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公开(公告)号：CN102184851B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201010625170.0
申请日：2010-12-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： G·珀勒斯
IPC: H01L21/265 , H01L21/027 , G03F7/039 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0392 , G03F7/0397
Abstract: 提供了包含低Tg组分的新型光致抗蚀剂且其特别适用于离子注入光刻应用。对于下层的无机表面例如SiON、氧化硅、氮化硅和其它无机表面，本发明优选的光致抗蚀剂能显示出良好的粘结能力。
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公开(公告)号：CN104749888A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410858486.2
申请日：2014-12-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Abstract: 提供了修整光致抗蚀剂图案的组合物和方法。光致抗蚀剂修整组合物包括：基体聚合物，其包括从以下通式(I)的单体形成的单元，其中：R1选自氢、氟、C1-C3烷基、和C1-C3氟烷基；R2选自C1-C15亚烃基；且R3选自C1-C3氟烷基；不含氟的芳酸；和溶剂。所述组合物和方法特别适用于半导体设备的制造。
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公开(公告)号：CN103852973A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310757277.4
申请日：2013-11-29
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/40 , C07C309/03 , C07C309/06 , C07D239/26 , C07D241/12 , C07D263/32 , C07D277/22 , C07D333/48 , G03F7/0397 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/405
Abstract: 本发明提供了一种新的离子型热酸生成剂组合物。同样提供了光刻胶组合物、抗反射涂覆组合物，和化学修整外涂层组合物，和使用这些组合物的方法。
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公开(公告)号：CN103913946B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201310757477.X
申请日：2013-12-31
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: G03F7/00 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 光刻胶图案修剪方法。提供修剪光刻胶图案的方法。该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底上形成光刻胶图案，其中由化学放大光刻胶组合物来形成光刻胶图案，该化学放大光刻胶组合物包括含有酸不稳定性基团的母体聚合物；光生酸剂和溶剂；(c)将光刻胶修剪组合物涂覆到衬底上的光刻胶图案之上，其中，该修剪组合物包括：母体聚合物，不含氟的芳香酸；以及溶剂；(d)加热涂覆后的衬底，从而改变光刻胶图案表面区域中的光刻胶母体聚合物的极性；以及(e)使光刻胶图案接触清洗剂，除去光刻胶图案的表面区域，从而形成经修剪的光刻胶图案。该方法特别适用于半导体装置的制造中。
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公开(公告)号：CN103823331B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201310526492.3
申请日：2013-10-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/20 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 提供了一种新颖的光刻胶组合物，该组合物包含一种组分，所述组分包含对辐射不敏感的离子性化合物。本发明优选的光刻胶可以包含：具有对光致酸不稳定的基团的树脂；光致酸生成剂化合物；以及对辐射不敏感的离子性化合物，该化合物可以用来减少光致生成的酸扩散到光刻胶涂层的未曝光区域以外的不利现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102592978B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110463160.6
申请日：2011-12-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: H01L21/266 , H01L21/027 , G03F7/039 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/266 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/09 , G03F7/40
Abstract: 光致抗蚀剂及其使用方法。提供了一种新型的光致抗蚀剂，其包含多酮组分，且特别适用于离子注入光刻应用。本发明优选的光致抗蚀剂对位于其下的无机表面例如SiON、氧化硅、氮化硅、硅酸铪、硅酸锆和其它无机表面，能显示出优良的粘性。提供了一种提供离子注入的半导体基材的方法，所述方法包含：提供其上涂敷有化学增幅型的正性光致抗蚀剂组合物浮雕图像的半导体基材，其中光致抗蚀剂包含1)树脂、2)光敏组分和3)多酮组分；和施加离子到基材上。
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公开(公告)号：CN102194673B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201010625128.9
申请日：2010-12-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： G·珀勒斯
IPC: G03F7/00 , H01L21/266
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0085 , G03F7/0397 , G03F7/0752 , G03F7/40
Abstract: 提供新型光致抗蚀剂，其包含含Si组分，且特别适用于离子注入平版印刷应用。本发明的光致抗蚀剂对位于其下的无机表面如SiON、氧化硅、氮化硅和其它无机表面，能显示出良好的粘结能力。
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公开(公告)号：CN102591145A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110455160.1
申请日：2011-09-14
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0382
Abstract: 包含多酰胺组分的光刻胶。提供了包含两个或多个酰胺基团的组分的新的光刻胶组合物。本发明优选的光刻胶可包括具有光致酸不稳定基团的树脂；光致酸产生剂化合物；和多酰胺组份，其可用于减少在光刻胶涂层的非曝光区域中不需要的光生酸扩散。
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公开(公告)号：CN102184851A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010625170.0
申请日：2010-12-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： G·珀勒斯
IPC: H01L21/265 , H01L21/027 , G03F7/039 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0392 , G03F7/0397
Abstract: 提供了包含低Tg组分的新型光致抗蚀剂且其特别适用于离子注入光刻应用。对于下层的无机表面例如SiON、氧化硅、氮化硅和其它无机表面，本发明优选的光致抗蚀剂能显示出良好的粘结能力。
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公开(公告)号：CN104749888B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201410858486.2
申请日：2014-12-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Abstract: 提供了修整光致抗蚀剂图案的组合物和方法。光致抗蚀剂修整组合物包括：基体聚合物，其包括从以下通式(I)的单体形成的单元，其中：R1选自氢、氟、C1‑C3烷基、和C1‑C3氟烷基；R2选自C1‑C15亚烃基；且R3选自C1‑C3氟烷基；不含氟的芳酸；和溶剂。所述组合物和方法特别适用于半导体设备的制造。
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