-
公开(公告)号:CN111025133B
公开(公告)日:2022-02-22
申请号:CN201911019101.2
申请日:2019-10-24
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号: G01R31/317 , G01R31/3181
摘要: 本发明涉及一种二阶Booth编码Wallace树乘法器电路的测试方法:S1、获取乘法器结构;S2、生成用于测试部分积产生电路的测试向量集合;S3、生成用于部分积压缩电路的测试向量集合:遍历部分积压缩电路中所有的压缩器单元的所有输入,得到部分积阵列输出的集合;根据乘法器拓扑结构,将部分积阵列输出的集合中的每个部分积阵列输出转换成乘法器的原始输入,从而得到用于测试部分积压缩电路的测试向量集合;S4、对比用于部分积产生电路和部分积压缩电路的测试向量,去除重复的测试向量,得到最终的测试向量集输入到乘法器中进行测试验证;S5、采用伪随机码测试方法,对最终求和电路部分的测试。本发明采用较少的测试向量,实现较高的测试覆盖率。
-
公开(公告)号:CN113886166A
公开(公告)日:2022-01-04
申请号:CN202111015082.3
申请日:2021-08-31
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号: G06F11/267 , G06F11/22
摘要: 本发明公开了一种用于可编程逻辑中可变位宽存储器的自动测试电路,包括地址数据产生器、位宽选择器和可变位宽比较器;地址数据产生器用于自动产生15位顺序可自动翻转地址信号和数据、写使能信号,并传输给位宽选择器;位宽选择器接收到来自地址数据产生器的信号后,根据位宽选择情况对接收到的信号进行转换,并将转换后的信号传输至每一个待测存储器;可变位宽比较器用于接收来自待测存储器的输出数据信号,根据选择的位宽对信号进行转换,并将转换后的信号进行比较,得到测试结果后输出结果。本发明能够使用较少的电路结构,实现对可编程逻辑内嵌存储器的自动全遍历测试,并可根据存储器宽度选择适合的位宽进行测试,具备较高的测试效率和灵活性。
-
公开(公告)号:CN108335708B
公开(公告)日:2021-04-13
申请号:CN201810139176.3
申请日:2018-02-11
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要: 一种单粒子加固的可编程双倍数据率寄存器电路及控制方法,通过对传统锁存器采用双冗余互锁结构的电路实现寄存器存储单元的单粒子加固设计,在此基础上通过加入时钟产生电路、数据多路器和数据保持电路,来控制多个双冗余互锁结构寄存器时序能够实现多种模式的双倍数据率寄存器功能。本发明单粒子加固指标比传统寄存器提高三个数量级,并且可以实现电平锁存器、单倍数据率边沿触发器、反沿模式双倍数据率边沿触发器和同沿模式双倍数据率边沿触发器等可编程功能,使用户在使用可编程用户寄存器时具有更高的灵活性、更好的时序性能和极高的抗单粒子加固指标。
-
公开(公告)号:CN112600547A
公开(公告)日:2021-04-02
申请号:CN202011439450.2
申请日:2020-12-07
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号: H03K19/017 , H03K19/0185
摘要: 一种宽范围输入输出接口电路,属于集成电路领域;作为输出接口的情况下,利用辅助电压产生单元(103)的开启与关闭,通过双模式电平转换单元,使输出驱动单元(101)中PMOS晶体管栅源电压等于内核工作电源电压;作为输入接口的情况下,利用辅助电压产生单元(103)的开启与关闭,通过耐压输入缓冲器单元(104)和耐压输入缓冲器单元(105)的开启与关闭,使耐压输入缓冲器单元(104)中PMOS晶体管栅源电压等于输入输出接口电源电压。
-
公开(公告)号:CN108335708A
公开(公告)日:2018-07-27
申请号:CN201810139176.3
申请日:2018-02-11
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要: 一种单粒子加固的可编程双倍数据率寄存器电路及控制方法,通过对传统锁存器采用双冗余互锁结构的电路实现寄存器存储单元的单粒子加固设计,在此基础上通过加入时钟产生电路、数据多路器和数据保持电路,来控制多个双冗余互锁结构寄存器时序能够实现多种模式的双倍数据率寄存器功能。本发明单粒子加固指标比传统寄存器提高三个数量级,并且可以实现电平锁存器、单倍数据率边沿触发器、反沿模式双倍数据率边沿触发器和同沿模式双倍数据率边沿触发器等可编程功能,使用户在使用可编程用户寄存器时具有更高的灵活性、更好的时序性能和极高的抗单粒子加固指标。
-
公开(公告)号:CN117789780A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202311465910.2
申请日:2023-11-06
申请人: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
摘要: 一种片上大容量双端口同步存储器,包括端口控制器、时钟控制器、地址译码器、读写控制器、三个存储阵列、一个带时钟反馈的存储阵列。端口控制器接收两个端口的输入数据、地址、写使能等信号,将其转换为内部信号,将内部输出信号转换为两个端口输出数据;时钟控制器用于接收时钟,产生内部时钟;地址译码器用于将内部地址信号转换为字线驱动信号和读写控制信号;读写控制器用于接收读写控制信号,将内部输入信号写入存储阵列,或将存储阵列中的数据读出为内部输出信号;四个存储阵列用于存储数据,同时提供时钟反馈通路。本发明能够内部产生时序信号,实现两个端口同步读写,具有灵活、面积小、大容量等优点,可实现片上海量数据缓存等应用场景。
-
公开(公告)号:CN115616389A
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202211177013.7
申请日:2022-09-26
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号: G01R31/3185
摘要: 一种基于扫描链的抗辐照FPGA中可编程逻辑块的测试方法。包括对可编程逻辑块中寄存器、LUT以及MUX的测试。对于寄存器的测试可以直接将其变成扫描寄存器,再通过扫描链进行测试。对于LUT的测试,测试输入利用外围互联线连接到外部IO,测试输出利用逻辑单元中的寄存器捕获串行移到片外。对于寄存器后MUX的测试,利用外部互连线将MUX的输出连接到LUT的输入端。利用测试点捕获输出并串行移到片外。本发明采用的插入扫描链的测试方法只会增加额外的引脚并没有改变原有的电路结构,可以同时对多个寄存器故障定位,在测试电路中使用抗单粒子翻转的加固触发器以及加固SRAM。更好的满足用户对产品连续不间断稳定运行的要求。
-
公开(公告)号:CN108712166B
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN201810161906.X
申请日:2018-02-27
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号: H03K19/0185 , H03K19/0175
摘要: 一种自适应电平转换电路,当高电压电源输出电压不低于设定阈值时,仅开启宽范围电平转换单元,当高电压电源输出电压低于设定阈值时,再开启加速电平转换单元,宽范围电平转换单元和加速电平转换单元分别控制输出驱动单元输出与输入数据A的逻辑对应的逻辑电压。通过使用宽范围电平转换单元与加速电平转换单元的结合来满足多种电源电压对电平转换电路的需求,通过使用电源电压比较器可以动态控制加速电平转换单元,来实现不同电源电压下自适应的电平转换能力。本发明与传统电平转换电路相比,能够提供更大的电源电压转换范围,同时在不同的电源电压环境下能够提供更高的转换速度。
-
公开(公告)号:CN110931074B
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN201911167032.X
申请日:2019-11-25
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要: 一种用于抗单粒子翻转存储器的可选位宽纠检错电路,包括纠检错编码模块和纠检错解码模块;纠检错编码模块能够对11~64位宽的输入数据进行校验码编码操作,生成用于对数据进行纠检错的8位校验码,和输入数据一起输出给纠检错解码模块;纠检错解码模块对数据信号进行解码校验,当数据信号中存在一位错误时输出一位错误提示以及错误位置,并对错误进行纠正,当数据信号中存在两位错误时输出两位错误提示。本发明能够使用较少电路面积,在不占用过多的数据位宽前提下实现对11~64位数据的校验和纠检错,配合耐多位单粒子翻转的存储器结构实现对存储器抗单粒子翻转指标的提升,并可根据用户需求选择启用纠错和检错功能或只启用其中之一,实现更好的灵活性。
-
公开(公告)号:CN112650139A
公开(公告)日:2021-04-13
申请号:CN202011459833.6
申请日:2020-12-11
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号: G05B19/05
摘要: 一种面向DDR3存储协议的时钟控制器及控制方法,摒弃传统的时钟控制电路,采用负反馈结构减少时钟受工艺、温度、噪声引起的影响,结构包括数字延时锁相环、镜像对称延时链、格雷码相位选择器、格雷码相位插值器实现对时钟的精准控制、较低的相位误差和较少的锁定时间。本发明面向DDR3存储协议的时钟控制器可以实现DDR3时钟的64级TAP的精准延时,保证采样时钟延迟数据有效窗口的中心位置,提高高频时钟采样的稳定性和可靠性,时钟最高频率最高可达到800MHz。
-
-
-
-
-
-
-
-
-