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公开(公告)号：CN113725076B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110790401.1
申请日：2021-07-13
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明提供的一种氢终端金刚石隧穿欧姆接触电阻的制备方法，采用超薄高功函数介质层在氢终端金刚石表面形成超高浓度的空穴层，然后淀积一层金属，利用隧穿原理形成欧姆接触，极大降低欧姆接触电阻。本发明可以兼容现有工艺，操作简单成本低，不需要额外工艺设备，应用前景良好。
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公开(公告)号：CN111996593B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010773709.0
申请日：2020-08-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于PLC的金刚石生长位置控制方法及装置，控制方法包括步骤：获取当前时刻金刚石生长时真空腔体的第一生长温度值和耔晶载物盘的第一生长阶段位置；基于预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表，依据所述第一生长温度值确定耔晶载物盘的第二生长阶段位置；控制所述耔晶载物盘从所述第一生长阶段位置移动至所述第二生长阶段位置。该控制方法在预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表基础上，根据第一真空腔体温度值确定耔晶载物盘位置，进而实现对耔晶载物盘位置的定位，避免人为根据经验进行调整，定位精度较高，误差较小，降低了耔晶生长的不确定因素，从而可以生长得到质量较好的金刚石耔晶。
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公开(公告)号：CN112030226A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010774593.2
申请日：2020-08-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于PLC的金刚石生长流程控制方法及装置，该控制方法包括步骤：根据抽气流程启动信号、抽气系统中各元件的反馈信号和真空腔体反馈的真空计压力模拟量信号进行抽气流程控制，使真空腔体内的压力达到目标压力；根据工艺流程启动信号、抽气系统各元件的反馈信号和真空腔体反馈的真空计压力模拟量信号进行工艺流程控制，实现金刚石生长控制；根据工艺停止信号、抽气系统各元件的反馈信号和真空计压力模拟量信号进行排气流程控制，使真空腔体内的压力恢复至常压。该控制方法可以使得每个阶段中各个元件保持最后的状态，除流程外的元件闭锁，从而避免人为误操作导致的危险事故发生，进而提高金刚石生长的稳定性和安全性。
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公开(公告)号：CN111996581A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010653578.2
申请日：2020-07-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种单晶金刚石与衬底无损耗快速分离方法，包括步骤：S1、选取表面为(100)晶面的单晶金刚石作为衬底；S2、在所述衬底的表层中形成表面为(100)晶面的非金刚石层；S3、刻蚀所述非金刚石层和所述衬底，形成若干表面为(111)晶面的凹槽；S4、在所述非金刚石层的(100)晶面上选择性外延生长金刚石，形成外延层；S5、利用电化学腐蚀方法将所述凹槽之间的所述非金刚石层电解刻蚀掉，使所述外延层与所述衬底分离。该分离方法在金刚石衬底上预先刻蚀(111)晶面的凹槽，然后进行(100)晶面选择性外延，之后利用电化学腐蚀方法刻蚀掉相邻凹槽间的非金刚石层，实现分离衬底与外延层的目的，由于腐蚀深度小，大幅度提升了分离速度。
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公开(公告)号：CN111826635A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010773735.3
申请日：2020-08-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/458
Abstract: 本发明涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括：波导装置，波导装置包括微波天线，微波天线包括进气管、水冷结构、天线下盘和分气盘，反应腔，设置在波导装置下方，与波导装置连接，天线下盘位于反应腔内部；旋转升降冷却机构，旋转升降冷却机构包括主轴、升降机构、旋转机构和冷却机构，其中，主轴顶端与反应腔内设置的生长平台连接；升降机构、旋转机构和冷却机构均与主轴连接，以驱动主轴带动生长平台在反应腔内做直线运动和旋转运动的同时进行水冷散热。本发明的微波等离子体化学气相沉积装置，可以为化学气相沉积工艺提供稳定的生长平台，避免了金刚石膜出现生长不均匀的现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112030226B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010774593.2
申请日：2020-08-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于PLC的金刚石生长流程控制方法及装置，该控制方法包括步骤：根据抽气流程启动信号、抽气系统中各元件的反馈信号和真空腔体反馈的真空计压力模拟量信号进行抽气流程控制，使真空腔体内的压力达到目标压力；根据工艺流程启动信号、抽气系统各元件的反馈信号和真空腔体反馈的真空计压力模拟量信号进行工艺流程控制，实现金刚石生长控制；根据工艺停止信号、抽气系统各元件的反馈信号和真空计压力模拟量信号进行排气流程控制，使真空腔体内的压力恢复至常压。该控制方法可以使得每个阶段中各个元件保持最后的状态，除流程外的元件闭锁，从而避免人为误操作导致的危险事故发生，进而提高金刚石生长的稳定性和安全性。
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公开(公告)号：CN113725076A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110790401.1
申请日：2021-07-13
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明提供的一种氢终端金刚石隧穿欧姆接触电阻的制备方法，采用超薄高功函数介质层在氢终端金刚石表面形成超高浓度的空穴层，然后淀积一层金属，利用隧穿原理形成欧姆接触，极大降低欧姆接触电阻。本发明可以兼容现有工艺，操作简单成本低，不需要额外工艺设备，应用前景良好。
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公开(公告)号：CN112382670A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011077757.2
申请日：2020-10-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/16 , H01L29/45 , H01L29/47
Abstract: 本发明涉及一种基于高纯本征单晶金刚石的雪崩二极管及制备方法，该雪崩二极管包括：本征金刚石层，本征金刚石层为高纯本征金刚石层，本征金刚石层上形成有第一台面和第二台面，第一台面相对于第二台面凸起且位于第二台面的中心；欧姆电极，形成在第二台面的表面且环绕第一台面；肖特基电极，形成在第一台面的表面。该雪崩二极管提高了雪崩二极管的雪崩发生几率、击穿电压、工作电流、响应速度，并且抑制了因工作温度过高而导致的失效问题，使得雪崩二极管雪崩状态可控且在高重频短脉冲下具有稳定复现的高击穿场强。
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公开(公告)号：CN112133752A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010879627.4
申请日：2020-08-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及一种复合终端表面金刚石高压场效应晶体管及其制作方法，该晶体管包括：金刚石衬底；复合终端表面，位于金刚石衬底的表面；源电极，位于复合终端表面的一端；漏电极，位于复合终端表面的另一端；栅介质，位于源电极和漏电极之间的复合终端表面上，且覆盖部分源电极和部分漏电极；栅电极，位于栅介质上，且位于源电极和漏电极之间；其中，复合终端表面由间隔的氢终端表面和改性终端表面形成，且改性终端表面位于漏电极下方、漏电极和栅电极之间的栅介质下方以及栅电极靠近漏电极一侧的边缘下方。该晶体管中复合终端表面的采用抑制了反向泄露电流、提高了器件耐压能力、优化了器件性能。
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公开(公告)号：CN112011828A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010774602.8
申请日：2020-08-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于金刚石生长的PLC辉光控制方法及装置，该方法包括：获取初始辉光功率以及配方表；控制射频电源开启辉光放电，并根据配方表中生长准备阶段的标准真空压力与第一实时压力的比较结果对射频电源进行控制；控制射频电源继续进行辉光放电使目标辉光功率保持不变，同时控制目标压力保持不变；控制射频电源逐渐降低辉光放电功率，并根据配方表中生长结束阶段的标准真空压力与第二实时压力的比较结果对射频电源进行控制。该控制方法将真空压力控制与射频电源辉光放电控制进行有机结合，为金刚石生长提供了良好的条件。
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