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公开(公告)号：CN1407135A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02132070.5
申请日：2002-09-10
Applicant: 安内华株式会社
IPC: C23F1/08 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4557 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/5096 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种表面处理装置，由内部载置基板的基板载置构件和气体放出构件相对配置的处理室、处理室的排气器件和气体供给器件构成，其特征是：气体放出构件，从上流侧开始按如下顺序配置：气体分散构件、有多个气体通路且设有冷却介质流动通道或加热器的气体板的冷却或加热构件，以及具有与气体通路连通的多个气体吹出孔的气体板，通过固定静电吸附构件或气体板周边部的固定部件，将气体板固定在冷却或加热构件上。可在气体板和冷却或加热构件之间设置第2气体分散构件，在冷却介质流动通道的正下方设置气体吹出孔。由此可形成均匀的气流分布，并且实现气体板的温度及其分布的控制性能优越的气体放出构件，可连续进行均匀的处理。
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公开(公告)号：CN1296977C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN02139983.2
申请日：2002-12-04
Applicant: 安内华株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/67028 , H01L21/67069
Abstract: 提供一种有效防止微粒附着在基板上的性能好的绝缘膜刻蚀装置。基板(9)保持在处理室(1)内的基板支架(2)上，由气体导入系统(3)导入刻蚀用气体。在等离子体形成装置(4)中由装置形成等离子体，通过等离子体中活性种和离子的作用来进行基板(9)表面的绝缘膜的刻蚀。控制部(8)在刻蚀结束后，由搬运机器人(51)从处理室(1)内取出基板(9)，由排气系统排气处理室(1)后，通过气体导入系统(3)导入清洁用气体，并由等离子体形成用单元(4)形成等离子体，通过等离子体作用来去除堆积在处理室(1)内露出面上的膜。设置在比基板保持面低的冷却捕集器(12)被强制冷却，捕集堆积作用的气体分子后堆积多的膜。冷却捕集器(12)可交换，其前面有防止堆积的膜剥离的凹凸部，表面为氧化物或绝缘物。
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公开(公告)号：CN1277951C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN03105242.8
申请日：2003-02-25
Applicant: 安内华株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种表面处理装置，实现可有效地对需要温度控制的部分进行冷却或加热、并在所需的温度下均匀地进行控制的热交换器，由此可连续地进行稳定的处理。在具有排气机构和气体导入机构的处理室的内部，具备放置基板的基板放置台和气体排放机构，通过上述气体排放机构，朝向基板排放的气体或其反应生成物，对基板进行处理，其特征在于：基板放置台、气体排放机构或处理室具备热交换器，该热交换器是，在二个板状体之间设置有分隔壁，形成流路，使流体流过该流路，将上述板状体或与上述板状体接触的部件冷却或加热至规定的温度，即，分别在上述流路的内部的二个板状体上，与流路平行或具有规定的角度地设置翼片。
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公开(公告)号：CN1253286C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN03136774.7
申请日：2003-04-16
Applicant: 安内华株式会社
CPC classification number: H01L21/67103 , B23Q3/154 , H01J37/32082 , H01L21/6831 , Y10T279/23
Abstract: 本申请公开了ESC台的结构，其中的吸附电极夹在减速缓冲层和覆层之间。减速缓冲层和覆层的热膨胀系数位于介电板和吸附电极之间。本申请也公开了ESC台的最佳整个厚度，构成减速缓冲层的混合物的最佳比率，该混合物的热膨胀系数的最佳范围。本申请进一步公开了一种在基底上进行处理的基底处理装置，保持该基底的温度高于室温，该装置包括用于在处理过程中固定基底的静电吸附台。
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公开(公告)号：CN1227390C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN02132070.5
申请日：2002-09-10
Applicant: 安内华株式会社
IPC: C23F1/08 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4557 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/5096 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种表面处理装置，由内部载置基板的基板载置构件和气体放出构件相对配置的处理室、处理室的排气器件和气体供给器件构成，其特征是：气体放出构件，从上流侧开始按如下顺序配置：气体分散构件、有多个气体通路且设有冷却介质流动通道或加热器的气体板的冷却或加热构件，以及具有与气体通路连通的多个气体吹出孔的气体板，通过固定静电吸附构件或气体板周边部的固定部件，将气体板固定在冷却或加热构件上。可在气体板和冷却或加热构件之间设置第2气体分散构件，在冷却介质流动通道的正下方设置气体吹出孔。由此可形成均匀的气流分布，并且实现气体板的温度及其分布的控制性能优越的气体放出构件，可连续进行均匀的处理。
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公开(公告)号：CN1444257A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03110796.6
申请日：2003-02-08
Applicant: 安内华株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23F4/00 , C23C16/513 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32082 , C23C16/505 , H01J37/32165
Abstract: 本申请公开了利用两个不同频率的射频波的射频等离子体处理的技术，在其中能够充分并且稳定地生成和保持等离子体。第一频率是用于通过引起放电来生成等离子体，第二频率是用于在被处理的基片上生成自偏电压。在施加第一频率的射频波以后通过一个时滞来施加第二频率的波。本申请还公开了在射频等离子体处理中的阻抗匹配技术，在其中为了引起放电和稳定等离子体来优化被提供的阻抗。
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