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公开(公告)号：CN116314525A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310203891.X
申请日：2023-03-06
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种大功率垂直结构LED芯片结构及其电流阻挡层的制备方法，所述LED芯片从下到上依次包括导电基板、金属键合层、第一电极、第一半导体层、有源层、第二半导体层、电流阻挡层、第二电极；所述互补层与电流阻挡层的位置上下对应；所述电流阻挡层形成于第二半导体层的表面；所述第二电极形成于电流阻挡层的表面；所述第二电极包括焊盘、传输电极和传输注入电极，焊盘和传输电极的宽度均小于焊盘和传输电极下方的电流阻挡层的宽度，传输注入电极的宽度大于传输注入电极下方的电流阻挡层宽度，通过对第二电极与电流阻挡层的宽度设计，减小电极下方电流拥挤，提高了大功率LED电流扩展均匀性，提高了大电流下芯片的亮度。
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公开(公告)号：CN111968907B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202010661636.6
申请日：2020-07-10
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种氮极性Ⅲ族氮化物粗化方法，方法包括在硅衬底上生长Ⅲ族氮化物叠层，接着在氮化物叠层上制备包括高反射金属的金属叠层，在基板的正反面制备金属叠层，并采用晶圆热压键合方法将所述制备金属叠层的Ⅲ族氮化物叠层与基板键合在一起，之后用湿法腐蚀的方法去除所述硅衬底，露出氮极性Ⅲ族氮化物叠层的缓冲层AlN，从基板的上方对所述的Ⅲ族氮化物叠层表面进行干法刻蚀，采用氧等离子体对干法刻蚀后的表面进行处理，然后对该表面进行湿法粗化。本发明具有先进行表面处理再进行粗化、在不增加外延成本的情况下得到均匀的氮极性Ⅲ族氮化物粗化表面、工艺简单、最终提高产品可靠性的优点。
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公开(公告)号：CN114122218A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210076426.X
申请日：2022-01-24
申请人： 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌大学
摘要： 本发明公开了一种具有全方位反射电极的GaN基LED芯片，所述芯片从下至上依次包括基板、键合金属层、全方位反射电极、量子阱有源层、P型GaN层、上电极，所述全方位反射电极由依次接触的N型GaN层、低折射率介质层、高光反射金属层组成，所述低折射率介质层经腐蚀处理后，和高光反射金属层二者复合形成导电结构，本发明还公开了该GaN基LED芯片的制备方法。本发明有效减少了上电极正下方无效的电流注入，减小了上电极对正下方发光区域的遮挡，可以同时兼顾芯片的电流扩展性能和高光反射性能，最终提升GaN基LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN113257973A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202011418472.0
申请日：2020-12-07
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有P面反射电极结构的深紫外LED及其制备方法，所述LED结构包括永久基板、邦定金属层、P面反射电极、P面钝化层、外延层、N面电极和N面钝化层，其中：所述P面反射电极首先在所述P型掺杂层表面制备Ni层，所述Ni层需在氧气氛围下进行快速合金形成欧姆接触；然后在所述Ni层表面依次制备Al层、Ti层、Ag层。所述P面反射电极结构由Ni、Al、Ti、Ag叠层形成，所述Ti层厚度较薄，可以确保腐蚀Ag的同时能腐蚀Ti；Ti层可以有效抑制Al易氧化，同时可以避免Al层和Ag层之间易扩散最终降低芯片光电性能这一问题。本发明提出一种具有P面反射电极结构的深紫外LED，能保证P面反射电极具有抗氧化性能，最终获得高光效深紫外LED。
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公开(公告)号：CN109873062B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201910083328.7
申请日：2019-01-29
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构，是常规AlGaInP红色发光二极管的反射镜层改成复合反射镜层，复合反射镜层分成反射区、电极和粘附区，反射区由介质层和反射金属组成，介质层的介质材料的折射率在1.0‑2.5之间，电极为金属，材料和接触的半导体材料有关，对p型GaP，电极的金属材料为Au或AuZn合金或二者的叠层，或者，电极的金属材料为Ag或NiAg叠层或TiAg叠层；对n型GaAs，电极的金属材料为Ni、Au和Ge三种金属的叠层或者两种或两种以上的合金；粘附区的粘附材料为Cr、Ti、Ni、Mg、Fe以及TiW中的一种。本发明具有能提高反射镜的反射率、器件的出光效率和电光转换效率、同时保证反射镜结构具有很好的粘附性和可靠性的优点。
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公开(公告)号：CN108447854B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201810299136.5
申请日：2018-03-30
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/58
摘要： 本发明公开了一种LED芯片的封装模块及其制备方法，LED芯片的封装模块包括四颗LED芯片、基板、固晶层、引线和一次光学透镜；四颗LED芯片通过固晶层分别键合在基板上，四颗LED芯片的发光面均为1/4圆扇形，四颗LED芯片呈圆周分布键合到基板上，四颗LED芯片发光面组成圆形；一次光学透镜将四颗LED芯片、基板、固晶层、引线密封在基板上。二次光学系统直接安装在一次光学透镜上，四颗1/4圆扇形发光面的LED芯片组合得到圆形发光面，与二次光学系统完全匹配。本发明具有能实现LED芯片发光与光学系统的最大化耦合、提高光源模块的出光效率、制备方法简单、易实现、结构简单、成本低廉的优点，解决了LED芯片封装模块与同轴光学系统之间的光耦合效率问题。
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公开(公告)号：CN117130084A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310589816.1
申请日：2023-05-24
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种可见光波段可调双通道滤波器，包括可见光透明衬底和介质滤波器，介质滤波器由两组介质膜组成，记第一介质膜组A，第二介质膜组B；第一介质膜组A控制长波长通道的位置，第二介质膜组B控制短波长通道的位置；可以通过改变第一介质膜组A和第二介质膜组B中的介质材料层的厚度来任意调控双通道的位置，实现可见光波段的双通道滤波的效果。这种可见光波段可调双通道滤波器的通道窗口的透光率高，能够减少目标波长的损失，同时滤波通道的半高宽窄，可以满足彩色显示中对色纯度的滤波要求。这种可见光波段可调双通道滤波器可以直接贴合到彩色显示中，使显示的色纯度高和稳定性高。
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公开(公告)号：CN109273573B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201811235636.9
申请日：2018-10-23
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极。本发明还公开了该LED芯片的反射电极及其制备方法，反射电极由第一电极和第二电极共同构成，第一电极依次包括第一电极接触层、低折射率介质层和高光反射金属层，低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的特定排列的导电小孔，第一电极还包括可减少第二电极对其正下方区域发光遮挡的区域。本发明有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN116207190A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211619675.5
申请日：2022-12-16
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlN薄膜保护硅衬底Micro‑LED阵列键合转移的方法，所述Micro‑LED阵列表面有一层保护层AlN薄膜，在Micro‑LED阵列与驱动基板键合转移以及去除硅衬底的过程中，保护驱动基板不被破坏。本发明具有如下特点：1、AlN薄膜能起到很好的选择保护的效果；2、作为保护层的AlN薄膜能完全填充Micro‑LED阵列之间的间隙，能最大程度上实现对驱动基板表面的键合金属层及金属焊盘的保护，在干法刻蚀去除硅衬底的过程中可以很好地避免和减少刻蚀产物的附着积累，从而为后续Micro‑LED多次键合转移提供一个比较干净的键合金属表面；3、由于对驱动基板未邦定的区域具有很好的选择保护效果，如果在Micro‑LED阵列上留有足够的间隙，允许进行多次键合，从而能制备双色甚至多色全彩的器件。
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公开(公告)号：CN107482098B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201710862656.8
申请日：2017-09-20
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜LED芯片结构，该芯片结构包括：基板底面金属层、键合基板、键合及光反射金属层、绝缘介质层、下电极、下掺杂层、非掺杂发光层、上掺杂层、粗化面、上欧姆接触层、上电极，特征是：上电极与下电极呈交错排列，上掺杂层的厚度大于下掺杂层的厚度。上掺杂层的厚度与下掺杂层的厚度之比r满足2≤r≤6，两个相邻上电极的分支间距w满足50微米≤w≤120微米。本发明能够使芯片上掺杂层和下掺杂层注入的载流子最大限度地在上电极对应的非掺杂发光区之外产生辐射复合发光，可以减少光传输到上电极下方区域的几率，从而减少上电极的光遮挡效应，可有效提高薄膜LED芯片的电光转换效率。
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