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公开(公告)号：CN1197151C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN02119922.1
申请日：1998-12-07
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明的目的是提供一种半导体器件，其包括具有散热片的绝缘衬底和安装在所述绝缘衬底上的半导体元件，其中，所述散热片用由铜和铜氧化物构成的复合材料制成，其特征在于所述铜的氧化物是氧化亚铜(Cu2O)，所述氧化亚铜的含量为20-80体积%。
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公开(公告)号：CN1402342A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02119923.X
申请日：1998-12-07
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L23/373 , C22C9/00 , C22C29/12 , C22C32/00 , C22C1/05
CPC分类号： H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49109 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率，高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料，所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95％或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20－80体积％的铜的氧化物，余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内，热膨胀系数为5×10－6—14×10－6/℃，导热率为30—325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。
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公开(公告)号：CN1377079A
公开(公告)日：2002-10-30
申请号：CN02119922.1
申请日：1998-12-07
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率,高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料,所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95%或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20－80体积%的铜的氧化物,余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内,热膨胀系数为5×10－6－14×10－6/℃,导热率为30－325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。
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公开(公告)号：CN1070007A
公开(公告)日：1993-03-17
申请号：CN92110123.6
申请日：1992-08-28
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： G21C3/07 , C22C1/1084 , C22C32/0068 , C22C33/0285 , G21Y2002/104 , G21Y2004/10 , Y02E30/40
摘要： 耐热氮化物弥散强化合金，具有铁基铁素体钢或铁基奥氏体钢或镍基合金构成的基底金属，和增加基底金属耐热性的，弥散在基底金属的基体中的AlN颗粒和BN颗粒。这种耐热强化合金由于AlN颗粒或BN颗粒在其中的弥散而改善了其高温强度。
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公开(公告)号：CN1161487C
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN02126370.1
申请日：2002-07-19
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： C22C38/28 , B22F2009/041 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C33/02 , C22C33/0285 , C22C38/002 , C22C38/004 , C22C38/22 , B22F1/0044 , B22F9/04 , B22F3/1208 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/20 , B22F2201/11
摘要： 提供了一种抗拉强度不低于1000Mpa，Charpy冲击值不低于1MJ/m2的高强度高韧性铁素体钢，铁素体钢含有，以重量计：不高于1%Si，不高于1.25%Mn，8-30%Cr，不高于0.2%C，不高于0.2%N，不高于0.4%O，总量不高于12%的至少一种选自于Ti，Zr，Hf，V和Nb的化合物形成元素，其中：Ti不高于3%，Zr不高于6%，Hf不高于10%，V不高于1.0%，Nb不高于2.0%，而且必要时还含有不高于0.3%Mo，不高于4%W和不高于1.6%Ni，余者为Fe和不可避免的杂质，而且，所述钢的平均晶粒尺寸不大于1μm。所述铁素体钢可以采用包括对由机械合金化制备的钢粉末进行封装并且对所述封装的钢粉末进行塑性变形的方法采获得。
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公开(公告)号：CN1410585A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02126370.1
申请日：2002-07-19
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： C22C38/28 , B22F2009/041 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C33/02 , C22C33/0285 , C22C38/002 , C22C38/004 , C22C38/22 , B22F1/0044 , B22F9/04 , B22F3/1208 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/20 , B22F2201/11
摘要： 提供了一种抗拉强度不低于1000MPa，Charpy冲击值不低于1MJ/m2的高强度高韧性铁素体钢，铁素体钢含有，以重量计：不高于1％Si，不高于1.25％Mn，8－30％Cr，不高于0.2％C，不高于0.2％N，不高于0.4％O，总量不高于12％的至少一种选自于Ti，Zr，Hf，V和Nb的化合物形成元素，其中：Ti不高于3％，Zr不高于6％，Hf不高于10％，V不高于1.0％，Nb不高于2.0％，而且必要时还含有不高于0.3％Mo，不高于4％W和不高于1.6％Ni，余者为Fe和不可避免的杂质，而且，所述钢的平均晶粒尺寸不大于1μm。所述铁素体钢可以采用包括对由机械合金化制备的钢粉末进行封装并且对所述封装的钢粉末进行塑性变形的方法获得。
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公开(公告)号：CN1375376A
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN02106634.5
申请日：2002-02-28
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： B23K20/12
CPC分类号： C21D9/50 , B23K20/1265 , B23K20/129 , B23K20/227
摘要： 提供了一种在强度和耐腐蚀性等上显示优良特性的铁基微晶体的接合方法,该方法与已有焊接方法不同,在接合部分及其周边部分微晶结构不消失。铁基材料是不含非晶相的铁基微晶体,利用搅拌摩擦接合法,将平均晶径d按纳米计处于10
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公开(公告)号：CN1336793A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN01120722.1
申请日：2001-04-10
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H05K9/0083 , H01L23/552 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01Q17/001 , H01Q17/004 , H05K1/0233 , Y10T428/25 , Y10T428/252 , Y10T428/2982 , Y10T428/2993 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要： 本发明目的是提供一种在超过1GHz的高频区有优异的电磁波吸收特性的电磁波吸收体,和提供该电磁波吸收体的制造方法和器具。本发明的电磁波吸收体和复合件的特征在于磁性金属颗粒被超过20体积%的陶瓷覆盖。其制造方法的特征在于复合磁性颗粒是通过机械合金化方法由磁性金属粉和陶瓷粉组成的复合粉形成的,其中复合磁性颗粒中有大量磁性金属颗粒和陶瓷成一体。此外,本发明提供使用该电磁波吸收体的半导体器件,光发送模件,光接收模件,光发送和接收模件,防止由于电磁波干扰而误操作的自动收费站。
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公开(公告)号：CN1272966A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN99800996.2
申请日：1999-04-22
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01M10/0525 , H01M4/622 , H01M4/623 , H01M4/64 , H01M4/661 , H01M4/667 , H01M6/10 , H01M10/05
摘要： 一种锂二次电池,其制造方法包括:在粘附负极活性材料的铜薄片表面上形成氧化铜须,化学或电还原整个或部分氧化铜,如果需要的话,用镍镀覆铜片以在表面上形成针状突起。该锂二次电池可避免由于铜负极集流体的特性引起传统锂二次电池退化的缺陷。而且该锂二次电池有优良的充电/放电循环特性。
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