，红色LED芯片7和蓝色LED芯片8被固定与LED支架1内，在芯片上均匀涂覆荧光粉10和硅胶11。本发明提供的一种色温和显色指数可调的白光LED集成模块，可以在需要不同的色温时和显色指数的环境下，随时调整红光LED芯片的亮度来实现色温和显色指数的改变，不必使用多个独立的不同色温的LED集成模块，从而能简化灯具的设计，而且减少了荧光粉的使用量，减少了控制电源的数量，大幅度降低了成本。
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公开(公告)号：CN102916029A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210397580.3
申请日：2012-10-18
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种高压发光二极管，属于半导体光电子器件领域。其高压发光二极管的主要结构依次包括：电极、第一接触层、有源区、第二接触层、隔离槽、绝缘保护层、缓冲层、衬底组成的LED结构。其采用外延生长法得到绝缘保护层；采用ICP干法刻蚀第一接触层，直至绝缘保护层，形成隔离槽，将LED独立绝缘开来；最后溅射金属进行串联，形成发光二极管阵列。本发明取代原有的刻蚀至衬底的方法，大大降低了隔离槽的深度，解决了绝缘保护层良好包覆在隔离槽侧壁的问题，使器件的制备不必采用深刻蚀工艺。
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公开(公告)号：CN102545052A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210060694.9
申请日：2012-03-09
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01S5/22
摘要： 一种具有光栅结构的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、下层N型电极，其中光栅结构生长在脊形台上，制作过程采用光刻工艺；划片后，将芯片烧结在铜热沉上，封装固定在散热基座上。此结构中脊形台上光栅结构的引入抑制了注入到有源层载流子的侧向扩散，提高有源区载流子分布的均匀性，从而降低半导体激光器的阈值电流。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好。
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