公开(公告)号：CN101562153A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910132820.5

申请日：2009-04-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  野村典嗣

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/50 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1233 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明名称为半导体装置及半导体装置的制造方法。中间夹着绝缘层贴合具有脆弱层的单晶半导体衬底和基础衬底，通过热处理以脆弱层为界线分离单晶半导体衬底，并在基础衬底上固定单晶半导体层，对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层处于部分熔化状态来进行再单晶化，而修复结晶缺陷。并且，使用光掩模对成为n型晶体管的岛状单晶半导体层进行沟道掺杂，接着使用该光掩模对该成为n型晶体管的岛状单晶半导体层进行回蚀刻，来将其减薄到薄于成为p型晶体管的岛状单晶半导体层的厚度。

公开(公告)号：CN101471398A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810189178.X

申请日：2008-12-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  广濑贵史

IPC: H01L31/18

Abstract: 本发明名称为光电转换装置的制造方法。在单晶硅衬底中形成脆弱层，在单晶硅衬底的表面一侧形成第一杂质硅层，在其上形成第一电极。在将支撑衬底的一表面和第一电极贴合之后，沿着脆弱层分离单晶硅衬底，以在支撑衬底上形成单晶硅层。在进行单晶硅层的结晶缺陷修复处理或结晶缺陷去除处理之后，使用至少包含硅烷类气体的原料气体，由在大气压或接近大气压的压力下产生的等离子体使原料气体活性化，来使单晶硅层外延生长。在外延生长的单晶硅层的表面一侧形成第二杂质硅层。

公开(公告)号：CN100342484C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN03110587.4

申请日：2003-04-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 仲泽美佐子 ,  一条充弘 ,  浜谷敏次 ,  大沼英人 ,  牧田直树

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 形成了满足以下三个要求，“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”，“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”，及“具有优秀的可重复性”的阻挡层，阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜，阻挡层中所含的低氧化物比率为18%或更高。

公开(公告)号：CN1941419A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610137390.2

申请日：2003-04-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 仲泽美佐子 ,  一条充弘 ,  浜谷敏次 ,  大沼英人 ,  牧田直树

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 形成了满足以下三个要求，“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”，“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”，及“具有优秀的可重复性”的阻挡层，阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜，阻挡层中所含的低氧化物比率为18％或更高。

公开(公告)号：CN1912740A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610114953.6

申请日：2006-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人

IPC: G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G03F1/28 ,  G03F1/32 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  Y10T428/24802

Abstract: 一种配备有半透明膜的能够形成抗蚀剂的曝光掩模，其中，端部处不形成凸出部分，且端部具有平缓的形状。在存在着相对于曝光光具有不同相位和透射率的第一区和第二区的曝光掩模中，相对于透过第一区与第二区的曝光光的相位差Δθ以及第二区对曝光光的透射率n，被定义为满足下列公式1。[公式1]Δθ≤arccos(－/2)。因此，能够形成具有不同厚度的区域并在边缘处具有平缓形状的抗蚀剂。借助于用此抗蚀剂执行诸如刻蚀之类的工艺，能够以自对准的方式形成具有不同厚度的区域。

公开(公告)号：CN1293647C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN02124493.6

申请日：2002-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  仲泽美佐子 ,  大沼英人 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78621

Abstract: 解决了有关源/漏吸杂方法中的n沟道TFT的现有技术中的问题。在n沟道TFT中，其源/漏区仅仅含有n型杂质。因此，比之其源/漏区含有n型杂质和浓度更高的p型杂质的p沟道TFT，n沟道晶体管沟道区中的吸杂效率更低。因此，借助于在其源/漏区末端处提供含有n型杂质和p型杂质二者且p型杂质的浓度设置为高于n型杂质的浓度的高效吸杂区，能够解决n沟道TFT中吸杂效率差的问题。

公开(公告)号：CN1697576A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510070260.7

申请日：2005-05-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大沼英人 ,  纳光明 ,  安西彩 ,  乡戶宏充 ,  二村智哉

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258

Abstract: 在用于制造具有发光元件的显示器件的方法中，第一基底绝缘膜、第二基底绝缘膜、半导体层、以及栅绝缘膜按所述顺序被形成在衬底上。栅电极被形成在栅绝缘膜上以便于与半导体层的至少一部分重叠，并且作为栅绝缘膜与第二基底绝缘膜中的像素部分的一部分掺杂有至少一种导电类型的杂质。通过选择性地蚀刻都掺杂有杂质的栅绝缘膜与第二基底绝缘膜而形成开口部分。第一基底绝缘膜被暴露在开口部分的底表面中。随后，绝缘膜被形成得覆盖开口部分、栅绝缘膜以及栅电极，并且发光元件被形成在绝缘膜上以便于与开口部分的至少一部分重叠。

公开(公告)号：CN1608980A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410058766.1

申请日：2004-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人

IPC: C01B31/02 ,  C01B31/04 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/18 ,  D01F9/127 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明的目的是提供一种极细碳纤维的制作方法，该制作方法能够控制极细碳纤维的直径。本发明的另一目的是提供一种场致发射元件的制造方法，该场致发射元件的电子发射部分由极细碳纤维组成，且该制作方法能够控制电子发射部分的密度和直径。本发明的特征是：在半导体膜的晶粒边界处凝集金属元素或金属硅化物并控制该金属元素或金属硅化物的大小和密度，之后，以该金属元素或金属硅化物为核形成极细碳纤维。

公开(公告)号：CN1571165A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410064274.3

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L27/092 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，它包括至少一个第一晶体管和一个第二晶体管，所述第一和第二晶体管各自包括：结晶半导体，具有源区和漏区、源区和漏区间的沟道区、以及分别在沟道区和源区之间以及沟道区和漏区之间的一对杂质区，其中包含于该对杂质区内的一种导电类型杂质的浓度小于源区和漏区内杂质的浓度；位于沟道区上的栅绝缘膜；以及位于栅绝缘膜之上的栅电极，其中，第二晶体管中的那对杂质区至少部分地与栅电极重叠，而第一晶体管中的那对杂质区与栅电极之间没有重叠，其中，第一和第二晶体管的源区和漏区包括硅化镍。

公开(公告)号：CN1055790C

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN94116346.6

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 一种在绝缘衬底上形成的TFT，具有源、漏和沟道区，至少在沟道区上形成栅绝缘膜，并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区，以降低截止电流。形成这种结构的方法包括：阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜；用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜，使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后，进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。