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公开(公告)号：CN106335869A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610085669.4
申请日：2016-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/001 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81C1/00238 , B81C1/00976 , B81B7/02 , B81B7/0032 , B81C1/00015
Abstract: 本发明提供了CMOS-MEMS器件结构。CMOS-MEMS器件结构包括感测衬底和CMOS衬底。感测衬底包括接合台面结构。CMOS衬底包括顶部介电层。感测衬底和CMOS衬底通过接合台面结构接合，并且接合台面结构限定CMOS衬底和感测衬底之间的接合间隙。本发明提供了一种用于接合第一半导体结构和第二半导体结构的接合台面结构。此外，本发明还提供了一种制造CMOS-MEMS器件结构的方法。
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公开(公告)号：CN106241726A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201510852244.7
申请日：2015-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/12 , B81B2203/0127 , B81C1/00238 , H01L27/14692 , H01L27/20 , B81B7/0032 , B81B3/00 , B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2207/09 , B81C1/00261 , B81C1/00301 , B81C3/00 , B81C2201/01 , B81C2203/01
Abstract: 在一些实施例中，本发明提供了MEMS封装件。MEMS封装件包括MEMS IC，MEMS IC包括MEMS衬底、设置在MEMS衬底上方的介电层和设置在介电层上方的压电层。介电层包括由介电材料制成的柔性膜片，以及压电层包括位于柔性膜片上方的压电开口。CMOS IC包括CMOS衬底和电互连结构。CMOS IC接合至MEMS IC，因此电互连结构接近压电层并且因此CMOS IC包围位于柔性膜片上方的后腔。在电互连结构和压电层之间设置支撑层。支撑层具有设置在与柔性膜片垂直对准的位置处并且是部分后腔的支撑层开口。本发明的实施例还涉及MEMS封装技术。
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公开(公告)号：CN104614430A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410120539.0
申请日：2014-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N33/54373
Abstract: 本发明提供了一种诸如FET感测单元的器件，该器件包括位于衬底上方的第一介电层，位于第一介电层上方的有源层，位于有源层中的源极区，位于有源层中的漏极区，在有源层中介于源极区和漏极区之间的沟道区，位于沟道区上方的感测膜，位于有源层上方的第二介电层，其中，在第二介电层中形成开口并且感测膜位于开口内，位于第二介电层内的第一电极以及位于第二介电层的上方并延伸到开口中的流体栅极区。本发明还提供了通过调节感测值提高器件灵敏度的方法。
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公开(公告)号：CN102417154B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201110232182.1
申请日：2011-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0032 , B81B2207/092 , B81C1/00269 , B81C1/00357 , B81C2203/0109 , B81C2203/0792 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开提供了一种用于制造含多接合衬底的MEMS器件的方法。在实施例中，该方法包括：提供包含第一接合层的微机电系统(MEMS)衬底；提供包含第二接合层的半导体衬底；以及提供包含第三接合层的盖。该方法还包括：在第一和第二接合层处将MEMS衬底接合至半导体衬底；以及在第二和第三接合层处将盖接合至半导体衬底，以紧密的封装盖与半导体衬底之间的MEMS衬底。本公开还提供了一种由上述方法制造的MEMS器件。
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公开(公告)号：CN113247855B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010332779.2
申请日：2020-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供微机电系统支撑结构及顶盖结构。在微机电系统支撑结构或者顶盖结构的部分中形成至少一个垂直延伸沟槽。在至少一个垂直延伸沟槽中的每一者中形成垂直延伸出气材料部分，垂直延伸出气材料部分具有在实体上暴露于相应的垂直延伸空腔的表面。将基质材料层贴合到微机电系统支撑结构。通过将基质材料层图案化来形成在侧向上限定在基质层内的可移动元件。将基质层结合到顶盖结构。形成包含可移动元件的密封腔室。垂直延伸出气材料部分中的每一垂直延伸出气材料部分具有在实体上暴露于密封腔室的表面，且排出气体以增加密封腔室中的压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112390223B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201911081731.2
申请日：2019-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种麦克风，所述麦克风包括支撑结构层，所述支撑结构层设置在颗粒过滤器与微机电系统(MEMS)结构之间。载体衬底设置在颗粒过滤器下方且具有界定载体衬底开口的相对的侧壁。微机电系统结构上覆在载体衬底上且包括上覆在载体衬底开口上的膜片，膜片具有界定膜片开口的相对的侧壁。颗粒过滤器设置在载体衬底与微机电系统结构之间。多个过滤器开口延伸穿过颗粒过滤器。支撑结构层包括支撑结构，支撑结构具有在载体衬底的相对的侧壁之间在横向上间隔开的一个或多个段。支撑结构的所述一个或多个段在所述多个过滤器开口之间在横向上间隔开。
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公开(公告)号：CN116540499A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310102377.7
申请日：2023-02-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及形成光学模块的方法。提供了光学模块及其形成方法。在一个实施例中，示例性方法包括：在第一晶圆之上形成多个第一光学元件，在第二晶圆之上形成多个第二光学元件，在第三晶圆之上形成多个第三光学元件，将第一晶圆与第二晶圆对准，使得在第一晶圆与第二晶圆的对准后，每个第一光学元件与对应的第二光学元件竖直交叠。该方法还包括将第一晶圆与第二晶圆键合以形成第一键合结构，将第二晶圆与第三晶圆对准，使得在将第一键合结构的第二晶圆键合至第三晶圆时，在第二晶圆与第三晶圆的对准后，每个第二光学元件与对应的第三光学元件竖直交叠。
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公开(公告)号：CN112390223A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201911081731.2
申请日：2019-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种麦克风，所述麦克风包括支撑结构层，所述支撑结构层设置在颗粒过滤器与微机电系统(MEMS)结构之间。载体衬底设置在颗粒过滤器下方且具有界定载体衬底开口的相对的侧壁。微机电系统结构上覆在载体衬底上且包括上覆在载体衬底开口上的膜片，膜片具有界定膜片开口的相对的侧壁。颗粒过滤器设置在载体衬底与微机电系统结构之间。多个过滤器开口延伸穿过颗粒过滤器。支撑结构层包括支撑结构，支撑结构具有在载体衬底的相对的侧壁之间在横向上间隔开的一个或多个段。支撑结构的所述一个或多个段在所述多个过滤器开口之间在横向上间隔开。
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公开(公告)号：CN110958513A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910917260.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04R1/08
Abstract: MEMS麦克风包括具有开口的衬底、第一膜片、第一背板、第二膜片和第二背板。第一膜片面向衬底中的开口。第一背板包括多个容纳开口并且与第一膜片间隔开。第二膜片通过柱在多个位置处与第一膜片连接在一起，柱穿过第一背板中的容纳开口。第一背板位于第一膜片和第二膜片之间。第二背板包括至少一个通气孔，并且与第二膜片间隔开。第二膜片位于第一背板和第二背板之间。本发明的实施例还涉及麦克风及其制造方法。
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