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公开(公告)号：CN102560687B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201110455720.3
申请日：2011-12-31
Applicant: 吉林大学
IPC: C30B33/12
Abstract: 本发明的一种金刚石纳米坑阵列及其制备方法属于金刚石纳米结构的技术领域。金刚石纳米坑阵列，是在(100)面金刚石单晶表面刻蚀成平均密度为0.5×109～1.5×109cm-2的纳米坑，纳米坑的纵截面形状为倒梯形，坑口宽度80～150纳米；纳米坑内可以置有金纳米颗粒。制备方法是清洁金刚石单晶表面，利用离子溅射法溅镀金膜，用微波激发氧等离子体对覆有金膜的金刚石单晶进行刻蚀。本发明具有操作简单，成本低，可大面积生产，刻蚀气体安全无污染等优点；将纳米金的广泛应用与金刚石的优异特性相结合，为金纳米颗粒提供稳定的基底，能改善金纳米颗粒在应用中所存在的易聚合及加入稳定剂造成表面污染的问题。
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公开(公告)号：CN102021649A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010603983.X
申请日：2010-12-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的利用添加N2O气体化学气相沉积金刚石单晶的方法属金刚石单晶材料及其制备方法的技术领域。采用微波等离子体化学气相沉积系统，将单晶金刚石基底经抛光超声清洗处理后置于样品托放在沉积室内，向沉积室内充入氢气、甲烷和笑气，流量比为H2∶CH4∶N2O＝750∶75～90∶2～10，在微波功率2～2.5kw、基底温度900～1100℃，气压13～40kPa下生长金刚石单晶。本发明具有方法简单，生长速度快，质量好，成本低，污染小等优点，在N2O浓度的增加对全球气候增温效应越来越显著情况下，既利用废气节能减排，又促进了金刚石的生产。
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公开(公告)号：CN101587902A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910067164.5
申请日：2009-06-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L27/12 , H01L23/552 , H01L21/84 , H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/00
Abstract: 本发明的一种纳米绝缘体上硅结构材料及其制作方法属集成电路芯片材料的技术领域。通过改进传统SOI结构中绝缘材料，制得以纳米抗辐射材料，如纳米金刚石，掺氮纳米金刚石，纳米氮化硼等作为绝缘层(8)的新型SOI结构。采用注氢键合技术和化学气相沉积方法，制成连接器件表层硅(3)-纳米绝缘层(8)-金刚石膜或/和单晶体Si衬底(4)的SOI结构。这种结构不仅具有传统SOI和SOD结构的优势，而且工艺更为简单，增强抗总剂量辐射，进一步提高SOI器件的总体抗辐射能力。适用于航空、航天、军工等领域的应用。
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公开(公告)号：CN114937667B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202210297544.3
申请日：2022-03-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的可用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路及制备方法属于半导体单片集成电路技术领域，其结构由下往上依次包括衬底(1)、金刚石外延层(2)、氢终端二维空穴气(3)、绝缘介质层(4)、半导体层和欧姆接触电极；制备方法包括在衬底上生长金刚石外延层、刻蚀形成凹槽结构、形成氢终端二维空穴气等步骤。本发明工艺简单，利用氢终端金刚石表面的二维空穴气作为栅电极可以有效缩短晶体管栅极长度，并且利用p、n型半导体形成CMOS结构，有利于后续单片集成。
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公开(公告)号：CN118539007A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410742584.3
申请日：2024-06-11
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M10/058 , H01M4/133 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的一种改性双离子电池的制备方法属于双离子电池制备技术领域。利用超声波作用环境中，超硬纳米金刚石使石墨层剥离并形成寡层卷曲石墨烯，作为双离子电池正极或负极，提升阴阳离子的储存能力。应用表面氟化纳米金刚石作为电解液添加剂，在石墨电极表面形成均匀致密的固态电解质界面，提升电池的长循环稳定性和离子传输效率。将纳米金刚石同时应用于双离子电池电极和电解液的修饰，组装的双碳全电池容量和长循环性能均显著提升。本发明的双离子电池利用金刚石对组件结构的改性和对阴阳离子的强吸附性，提高双离子电池容量，具有良好的成本效益和工业前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117721530A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311034762.9
申请日：2023-08-16
Applicant: 宜宾吉林大学研究院
Abstract: 本发明的一种金刚石SiV色心规则阵列结构的制作方法属于量子材料技术领域，结合电子束光刻技术在金刚石衬底表面形成纳米尺度的图形化二氧化硅/铱掩膜，对二氧化硅掩模层的厚度进行调整，控制硅离子渗透的位置和深度，并通过控制二次生长的条件及生长时间调控具有空位中心的外延层厚度，从而调控探测精度。本发明通过提出的金刚石硅色心规则阵列制备方法，采用二氧化硅/铱混合掩膜结构，通过控制镀膜厚度，对掺杂深度满足设定的需求，制备了具有规则阵列的金刚石SiV色心结构。
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公开(公告)号：CN114045555B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111330072.9
申请日：2021-11-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种超疏水氧终端多晶硼掺杂金刚石膜的制备方法属于多晶金刚石膜制备的技术领域，步骤包括沉积硼掺杂多晶金刚石薄膜、沉积Au和Cu薄膜、管式炉中高温刻蚀等。本发明首次实现氧终端金刚石膜具有超疏水性，且制备过程以一种简便、易操作、成本较低的方式，本研究将在开发坚硬的超疏水材料领域中具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113125536B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202110345262.1
申请日：2021-03-31
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种用于检测苯胺的电化学传感器电极材料的制备方法属于电化学传感器的技术领域，具体步骤为：以P型掺杂单晶硅片为衬底，通过手动研磨法或超声震荡法，利用微米金刚石粉对硅片表面进行处理，并利用酒精清洗，然后利用微波等离子体化学气相沉积方法沉积硼、氮共掺杂金刚石薄膜，得到用于检测苯胺的电化学传感器电极材料。本申请制备的电极材料具有良好的电化学性能，以其为工作电极对苯胺进行电化学检测，实现了极高的检测灵敏度，同时检测范围大，重复性好。
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公开(公告)号：CN110071276A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910341371.9
申请日：2019-04-26
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的纳米金刚石与SiOx复合电极材料及制备方法属于锂离子电池负极材料的技术领域。其特征在于，由纳米金刚石支撑碳层与SiOx，制备方法为：将柠檬酸、尿素溶于去离子水中，形成无色透明溶液，加入纳米金刚石和SiOx；超声处理60分钟后，将溶液置于微波炉中，并以850W的功率加热10分钟；将得到的固体复合物在惰性气体气氛下900℃干燥碳化2小时。本发明制备的样品具有较高的锂离子的存储密度与传输速率，用其制作的锂电池具有很好的比容量与保持率。
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公开(公告)号：CN109142313A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810875520.5
申请日：2018-08-03
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: G01N21/658 , C23C16/27 , C23C16/271 , C23C16/274 , C23C16/276
Abstract: 本发明的半导体表面增强拉曼散射的金刚石基底及其制备方法，属于拉曼散射信号增强的技术领域。金刚石基底的结构在硅片或金刚石的衬底表面生长有掺杂硼、氮、硫、磷、硫氮或磷氮等的金刚石膜。采用化学气相沉积方法在衬底上沉积掺杂金刚石膜；制得的掺杂金刚石膜还可以进行表面功能化处理，获得表面氢终止或氧终止的掺杂金刚石膜，以提高增强因子。本发明首次以金刚石材料作为一种新的半导体SERS基底，具有高灵敏度、稳定性、可重复性、以及具有良好生物兼容性；增强因子可达到102‑105，并可用于多种不同的探针分子检测。
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