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公开(公告)号：CN103563108A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201380001367.9
申请日：2013-05-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: F21K9/56 , F21K9/64 , H01L33/50 , H01L33/501 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/16195 , H01S5/005 , H01S5/02212 , H01S5/02296 , H05B33/10 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种波长变换元件。具有：多个荧光体粒子；第一基体，其位于多个荧光体粒子的一部分之间，由沿c轴取向的氧化锌构成；和第二基体，其位于所述多个荧光体粒子的剩余部分之间，由折射率小于氧化锌的材料构成。
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公开(公告)号：CN103380551A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201180067991.X
申请日：2011-07-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/026 , B82Y20/00 , H01L33/0045 , H01L33/02 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01S5/02292 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 半导体发光元件(1)，包括：基板(10)；半导体层叠膜(40)，其包括在基板上形成的为第一导电类型的第一覆盖层(12)、在该第一覆盖层上形成的发光层(13)、以及在该发光层上形成的为第二导电类型的第二覆盖层(14)，且具有光波导(20)；形成为与第一覆盖层电连接的第一电极(23)；以及形成为与第二覆盖层电连接的第二电极(22)、(24)。发光层产生在光波导中进行导波的导波光以及在光波导中不进行导波的非导波光，非导波光从基板侧以及半导体层叠膜侧当中的任意一侧向外部放射。
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公开(公告)号：CN102804416A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080065555.4
申请日：2010-10-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 折田贤儿
CPC classification number: H01L33/0045 , B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/1085 , H01S5/125 , H01S5/2201 , H01S5/3201 , H01S5/34333
Abstract: 本发明的半导体发光元件，具备在基板(1)的上表面所设置、且包括活性层(6)的氮化物半导体多层膜。在与活性层(6)的下表面接触的层或者活性层(6)上，形成有凹部(2)、段差和突状部之中至少1种；在氮化物半导体多层膜的上部，形成具有前端面和后端面、且构成光波导路的脊条，从脊条的宽度方向的中心至凹部(2)、段差或突状部的宽度方向的中心之距离，从前端面朝向后端面连续性地或阶段性地变化；活性层(6)的带隙能量，从前端面朝向后端面连续性地或阶段性地变化。
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公开(公告)号：CN100440554C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200510079663.8
申请日：2005-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 折田贤儿
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L33/54 , H01L2933/0083
Abstract: 在半导体多层膜的与其主表面相对的表面中形成突起/凹陷，该突起/凹陷形成二维周期性结构，而在另一表面上形成具有高反射率的金属电极。通过使用二维周期性结构的衍射效应，能改进从形成有突起/凹陷的表面的光引出效率。通过利用具有高反射率的金属电极把向金属电极发射的光反射到形成有突起/凹陷的表面，能倍增由二维周期性结构实现的以上效果。
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公开(公告)号：CN100337338C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200410063346.2
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1716655A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510079663.8
申请日：2005-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 折田贤儿
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L33/54 , H01L2933/0083
Abstract: 在半导体多层膜的与其主表面相对的表面中形成突起/凹陷，该突起/凹陷形成二维周期性结构，而在另一表面上形成具有高反射率的金属电极。通过使用二维周期性结构的衍射效应，能改进从形成有突起/凹陷的表面的光引出效率。通过利用具有高反射率的金属电极把向金属电极发射的光反射到形成有突起/凹陷的表面，能倍增由二维周期性结构实现的以上效果。
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公开(公告)号：CN1661869A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510056521.X
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，－1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。
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公开(公告)号：CN102844893A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201080066249.2
申请日：2010-09-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 折田贤儿
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/505 , G02F1/1336 , G02F1/133602 , G02F1/133606 , G02F1/133615 , G02F1/133617 , G02F1/13362 , G02F2001/133614 , H01L33/465
Abstract: 本发明的发光元件，包括：半导体多层膜(102)，其被形成在基板(101)的主面上，并且具有产生第一波长的光的活性层(122)；和多个荧光体层(105)，其被形成在半导体多层膜(102)上，并且构成第1一2维周期结构。荧光体层(105)被第一波长的光激发，产生第二波长的光，半导体多层膜(102)具有引导第一波长的光和第二波长的光的光波导通路(109)，对于从光波导通路(109)的端面辐射出的光而言，较之电场的方向与主面呈垂直的方向的光，呈水平的方向的光的比例更高。
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公开(公告)号：CN101271953B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810096084.8
申请日：2005-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 折田贤儿
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L33/54 , H01L2933/0083
Abstract: 在半导体多层膜的与其主表面相对的表面中形成突起/凹陷，该突起/凹陷形成二维周期性结构，而在另一表面上形成具有高反射率的金属电极。通过使用二维周期性结构的衍射效应，能改进从形成有突起/凹陷的表面的光引出效率。通过利用具有高反射率的金属电极把向金属电极发射的光反射到形成有突起/凹陷的表面，能倍增由二维周期性结构实现的以上效果。
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公开(公告)号：CN101271953A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810096084.8
申请日：2005-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 折田贤儿
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L33/54 , H01L2933/0083
Abstract: 在半导体多层膜的与其主表面相对的表面中形成突起/凹陷，该突起/凹陷形成二维周期性结构，而在另一表面上形成具有高反射率的金属电极。通过使用二维周期性结构的衍射效应，能改进从形成有突起/凹陷的表面的光引出效率。通过利用具有高反射率的金属电极把向金属电极发射的光反射到形成有突起/凹陷的表面，能倍增由二维周期性结构实现的以上效果。
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