公开(公告)号：CN110957281A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910305554.5

申请日：2019-04-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  翁得期 ,  周孟纬 ,  林孟良 ,  庄博尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

Abstract: 在一个实施例中，一种封装件包括：第一再分布结构；第一集成电路管芯，连接到第一再分布结构；环形衬底，环绕第一集成电路管芯，环形衬底连接到第一再分布结构，环形衬底包括芯和延伸穿过芯的导电通孔；围绕环形衬底和第一集成电路管芯的密封剂，密封剂延伸穿过环形衬底；在密封剂上的第二再分布结构，第二再分布结构通过环形衬底的导电通孔连接到第一再分布结构。本发明实施例涉及集成电路封装件和方法。

公开(公告)号：CN110660725A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910023923.1

申请日：2019-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  翁得期 ,  周孟纬 ,  林孟良 ,  庄博尧 ,  郑心圃

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 方法包括形成中介层，形成中介层包括形成刚性介电层；以及去除部分刚性介电层。该方法还包括将封装组件接合至互连结构，以及将中介层接合至互连结构。中介层中的间隔件具有接触封装组件的顶面的底面，并且间隔件包括选自由金属部件、刚性介电层和它们的组合组成的组中的部件。对互连结构实施管芯锯切。本发明实施例涉及具有可控间隙的扇出封装件。

公开(公告)号：CN110071089A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910209814.9

申请日：2013-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  林孟良 ,  高志杰 ,  黄震麟 ,  林俊成 ,  许国经

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 一种封装结构包括通过将位于第一衬底上的金属柱连接至位于第二衬底上的连接件从而将第一衬底接合至第二衬底。在位于第一衬底的第一区上的金属焊盘上方形成第一金属柱并且第一金属柱电连接至金属焊盘，并且在第一衬底的第二区中的钝化层上方形成第二金属柱。在金属柱和第一连接件之间形成第一焊接区，并且在第二金属柱和第二连接件之间形成第二焊接区。第一金属柱的横向尺寸大于第二金属柱的横向尺寸。本发明还提供了一种用于半导体封装件的凸块结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN118629873A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410611181.5

申请日：2024-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  林孟良 ,  赖杰隆 ,  陈宪伟

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

Abstract: 形成封装结构的方法包括在载体上方形成再分布线，再分布线包括通孔和位于通孔上方并且连接至通孔的金属迹线。再分布线的形成包括沉积第一金属层，在第一金属层上方沉积阻挡层，以及在阻挡层上方沉积第二金属层。该方法还包括将再分布线从载体脱粘，以及将封装组件接合至再分布线，其中金属凸块将封装组件接合至通孔。本公开的实施例还涉及封装结构。

公开(公告)号：CN117276236A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311030792.2

申请日：2023-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖杰隆 ,  林孟良 ,  陈宪伟 ,  郑心圃

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

Abstract: 半导体装置包括：裸片，具有多个裸片连接物于裸片的前侧上；成型化合物，围绕裸片；以及重布线结构，其中裸片的裸片连接物贴合至重布线结构的第一侧，其中重布线结构包括：介电层；导线，沿着面向裸片的介电层的第一表面延伸；以及翘曲调整层，沿着面向裸片的导线的第一表面延伸并接触导线的第一表面，其中导线的第一热膨胀系数小于翘曲调整层的第二热膨胀系数。

公开(公告)号：CN110957281B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201910305554.5

申请日：2019-04-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  翁得期 ,  周孟纬 ,  林孟良 ,  庄博尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

Abstract: 在一个实施例中，一种封装件包括：第一再分布结构；第一集成电路管芯，连接到第一再分布结构；环形衬底，环绕第一集成电路管芯，环形衬底连接到第一再分布结构，环形衬底包括芯和延伸穿过芯的导电通孔；围绕环形衬底和第一集成电路管芯的密封剂，密封剂延伸穿过环形衬底；在密封剂上的第二再分布结构，第二再分布结构通过环形衬底的导电通孔连接到第一再分布结构。本发明实施例涉及集成电路封装件和方法。

公开(公告)号：CN115101502A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210523137.X

申请日：2022-05-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林孟良 ,  庄博尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/16 ,  H01L25/18 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括一转接板，转接板包括一绝缘结构、一导电垫、一第一导线、以及一第一导电通道结构。绝缘结构具有一第一表面以及与第一表面相对的一第二表面，导电垫位于第一表面之上，第一导线位于绝缘结构内且电性连接导电垫，第一导电通道结构部分位于绝缘结构内并连接第一导线。封装结构包括一电子元件接合至导电垫。封装结构包括一芯片结构接合至第一导电通道结构的第一端部。封装结构包括一第一导电凸块连接于芯片结构与第一导电通道结构的第一端部之间。第一端部延伸入第一导电凸块内并直接接触第一导电凸块。

公开(公告)号：CN111128758A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911043914.5

申请日：2019-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  刘献文 ,  郑心圃 ,  林孟良 ,  彭世勇 ,  洪士庭

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/603

Abstract: 一种封装结构的形成方法，包括形成导电结构于载体基板之上；配置半导体晶粒于载体基板之上；在上升的温度下压靠保护基板于载体基板以接合保护基板至导电结构；以及形成保护层以包围半导体晶粒。

公开(公告)号：CN110660680A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910103536.9

申请日：2019-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  翁得期 ,  庄博尧 ,  郑心圃 ,  周孟纬 ,  林孟良

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/48 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: 此处提供形成扇出封装的结构与方法。此处所述的封装包括空腔基板、一或多个半导体装置位于空腔基板的空腔中、以及一或多个重布线结构。实施例包含预先形成于空腔基板中的空腔。多种装置如集成电路晶粒、封装、或类似物可放置在空腔中。亦可形成重布线结构。

公开(公告)号：CN106057760A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510757656.2

申请日：2015-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林孟良 ,  黄震麟

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明描述了半导体器件及其形成方法。实施例是包括衬底上的焊盘的一种器件。钝化膜位于衬底上并且覆盖焊盘的至少部分。第一导电部件位于焊盘上并且具有平坦顶面，其中第一导电部件具有从焊盘至第一导电部件的平坦顶面测得的第一高度。第二导电部件位于钝化膜上并且具有非平坦顶面，其中第二导电部件具有从钝化膜至第二导电部件的非平坦顶面测得的第二高度。