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公开(公告)号：CN103985653B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201310271765.4
申请日：2013-02-07
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶片应力测量方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括步骤1：测量沿X方向的各入射光束被晶片反射后的沿X方向的光斑偏移量，旋转样品托盘，使晶片旋转，测量各入射光束在晶片上沿Y方向扫描时，各入射点沿Y方向的光斑偏移量；步骤2：通过沿X方向的各入射光束的光斑偏移量，计算出晶片沿X方向的曲率半径，通过沿Y方向的各入射点的光斑偏移量，计算出晶片沿Y方向的曲率半径；步骤3：根据式1）计算出应力； 应用该测量装置及测量方法能够同时测量晶片X方向及Y方向应力的晶片应力。
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公开(公告)号：CN104697972A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310646667.4
申请日：2013-12-04
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种在线实时检测外延片生长的方法，属于半导体材料制造设备技术领域。该方法根据各外延片对应的实时拉曼散射光谱数据，实时分析各外延片带隙、微结构、组分信息，并实时反馈各外延片的波长偏差，从而在线实时检测各外延片的生长信息。该方法参数易协调一致且实时检测数据量明显降低，应用本发明提供的在线实时检测外延片生长的方法能够减小外延片质量差及报废带来的损失。
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公开(公告)号：CN104089703A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410325405.2
申请日：2014-07-09
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体薄膜反应腔辅助温度校准装置，属于半导体制造领域。该装置能够将光源的光强调节到P0，由于P0对应的黑体炉靶心的温度为T0，因此，可以将光源等效为一个温度为T0的热辐射源，此时，由温度探测装置探测到的光源透过狭缝窗口后光线的光强的最大值P0＇等效为半导体薄膜反应腔内温度T0时的热辐射强度。应用该半导体薄膜反应腔辅助温度校准装置时，相当于在已知T0和P0＇的条件下，对半导体薄膜反应腔的测温装置进行校准。因此，该光源能够模拟温度为T0时的黑体辐射P0＇，为半导体薄膜反应腔温度校准提供支持。
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公开(公告)号：CN104697639B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201310655598.3
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01J5/00
摘要： 本发明公开了一种MOCVD设备实时测温系统自校准装置及方法，属于半导体制造技术领域。该装置包括MOCVD反应腔及光学探测器，MOCVD反应腔包括外延片，MOCVD反应腔的顶部设有探测窗口，光学探测器通过探测窗口向外延片发出波长分别为λ1和λ2的探测光束，光束外延片反射后形成的反射光束由光学探测部分探测。该方法根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值‑温度曲线上描出与实际热辐射比值对应的点；将点对应的温度T的值代入公式，分别得到校准系数m1和m2。该方法及装置实现了MOCVD设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。
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公开(公告)号：CN104697636B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201310654540.7
申请日：2013-12-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准装置，属于半导体制造技术领域。该装置包括实际热辐射比值获取单元和校准系数计算单元，实际热辐射比值获取单元用于获取实际热辐射比值；校准系数计算单元根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值‑温度曲线上与实际热辐射比值对应的点，并将该点对应的温度T的值代入公式，分别得到校准系数m1和m2。该装置能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2，从而实现了薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。
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公开(公告)号：CN105091787B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201410189094.1
申请日：2014-05-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01B11/245
摘要： 本发明公开了一种实时快速检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置包括N个PSD，N束激光和第一分光元件，N束激光沿直线排布，其中，N为3以上的自然数，N个PSD与N束激光一一对应，N束激光首先射向第一分光元件，经过第一分光元件后形成入射光，入射光入射到晶片基底上，并在晶片基底上沿径向形成N个入射点，入射光被基底反射后形成N束第一种反射光束，各第一种反射光束经过第一分光元件透射后，入射到与N束激光相对应的PSD上，形成N个光斑。该装置能够与高速旋转的石墨盘上的蓝宝石基底相适应。
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公开(公告)号：CN105091777B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201410188243.2
申请日：2014-05-06
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01B11/24
摘要： 本发明公开了一种实时快速检测晶片基底二维形貌的方法。该方法包括以下步骤：令N束激光沿晶片基底径向即X方向入射到晶片基底后又分别反射到与入射光一一对应的PSD上，形成N个光斑；根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测基底沿X方向的曲率CX；根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意一个入射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率CY；其中，N为3以上的自然数；根据各CX、CY的计算结果，得到基底的二维形貌。该方法包括该方法能够与高速旋转的石墨盘上的蓝宝石基底相适应。
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公开(公告)号：CN104697973B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201310648303.X
申请日：2013-12-04
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01N21/65
摘要： 本发明公开了一种外延片拉曼散射光谱数据生成方法，属于半导体材料制造设备技术领域。该方法在石墨盘旋转的情况下，通过控制采集数据的时间间隔及每个数据采集周期对应的起始外延片，可以使采集的数据遍历布设在石墨盘外周上的所有外延片，即得到布设在石墨盘外周上的所有外延片拉曼散射光谱数据，从而，本发明提供的外延片拉曼散射光谱数据生成方法能够连续、自动生成布设在石墨盘外周上的外延片拉曼散射光谱数据。
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