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公开(公告)号：CN102763039A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201180010036.2
申请日：2011-02-03
CPC classification number: C09D133/16 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041
Abstract: 本发明提供了用于光刻工艺的含有磺酰胺的组合物、顶涂层聚合物和添加剂聚合物，其相对于本领域已知的而言具有改善的静态后退水接触角。本发明的含有磺酰胺的顶涂层聚合物和添加剂聚合物包含如式(I)所示的具有支化的连接基团的磺酰胺取代的重复单元。
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公开(公告)号：CN102317349A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080007524.3
申请日：2010-02-18
CPC classification number: C08G69/28 , B01D61/025 , B01D67/0006 , B01D69/125 , B01D71/56 , B01D2323/40
Abstract: 一种方法，其包括以下步骤：使化学混合物(A)与化学混合物(B)反应以形成聚合化合物，其中(A)与(B)彼此不混溶，且其中：(A)为含水碱，其包含由式1：CF 3HO--R 0-(-NH2)mCF3Z n n表示的具有一个或多个六氟代醇基团的单体多元胺反应物，在式1中R0表示选自脂族基、脂环基、芳基、杂环基及其组合的有机基团，m为2或更大的整数，且n为1或更大的整数；和(B)为有机的且包含由式2：R1-(-COx)p表示的单体多官能酰卤反应物，在式2中R1表示选自含有脂族脂环基、芳基、杂环基及其组合的组的有机基团，X选自氟、氯、溴和碘，且p表示2或更大的整数。
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公开(公告)号：CN107533969A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680020330.4
申请日：2016-03-04
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , C09K13/08 , C07C17/383 , C07C21/18
Abstract: 本申请涉及一种干法蚀刻气体，其包含纯度为99.5质量％以上，且在气体中混入的Fe、Ni、Cr、Al以及Mo的各金属成分的浓度之和为500质量ppb以下的1,3,3,3‑四氟丙烯。对于该干法蚀刻气体，进一步优选氮含量为0.5体积％以下、水分含量为0.05质量％以下，在使用对干法蚀刻气体进行等离子体化而得到的等离子体气体的干法蚀刻中，能够提高硅系材料相对于掩模的蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN107533969B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201680020330.4
申请日：2016-03-04
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , C09K13/08 , C07C17/383 , C07C21/18
Abstract: 本申请涉及一种干法蚀刻气体，其包含纯度为99.5质量％以上，且在气体中混入的Fe、Ni、Cr、Al以及Mo的各金属成分的浓度之和为500质量ppb以下的1,3,3,3‑四氟丙烯。对于该干法蚀刻气体，进一步优选氮含量为0.5体积％以下、水分含量为0.05质量％以下，在使用对干法蚀刻气体进行等离子体化而得到的等离子体气体的干法蚀刻中，能够提高硅系材料相对于掩模的蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN106994455B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201611200081.5
申请日：2016-12-22
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明涉及七氟醚储藏容器的清洗方法和七氟醚的储藏方法，其课题在于，发现：可以有效地清洗使用过的“七氟醚储藏容器”且不以昂贵的七氟醚作为清洗液的手段。该课题通过采用如下清洗方法来解决，所述清洗方法包括如下工序：确保至少七氟醚的蒸气存在于七氟醚储藏容器内的状态的工序(第A工序)；之后，以七氟醚的蒸气存在于储藏容器内的状态，使“以水作为主要成分的液体”与前述七氟醚储藏容器的内壁接触，使该液体以液态排出至该储藏容器外的工序(第B工序)；和，实施第B工序后，使干燥气体在该储藏容器内流通，使残留于该储藏容器内壁的液体与该干燥气体一起排出至该储藏容器外的工序(第C工序)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108352314A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680065817.4
申请日：2016-10-26
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31133 , B08B3/08 , B08B3/10 , B81C1/00928 , B81C2201/117 , C11D7/02 , C11D7/261 , C11D7/5018 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/6708
Abstract: 本发明的基板的处理方法的特征在于，其为将半导体基板的表面用水系清洗液清洗，将附着于基板表面的水系清洗液置换为超临界流体而干燥的方法，作为该流体，使用Fe、Ni、Cr、Al、Zn、Cu、Mg、Li、K、Na、Ca的各元素的含量分别为500质量ppb以下、且含有碳数为2～6的含氟醇的溶剂。该处理方法中，能使超临界流体中的氟原子的释放量降低。
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公开(公告)号：CN101687740A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880020858.7
申请日：2008-09-05
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C07C29/147 , C07C31/34 , C07C303/00 , C07C309/08 , C07C309/10 , C07C309/12 , C07C381/12
CPC classification number: C07C309/17 , C07C29/147 , C07C67/08 , C07C67/14 , C07C303/32 , C07C309/08 , C07C309/12 , C07C313/04 , C07C381/12 , C07C2602/42 , C07C2603/74 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , C07C31/34 , C07C69/653 , C07C69/63 , C07C69/753
Abstract: 本发明提供2-溴-2，2-二氟乙醇的制造方法，其包括通过作为还原剂的酸根型的氢络合物将式[1]所示的溴二氟醋酸衍生物进行还原的工序。其中，所述式[1]中，A表示取代或者非取代的碳原子数1～20的直链状、支链状或环状的烷氧基、取代或者非取代的碳原子数6～15的芳氧基或碳原子数4～15的杂芳氧基、或卤素。通过以该2-溴-2，2-二氟乙醇作为原料，依次进行酯化工序、亚磺化工序、氧化工序，可以得到2-烷基羰氧基-1，1-二氟乙烷磺酸盐类。
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公开(公告)号：CN112921320A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110075293.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C23F1/10 , C23F1/02 , C23F1/44 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 一种湿式蚀刻方法，其特征在于，其是使用蚀刻液对基板上的含金属膜进行蚀刻的湿式蚀刻方法，前述蚀刻液是三氟甲基与羰基键合而成的β‑二酮的有机溶剂溶液，前述含金属膜包含能够与前述β‑二酮形成络合物的金属元素，前述蚀刻液中所包含的水的量为1质量％以下。
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公开(公告)号：CN106631692A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611131041.X
申请日：2016-12-09
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C07C29/145 , C07C31/38 , C07C45/78 , C07C45/82 , C07C49/167 , C07C41/01 , C07C43/12
Abstract: 本发明涉及六氟异丙醇和氟甲基六氟异丙基醚(七氟醚)的生产方法。公开的是一种用于生产六氟异丙醇的方法，所述方法包括以下步骤：(a)纯化含有六氟丙酮和作为杂质的至少1,1,1‑三氟‑2,2‑二氯乙烷的混合物，由此获得含有120ppm以下的1,1,1‑三氟‑2,2‑二氯乙烷的纯化的六氟丙酮；和(b)在催化剂的存在下使氢(H2)与纯化的六氟丙酮接触，由此将六氟丙酮氢化为六氟异丙醇。通过此方法可在短的反应时间和高转化率下生产六氟异丙醇。因此，可通过使用本方法生产的六氟异丙醇来特别有利地生产氟甲基六氟异丙基醚(七氟醚)。
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