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公开(公告)号：CN110047956B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910336655.9
申请日：2019-04-25
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有挡光层的非等平面AlGaN基肖特基型紫外探测器，包括依次设置的蓝宝石衬底、缓冲层、阻挡层、掺杂层、过渡层，过渡层上设有吸收层，在吸收层上刻蚀出双台面结构，在吸收层及双台面结构上沉积钝化层，在钝化层上开窗口，窗口处设置欧姆接触层、肖特基接触层，在器件表面依次设置绝缘层a、挡光层和绝缘层b，并且开孔使欧姆接触层和肖特基接触层露出。并公开了其制备方法。本发明在缓冲层上沉积AlGaN层作为阻挡层，实现器件对具体波长范围为250‑280nm的光信号的响应；在阻挡层上沉积一层过渡层，降低了器件体内的晶格失配，可以减小器件暗电流；在器件最上层设计绝缘层a/挡光层/绝缘层b的结构，可提高器件的响应度。
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公开(公告)号：CN109841710B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201910293737.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于透明显示的GaN Micro‑LED阵列器件，将硅基GaN Micro‑LED阵列器件的硅衬底层刻蚀掉，然后在硅衬底层的位置粘合上玻璃基板。并公开其制备方法。本发明的可用于透明显示的GaN Micro‑LED阵列器件，首先在硅衬底上制备Micro‑LED阵列器件，然后利用粘结键合和刻蚀技术将器件转移到玻璃基板上。本发明通过绝缘层使得Micro‑LED阵列器件的漏电流更小，不易被氧化；使用硅衬底降低制备成本，更有利于走剥离衬底的路线；通过粘结键合、湿法腐蚀、等离子体刻蚀等方法，将GaN Micro‑LED阵列器件从硅衬底转移到了玻璃基板上，实现了背面出光，可以用于透明显示。
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公开(公告)号：CN110620042A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910908310.6
申请日：2019-09-25
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法，在生长完AlGaN/GaN HEMT结构后原位再外延一层InN保护层，当采用MOCVD再生长p-GaN栅结构时在生长系统中先将InN保护层高温蒸发掉，再外延p-GaN层，这种方法避免了AlGaN因暴露于空气中导致的C和O杂质污染，能有效降低p-GaN/AlGaN的界面态密度。同时，该方法制备HEMT器件时因不需要刻蚀p-GaN层，避免了传统方法在源漏区因不能精确控制p-GaN层的刻蚀深度而导致的高源漏接触电阻或界面损伤。
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公开(公告)号：CN110112061A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910428331.8
申请日：2019-05-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/335 , H01L29/20 , H01L29/205
Abstract: 本发明公开了一种分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在衬底上同质外延一层GaN外延层，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在GaN外延层上外延AlN插入层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在AlN插入层上外延一层AlxGa(1-x)N层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在AlxGa(1-x)N层上外延一层GaN盖帽层。本发明采用分子束外延技术在GaN外延层与AlxGa(1-x)N薄膜层之间生长不同厚度AlN插入层，能够优化AlxGa(1-x)N/AlN/GaN异质结中二维电子气低温输运的特性问题。
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公开(公告)号：CN108615797B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201810400045.6
申请日：2018-04-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层，在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层，在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列，在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。并公开了其制备方法。本发明的纳米圆台阵列相对纳米圆柱阵列而言，由于此时纳米结构的侧面不再垂直于底面，更有利于光的出射，设置于纳米圆台阵列顶部或者间隙的金属薄膜，能通过表面等离激元(SPP)的方式更进一步增强光的出射。相较于传统的常规结构和单一的垂直纳米结构，本发明能更好的增强紫外LED的发光效率，同时将几种不同的工艺结合起来，控制圆台斜面倾角，简化制备过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107706272A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710931326.X
申请日：2017-10-09
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y40/00 , H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种在化合物半导体表面制作纳米图形的方法，其步骤包括：在化合物半导体表面上制备金属薄膜，然后对基片进行高温退火处理，利用金属薄膜在高温时由于表面张力引起的自组织现象，在基片上制作金属薄膜的纳米图形，然后把金属纳米图形转移到化合物半导体表面，去除样品表面的残余金属层，在化合物半导体表面得到洁净的纳米结构。本发明公开的方法可以方便快捷的在化合物半导体表面制作纳米多孔模板，而且成本低，相较于纳米压印、铺设微球、电子束曝光等方式，有不可替代的优点；而且高温退火形成的纳米多孔图形，边界清晰，且有特征角度(60°和120°)，通过调节金属薄膜厚度和退火的温度、时间，可获得不同占空比的纳米多孔模板。
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公开(公告)号：CN107293625A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710464683.X
申请日：2017-06-19
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0029 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/24
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件，其结构自下至上依次包括：一衬底；一生长在衬底上的GaN缓冲层；一生长在GaN缓冲层上的AlN插入层；一生长在AlN插入层上的AlxGa1-xN层；并刻蚀形成贯穿AlxGa1-xN层、AlN插入层，深至GaN缓冲层的纳米柱阵列；所述纳米柱阵列中，AlxGa1-xN层的直径小于AlN插入层的直径。并公开了该AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件的制备方法。本发明利用纳米柱结构，释放异质外延薄膜中的应力，提高器件发光效率；通过改变阵列结构参数，调控光场分布，提高紫外光的抽取效率。采用优化的三层胶紫外软压印技术，可克服AlGaN外延片表面粗糙带来的缺陷，压印图形边缘平滑无锯齿，可实现大面积制备，且纳米柱阵列形状、直径大小可调，结构可转移。
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公开(公告)号：CN104807768B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510249888.7
申请日：2015-05-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种水体硝基苯含量测量装置，流通池固定在遮光箱中，两面透光，光源固定在遮光箱内表面，探测器固定在光源正下方的遮光箱内表面，超声振子放置于流通池内，蠕动泵固定在遮光箱内，将流通池内的水排出至遮光箱外，电磁阀固定在遮光箱内，连接流通池和遮光箱外界空气，水箱设置于遮光箱外，三通电磁阀连接水箱、流通池和待测水样；所述单片机用于控制所有装置。并公开了使用该装置来测量水体硝基苯含量的测量方法。本发明可以准确测量大范围、高浓度的水体硝基苯含量，测量浓度范围扩展到0‑300000ppm，且可以循环自动在线测量，超声振子可以消除难溶于水的硝基苯的挂壁效应。
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公开(公告)号：CN106206872A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610635841.9
申请日：2016-08-04
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0054 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明公开了一种Si-CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件，其结构自下至上依次包括：蓝宝石衬底、n型GaN层、InxGa1-xN/GaN量子阱有源层、p型GaN层；所述微米柱LED器件刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的微米柱阵列，还包括一p型阵列电极，蒸镀在微米柱阵列的p型GaN层上，一n型电极，蒸镀在n型GaN层上；Si-CMOS阵列驱动电路的阵列电路一一对应的键合到p型阵列电极上，Si-CMOS阵列驱动电路的电极键合到n型电极上。并公开了其制备方法。本发明通过将Si-CMOS阵列驱动电路与微米柱阵列LED器件进行对应连接，可以实现CMOS阵列驱动电路对每个像素点的单独控制，能应用于超高分辨照明与显示，可见光通讯，生物传感等众多领域。
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公开(公告)号：CN105353019A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510781080.3
申请日：2015-11-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/414 , H01L29/772 , H01L21/335 , C08F292/00 , C08F222/38 , C08F226/06
CPC classification number: G01N27/414 , C08F292/00 , H01L29/66409 , H01L29/772 , C08F222/38 , C08F226/06
Abstract: 本发明提出了一种无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器，在AlInN/GaN异质结基片上蒸镀有电极，还包括钝化层，所述钝化层覆盖整个源端电极、源端电极PAD与漏端电极、漏端电极PAD，在覆盖源端电极PAD与漏端电极PAD的钝化层上刻蚀出窗口，深度至PAD显露；还包括离子印迹聚合物层，所述离子印迹聚合物层位于AlInN层上，含有印迹孔穴。还公开了无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器的制备方法。本发明制备的导电高聚物纳米复合材料具有单一离子识别的性能，可以提高器件的选择性吸附、抗干扰能力；与AlGaN/GaN场效应晶体管传感器相比，其电流响应更大，具有高灵敏性的特点。
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