公开(公告)号：CN112930076B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202011373405.1

申请日：2020-11-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 广濑真一 ,  近藤大雄

IPC: H05K7/20 ,  C09J7/20

Abstract: 提供了散热片以及制造散热片的方法。散热片包括：碳材料层，其被配置成包括彼此平行布置的多个线状碳材料；粘合树脂层，其被配置成包括要与多个线状碳材料中的每个线状碳材料的端部接触的第一表面，粘合树脂层的厚度小于1μm；以及剥离片，其被配置成与粘合树脂层的多个表面中的第二表面接触，第二表面在与第一表面相对的侧上。

公开(公告)号：CN104934300B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201510249293.1

申请日：2009-11-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 近藤大雄 ,  佐藤信太郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/778 ,  H01L29/16 ,  H01L23/532 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 涉及包含石墨烯(graphene)层的半导体装置及其制造方法。已知通过化学气相生长法等来使石墨烯在催化金属上生长的方法，但在该方法中，由于作为导体的催化金属和石墨烯接触，因而不能将石墨烯用作沟道(channel)。本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在基板(1)上形成催化膜(2)的工序；使石墨烯层(3)以所述催化膜(2)为起点生长的工序；在所述基板(1)上形成与所述石墨烯层(3)接触的电极(4)的工序；除去所述催化膜(2)的工序。

公开(公告)号：CN102792441B

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201080065389.8

申请日：2010-03-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 岩井大介 ,  近藤大雄 ,  山口佳孝 ,  广濑真一 ,  崎田幸惠 ,  八木下洋平 ,  乘松正明

IPC: H01L23/36 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L23/373 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/433 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种具有良好散热效率和新颖的结构的散热结构。该散热结构设置有被布置成相互面对的热源和散热器、形成在热源和散热器的面对的表面中的至少一个表面中的凹陷部分、以及热传递结构，该热传递结构包括：布置在热源与散热器之间并且接触热源和散热器的面对的表面的热塑性材料的填塞层；以及碳纳米管组件，该碳纳米管组件被分布在热塑性材料内、在填塞层的表面上被垂直地定向，并且其中该组件的两端与热源和散热器的面对的表面接触、并且其沿着面对的表面的分布由凹陷部分调节。

公开(公告)号：CN104934300A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510249293.1

申请日：2009-11-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 近藤大雄 ,  佐藤信太郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/778 ,  H01L29/16 ,  H01L23/532 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 涉及包含石墨烯(graphene)层的半导体装置及其制造方法。已知通过化学气相生长法等来使石墨烯在催化金属上生长的方法，但在该方法中，由于作为导体的催化金属和石墨烯接触，因而不能将石墨烯用作沟道(channel)。本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在基板(1)上形成催化膜(2)的工序；使石墨烯层(3)以所述催化膜(2)为起点生长的工序；在所述基板(1)上形成与所述石墨烯层(3)接触的电极(4)的工序；除去所述催化膜(2)的工序。

公开(公告)号：CN102598277A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200980162433.4

申请日：2009-11-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 近藤大雄 ,  佐藤信太郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66045 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/043 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66015 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/734 ,  H01L2924/00

Abstract: 涉及包含石墨烯(graphene)层的半导体装置及其制造方法。已知通过化学气相生长法等来使石墨烯在催化金属上生长的方法，但在该方法中，由于作为导体的催化金属和石墨烯接触，因而不能将石墨烯用作沟道(channel)。本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在基板(1)上形成催化膜(2)的工序；使石墨烯层(3)以所述催化膜(2)为起点生长的工序；在所述基板(1)上形成与所述石墨烯层(3)接触的电极(4)的工序；除去所述催化膜(2)的工序。

公开(公告)号：CN102448879A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200980159632.X

申请日：2009-06-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 近藤大雄 ,  佐藤信太郎 ,  岩井大介

IPC: C01B31/04 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32

CPC classification number: H01L35/22 ,  C01B32/20 ,  H01L29/1606 ,  H01L35/32 ,  Y10T428/261

Abstract: 本发明涉及一种石墨结构体和具有石墨结构体的电子部件，所述石墨结构体具有石墨烯片的层叠体以穹顶状弯曲而形成的多个晶畴，并且所述多个晶畴配置成平面状，相邻的晶畴之间互相连接。

公开(公告)号：CN101540302B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200910128024.4

申请日：2009-03-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 岩井大介 ,  近藤大雄 ,  山口佳孝 ,  曾我育生 ,  广濑真一

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/02 ,  H01L21/48 ,  G06F1/20

CPC classification number: H01L23/433 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3733 ,  H01L24/31 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/16152 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 一种片结构和制造片结构的方法，其中该片结构包括：多个碳原子线性结构；填充在所述多个碳原子线性结构之间的间隙中的填充层，用于支承所述多个碳原子线性结构；以及形成在所述多个碳原子线性结构的至少一端的涂膜，并且所述涂膜的导热率至少为1W/m·K。

公开(公告)号：CN101540302A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910128024.4

申请日：2009-03-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 岩井大介 ,  近藤大雄 ,  山口佳孝 ,  曾我育生 ,  广濑真一

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/02 ,  H01L21/48 ,  G06F1/20

CPC classification number: H01L23/433 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3733 ,  H01L24/31 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/16152 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 一种片结构和制造片结构的方法，其中该片结构包括：多个碳原子线性结构；填充在所述多个碳原子线性结构之间的间隙中的填充层，用于支承所述多个碳原子线性结构；以及形成在所述多个碳原子线性结构的至少一端的涂膜，并且所述涂膜的导热率至少为1W/m·K。