公开(公告)号：CN102017169B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN200980112754.3

申请日：2009-06-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  神保洋介 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行 ,  桥本征典 ,  若松贞次

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C16/50 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/67748 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜空间(81)，以基板(W)的成膜面与重力方向大致平行的方式配置所述基板(W)，并通过CVD法将希望的膜形成在所述成膜面上；阴极单元(68、118、128)，具有施加有电压的阴极(75)和两个以上的供电点(88)，所述阴极(75)配置在两侧；以及阳极(67)，与配置在所述阴极单元(68、118、128)的两侧的所述阴极(75)隔开并对置地配置。

公开(公告)号：CN101999174B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200980112942.6

申请日：2009-06-03

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L31/1824 ,  C23C16/4587 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67781 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种薄膜太阳能电池制造装置，具有：成膜室，被排气以减压并通过CVD法在基板上形成膜；放入取出室，与成膜室经由第一开闭部连接，并能够在大气压与减压之间切换；移动轨道，铺设于成膜室和放入取出室；托架，保持基板并沿着移动轨道移动；以及使托架移动的托架移送机构，托架移送机构设置在放入取出室，使托架在成膜室与放入取出室之间移动。

公开(公告)号：CN101999173B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200980112428.2

申请日：2009-06-04

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行 ,  桥本征典 ,  若松贞次

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67781 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4587 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67754 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜室，在基板的成膜面上通过CVD法形成膜；电极单元，具有：施加有电压的阴极被配置在两侧的阴极单元、以及与所述各阴极分别对置且隔开间隔距离配置的一对阳极；掩膜，覆盖所述基板的周缘部；以及排气管道，设置在所述阴极单元的周围，在所述阴极单元与设置在所述阳极侧的所述基板之间形成成膜空间，在所述掩膜与所述阴极单元之间形成排气通道，所述排气管道与所述成膜空间经由所述排气通道连接，导入所述成膜空间的成膜气体通过所述排气通道从所述排气管道排出。

公开(公告)号：CN101999159B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200980112941.1

申请日：2009-06-03

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行 ,  齐藤一也

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/54 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/67167 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32743 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67781 ,  H01L31/18

Abstract: 一种薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜室，被排气以减压并通过CVD法在基板上形成膜；放入取出室，与所述成膜室经由第一开闭部连接，并能够在大气压与减压之间切换；第一托架，保持成膜处理前的基板；以及第二托架，保持成膜处理后的基板，所述放入取出室同时收容所述第一托架与所述第二托架。

公开(公告)号：CN102203317A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980143808.2

申请日：2009-11-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 松本浩一 ,  依田英德 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  矢岛太郎

IPC: C23C16/509 ,  H01L21/205 ,  H01L31/04 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32183 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/67736 ,  H01L21/67754 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/202 ,  H05H1/30 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的电极电路为等离子体CVD用电极电路，包括：交流电源；匹配电路，连接于该交流电源；以及平行平板电极，由阳极电极与阴极电极组成的对构成，以所述阳极电极与所述阴极电极的电极面相对的方式配置所述阳极电极与所述阴极电极，所述匹配电路、所述平行平板电极、以及由所述平行平板电极生成的等离子体构成平衡电路。

公开(公告)号：CN101999174A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200980112942.6

申请日：2009-06-03

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L31/1824 ,  C23C16/4587 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67781 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种薄膜太阳能电池制造装置，具有：成膜室，被排气以减压并通过CVD法在基板上形成膜；放入取出室，与成膜室经由第一开闭部连接，并能够在大气压与减压之间切换；移动轨道，铺设于成膜室和放入取出室；托架，保持基板并沿着移动轨道移动；以及使托架移动的托架移送机构，托架移送机构设置在放入取出室，使托架在成膜室与放入取出室之间移动。

公开(公告)号：CN111373514A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880074511.4

申请日：2018-11-19

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大竹文人 ,  小林大士 ,  上野充 ,  和田优 ,  松本浩一

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供了一种氧化物半导体薄膜，其由包含In、Zn、Ti及Sn的氧化物半导体构成，(In+Sn)/(In+Zn+Ti+Sn)的原子比为0.36以上且0.92以下，Sn/(In+Sn)的原子比为0.02以上且0.46以下，Sn/(In+Zn+Ti+Sn)的原子比为0.01以上且0.42以下，Ti/(In+Zn+Ti+Sn)的原子比为0.01以上且0.10以下。

公开(公告)号：CN101999172B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200980112427.8

申请日：2009-06-04

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67173 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/509 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67781 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的薄膜太阳能电池制造装置具有：成膜室，以基板的成膜面与重力方向大致平行的方式配置所述基板，在所述成膜面上通过CVD法形成膜；电极单元，具有：施加有电压的阴极被配置在两侧的阴极单元、以及与所述各阴极分别对置且隔开间隔距离配置的一对阳极；以及搬送部，支撑所述基板，将所述基板搬送到所述阴极与对置于所述阴极的所述阳极之间，所述间隔距离可变。

公开(公告)号：CN102473609A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080026689.5

申请日：2010-07-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  森胜彦 ,  松本浩一 ,  冈山智彦 ,  森冈和

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/509 ,  C23C16/54 ,  H01L31/04 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/509 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

Abstract: 该成膜装置(10)包括：阴极单元(68)；以及离开所述阴极单元(68)并对置配置的阳极(67)，该阴极单元(68)包括：电极板(76)，施加有电压；温度调整流体用流路(92)，设置在所述电极板(76)上，温度调整流体在该温度调整流体用流路中循环；簇射极板(75)，与所述电极板(76)接触，并具有用于向基板(W)的被成膜面供给工艺气体的多个孔(74)；热交换用板(91)，设置在所述电极板(76)与所述簇射极板(75)之间，并与所述电极板(76)和所述簇射极板(75)接触；以及气体流路(107)，设置在所述热交换用板(91)上，并将所述工艺气体导入到所述热交换用板(91)，且将被导入到所述热交换用板(91)的工艺气体引导至所述簇射极板(75)的所述多个孔(74)。

公开(公告)号：CN102017168A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980112752.4

申请日：2009-06-03

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67754 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/509 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67781 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种薄膜太阳能电池制造装置包括：收容基板的成膜室；以及在该成膜室内对所述基板通过CVD法进行膜形成的电极单元，所述电极单元具有：阳极和阴极；以及侧壁部，所述侧壁部保持该阳极和阴极，构成所述成膜室的壁部的一部分，进一步对于所述成膜室装卸自如。