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公开(公告)号：CN110232234A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910481319.3
申请日：2019-06-04
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法，所述PEET振荡调节器件为绕有线圈的坡莫合金环；所述坡莫合金环为环状结构；所述线圈的第一接线端连接直流电源的第一接线端，所述线圈的第二接线端连接直流电源的第二接线端；将所述坡莫合金环套在具有产生PETT振荡功能的IGBT器件的金属电极上，通过调节所述线圈内直流电流的大小来调节所述IGBT器件产生的PETT振荡的参数。本发明可以对IGBT器件产生的PETT振荡进行调控，并放置于工业界的IGBT模块中，作为监测模块的辅助装置，在监测时调节线圈电流，以应用于后续对IGBT模块的状态监测过程。
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公开(公告)号：CN110133472A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910481839.4
申请日：2019-06-04
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/265 , G01R31/27
摘要： 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数，然后利用所述双脉冲测试电路，获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值，得到测试数据，根据测试数据确定拟合函数中的待定系数，得到拟合函数模型；然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号，并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号，获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数，实现了IGBT芯片的非接触式测量，进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。
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公开(公告)号：CN114019216B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111282131.X
申请日：2021-11-01
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明涉及一种弹性压接IGBT器件芯片电流在线测量系统，利用能够集成在弹性压接IGBT器件内部的PCB板作为测量系统的载体，PCB板上开设有多个矩形开孔，每个矩形开孔周围设置一个矩形罗氏线圈，碟簧从矩形开孔中穿过，使用矩形罗氏线圈作为测量探头测量单个芯片的电流，实现弹性压接IGBT器件内部各芯片电流的在线测量；矩形罗氏线圈包括多个依次紧密排布的矩形单匝线圈，多个矩形单匝线圈均斜向布置在矩形开孔周围，使得矩形线圈有更均匀的绕线密度，提高了测量准确度和抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN114152831A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111483879.6
申请日：2021-12-07
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明涉及一种用于压接型功率器件的测试设备，所述测试设备包括：热压机构、热压传感器组件、传动机构和控制机构。本发明通过设置热压机构、热压传感器组件、传动机构和控制机构，实现了待测试模块的自动传送、压力和温度的自动调节，提高了压接型功率器件测试设备的自动化程度。
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公开(公告)号：CN111487515A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010315877.5
申请日：2020-04-21
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明涉及一种压接式功率器件静态特性测量系统，包括由水平方向的构件和设置于竖直方向的立柱组成的框架，压力施加装置，温度施加装置。本静态特性测量装置在测试夹具中引入开尔文测试方法，排除引线的测量误差，压力施加装置与框架点接触，能够降低压力施加装置的加工需求，利用箱体进行被测器件的温度控制，在加热或降温过程中可以实现被测器件的均匀温度控制，且可以实时准确测量被测器件的温度，非常适用于不同温度和不同压力下的压接型器件静态特性的准确测量。
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公开(公告)号：CN109979846A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711460195.8
申请日：2017-12-28
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种压接式IGBT模块单面烧结一致性的方法，该方法包括：从下至上将钼片、焊片和IGBT芯片组装到烧结卡具中、组装限位销压制压片和用连续真空烧结炉烧结构，制得压接式IGBT模块单面烧结连接结构。本发明提供的制备方法用连续式真空烧结炉，能够大规模烧结芯片，极大地缩短了工序时长，效率高，速度快；本发明中提供的烧结方法将待烧结零件与卡具之间的接触关系由面接触转变为点接触，解决了烧结过程中焊料溢出损害卡具以及工件无法取出的问题，改善了烧结过程中焊料的溢出，确保了烧结后工件的高度一致性。
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公开(公告)号：CN108279333A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201711432967.7
申请日：2017-12-26
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G01R27/26
摘要： 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置，其中基于IGBT器件的电感提取方法包括如下步骤：获取待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值和第二电压值以及第二电源电压值；根据第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值，计算闭合回路的第一电感值，并根据第二电流值、第二电压值以及第二电源电压值，计算闭合回路的第二电感值；计算第一电感值和第二电感值的平均值得到闭合回路中的第三电感值。本发明通过同时计算待测IGBT器件在开通瞬态下和关断瞬态下的电感值，然后通过计算二者电感值的平均值降低提取闭合回路电感值的误差。
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公开(公告)号：CN108063096A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711129294.8
申请日：2017-11-15
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L29/739 , H01L23/488 , H01L23/373
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/3736 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L29/7393 , H01L2224/2745 , H01L2224/32501 , H01L2224/8384 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105
摘要： 本发明提供的一种半导体功率器件子模组及其生产方法及压接式IGBT模块，所述半导体功率器件子模组的生产方法包括如下步骤：S1.在钼片的镀银面上沉积AgSn薄膜焊膏；S2.将芯片通过卡具贴装在所述AgSn薄膜焊膏表面，形成待烧结结构。本发明提供的半导体功率器件子模组的生产方法，在钼片上首先沉积AgSn，AgSn具有很强导热能力，可以确保整个子模组的传热能力。
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公开(公告)号：CN108231703A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711307492.9
申请日：2017-12-11
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/522 , H01L21/50
摘要： 本发明提供一种功率器件模组及其制备方法，该功率器件模组包括：功率芯片、第一金属膜及第二金属膜，第一金属膜与第二金属膜分别设置于功率芯片的上表面和下表面，解决了现有压接型功率器件接触热阻和接触电阻较高，从而导致功率器件散热性不佳的问题，减少了功率器件模组早期失效的现象。
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公开(公告)号：CN107845617A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710846539.2
申请日：2017-09-19
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L25/16 , H01L21/603
CPC分类号： H01L25/165 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L25/162 , H01L2224/2918 , H01L2224/83203
摘要： 本发明公开了一种芯片烧结品、子单元、IGBT封装模块及制备方法。该芯片烧结品包括第一钼片和第二钼片以及设置于两者间的芯片，第一钼片和第二钼片中至少一个为预制钼片，预制钼片为表面设置预制纳米银膜的钼片，且芯片中至少一面与预制纳米银膜相接触，通过采用预制纳米银膜能有效提高后续加压烧结过程中纳米银颗粒的分布均匀性，避免“咖啡环效应”，降低了热阻。同时保证由其烧结得到的烧结层中分布均匀的纳米级孔洞，通过这些纳米级孔洞能有效降低芯片和钼片间产生的应力，提高芯片烧结品的剪切强度。采用该芯片烧结品的单元和IGBT封装模块具有低的热阻、高的剪切强度，由预制纳米银膜烧结得到的烧结层致密性高，且分布纳米级孔洞。
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