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公开(公告)号：CN102959681B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201180030323.X
申请日：2011-06-22
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: B08B7/00 , C23C16/24 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本申请公开了一种成膜装置及成膜装置的维护方法。在成膜室的两侧的侧面下部分别设置有各两处、总计四处点火部。点火部在对可燃性的副生成物点火时通电。在成膜室的侧面上形成有用于测定成膜室内的压力的第一检测部。在成膜室的侧面下部形成有第二检测部。在成膜室的上部形成有测定成膜室内的空间温度的第三检测部。
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公开(公告)号：CN101990585B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200980112430.X
申请日：2009-06-05
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C16/4587 , C23C16/24 , C23C16/54 , H01L21/67161 , H01L21/67173 , H01L21/67712 , H01L21/67736 , H01L21/67754 , H01L31/076 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种成膜装置包括：成膜室(11)，在真空中将希望的膜成膜在基板(W)上；放入取出室(13)，经由第一开闭部(25)被固定于所述成膜室(11)，并能将内部减压为真空气氛；第二开闭部(36)，设置在所述放入取出室(13)的、与设置有所述第一开闭部(25)的面相反的面上；以及托架(21)，以所述基板(W)的成膜面与重力方向大致平行的方式保持所述基板(W)，所述托架或所述基板(W)通过所述第二开闭部(36)被搬入、搬出所述放入取出室(13)，在所述放入取出室(13)中并列配置多个所述托架(21)，在所述放入取出室(13)与所述成膜室(11)之间所述多个托架(21)被并列地搬入或搬出，在所述成膜室(11)中对保持在所述多个托架(21)上的多个所述基板(W)同时进行成膜。
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公开(公告)号：CN102959681A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180030323.X
申请日：2011-06-22
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , H01L31/04
CPC classification number: B08B7/00 , C23C16/24 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本申请公开了一种成膜装置及成膜装置的维护方法。在成膜室的两侧的侧面下部分别设置有各两处、总计四处点火部。点火部在对可燃性的副生成物点火时通电。在成膜室的侧面上形成有用于测定成膜室内的压力的第一检测部。在成膜室的侧面下部形成有第二检测部。在成膜室的上部形成有测定成膜室内的空间温度的第三检测部。
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公开(公告)号：CN102369602A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080015594.3
申请日：2010-04-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1876 , H01L21/67173 , H01L21/67207 , H01L21/6776 , H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/1824 , H01L31/202 , H01L31/206 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 该光电转换装置的制造系统为在形成于基板上的透明导电膜上依次层压有p型半导体层、i型半导体层以及n型半导体层的光电转换装置的制造系统，包括：I层成膜反应室，至少包括沿着搬送所述基板的搬送方向依次配置的第一成膜部、第二成膜部以及第三成膜部，用于对所述i型半导体层进行成膜；以及多个门阀，分割所述第一成膜部、所述第二成膜部以及所述第三成膜部，使得在所述搬送方向上所述第二成膜部的长度大于所述第一成膜部以及所述第三成膜部的长度。
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公开(公告)号：CN102301487A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080005941.4
申请日：2010-01-29
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/24 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 该光电转换装置的制造方法为在基板(1)上形成的透明导电膜(2)上依次层压第一光电转换单元(3)和第二光电转换单元(4)的光电转换装置(10)的制造方法，在多个第一等离子体CVD反应室(62、63、64、65)中，分别形成第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)、第一n型半导体层(33)和第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在形成第二i型半导体层(42)之前，向第二等离子体CVD反应室(72)内供给含p型杂质的气体，在所述第二等离子体CVD反应室(72)中，在大气中暴露过的所述第二p型半导体层(41)上形成所述第二i型半导体层(42)，在所述第二i型半导体层(42)上形成所述第二n型半导体层(43)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102017169A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980112754.3
申请日：2009-06-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04 , C23C16/505 , H01L21/205
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/50 , C23C16/5096 , C23C16/54 , H01J37/32568 , H01L21/67748 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜空间(81)，以基板(W)的成膜面与重力方向大致平行的方式配置所述基板(W)，并通过CVD法将希望的膜形成在所述成膜面上；阴极单元(68、118、128)，具有施加有电压的阴极(75)和两个以上的供电点(88)，所述阴极(75)配置在两侧；以及阳极(67)，与配置在所述阴极单元(68、118、128)的两侧的所述阴极(75)隔开并对置地配置。
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公开(公告)号：CN102017169B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN200980112754.3
申请日：2009-06-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04 , C23C16/505 , H01L21/205
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/50 , C23C16/5096 , C23C16/54 , H01J37/32568 , H01L21/67748 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜空间(81)，以基板(W)的成膜面与重力方向大致平行的方式配置所述基板(W)，并通过CVD法将希望的膜形成在所述成膜面上；阴极单元(68、118、128)，具有施加有电压的阴极(75)和两个以上的供电点(88)，所述阴极(75)配置在两侧；以及阳极(67)，与配置在所述阴极单元(68、118、128)的两侧的所述阴极(75)隔开并对置地配置。
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公开(公告)号：CN101999174B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200980112942.6
申请日：2009-06-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01L31/1824 , C23C16/4587 , H01L21/67161 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67754 , H01L21/67781 , H01L31/077 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 一种薄膜太阳能电池制造装置，具有：成膜室，被排气以减压并通过CVD法在基板上形成膜；放入取出室，与成膜室经由第一开闭部连接，并能够在大气压与减压之间切换；移动轨道，铺设于成膜室和放入取出室；托架，保持基板并沿着移动轨道移动；以及使托架移动的托架移送机构，托架移送机构设置在放入取出室，使托架在成膜室与放入取出室之间移动。
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公开(公告)号：CN101999173B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200980112428.2
申请日：2009-06-04
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67781 , C23C16/24 , C23C16/45565 , C23C16/4587 , H01J37/32532 , H01L21/67161 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67754 , H01L31/202 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜室，在基板的成膜面上通过CVD法形成膜；电极单元，具有：施加有电压的阴极被配置在两侧的阴极单元、以及与所述各阴极分别对置且隔开间隔距离配置的一对阳极；掩膜，覆盖所述基板的周缘部；以及排气管道，设置在所述阴极单元的周围，在所述阴极单元与设置在所述阳极侧的所述基板之间形成成膜空间，在所述掩膜与所述阴极单元之间形成排气通道，所述排气管道与所述成膜空间经由所述排气通道连接，导入所述成膜空间的成膜气体通过所述排气通道从所述排气管道排出。
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公开(公告)号：CN101999159B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200980112941.1
申请日：2009-06-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/54 , H01L31/04
CPC classification number: H01L21/67167 , C23C16/5096 , C23C16/54 , H01J37/32743 , H01L21/67161 , H01L21/67173 , H01L21/67754 , H01L21/67781 , H01L31/18
Abstract: 一种薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜室，被排气以减压并通过CVD法在基板上形成膜；放入取出室，与所述成膜室经由第一开闭部连接，并能够在大气压与减压之间切换；第一托架，保持成膜处理前的基板；以及第二托架，保持成膜处理后的基板，所述放入取出室同时收容所述第一托架与所述第二托架。
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