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公开(公告)号：CN1988116A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200510132690.7
申请日：2005-12-20
申请人： 韩国科学技术院
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 公开了一种制造包括由硅鳍和硅主体构成的沟道的场效应晶体管的方法以及通过该方法制造的场效应晶体管，其中该硅鳍的取向与该硅主体不同。该方法包括以下步骤：(a)在包括硅薄膜的基板上形成硬掩模图案；(b)使用该掩模图案作为掩模将硅薄膜各向异性地蚀刻到预定厚度，从而不仅形成其中要形成沟道的硅鳍和其中要形成源/漏区的硅图案，而且形成将硅鳍彼此连接以形成沟道的硅主体；(c)使用有源掩模对硅薄膜进行部分蚀刻，以使源/漏区和该器件彼此隔离；以及(d)在硅沟道周围生长栅极电介质膜，并在所得到的结构上依次淀积栅极材料和栅掩模，然后形成栅区。
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公开(公告)号：CN1855448A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610076089.5
申请日：2006-04-27
申请人： 韩国科学技术院
CPC分类号： H01L27/11568 , H01L27/115 , H01L27/1203
摘要： 在此提供了一种闪速存储器，尤其提供了一种基于反偏压擦除闪存块的方法和结构。所述方法包括在绝缘体上硅(SOI)衬底上形成闪存块的步骤，以及在该绝缘体上硅(SOI)衬底的背面形成体电极的步骤。
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公开(公告)号：CN1835248A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610002371.9
申请日：2006-01-27
申请人： 韩国科学技术院
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L29/0653 , H01L29/1037 , H01L29/66545 , H01L29/78654 , H01L29/78696
摘要： 本发明涉及一种SON MOSFET及其制造方法，其中在硅基板内形成有气泡，进而同时改进晶块结构和绝缘体上硅(SOI)结构的缺陷。根据本发明的SON MOSFET包括形成在硅基板顶部两侧上的隔离绝缘膜，顺序形成在隔离绝缘膜之间的硅基板表面上的栅极绝缘膜和栅极，形成在栅极绝缘膜和隔离绝缘膜之间的硅基板上源极区和漏极区，形成在栅极绝缘膜下方硅基板内的气泡，以及气泡、源极区和漏极区围绕的置于硅基板内的硅沟道，其中气泡由氢或氦离子形成。
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公开(公告)号：CN100456454C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200610076089.5
申请日：2006-04-27
申请人： 韩国科学技术院
CPC分类号： H01L27/11568 , H01L27/115 , H01L27/1203
摘要： 在此提供了一种闪速存储器，尤其提供了一种基于反偏压擦除闪存块的方法和结构。所述方法包括在绝缘体上硅(SOI)衬底上形成闪存块的步骤，以及在该绝缘体上硅(SOI)衬底的背面形成体电极的步骤。
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公开(公告)号：CN100433251C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610112308.0
申请日：2006-08-31
申请人： 韩国科学技术院
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01F41/00 , C01B31/02 , B82B3/00
CPC分类号： H01L21/76877 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C99/0085 , B81C2201/034 , B82Y10/00 , H01F41/041 , H01L21/76885 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/53276 , H01L51/0048 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种通过在凹槽内填充碳纳米管以制备半导体器件的方法。所述的制备半导体器件方法包括：在衬底上图形化一层掩膜；在凹槽和通过图形化形成的掩膜的整个表面覆盖碳纳米管；将覆盖在整个掩膜表面的碳纳米管填进凹槽；去掩膜。
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公开(公告)号：CN101267002A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810085039.2
申请日：2008-03-14
申请人： 韩国科学技术院
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/28273 , B82Y10/00 , H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L29/4234 , H01L29/51 , H01L29/511 , H01L29/792 , H01L51/0046 , H01L51/0048
摘要： 本发明涉及一种非易失性存储元件及其制造方法。根据本发明的非易失性存储元件包括：衬底、形成在衬底的有源区上方的第一氧化膜、形成在有源区内的源极和漏极、形成在第一氧化膜上的电荷存储单元、设置成包围电荷存储单元并形成在第一氧化膜上的第二氧化膜、以及形成以包围第二氧化膜的栅极。在根据本发明的非易失性存储元件及包括其的元件阵列的情况下，电荷存储单元被栅极或栅极衬完全包围，由此能够使可能因形成在另一相邻栅极或栅极衬中的元件的存储运行而发生的干扰现象最小化。
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公开(公告)号：CN1959996A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610090020.8
申请日：2006-06-23
申请人： 韩国科学技术院
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14643
摘要： 本发明公开了一种CMOS影像感应器，它包括：基板上加工形成的光电二极管；基板上加工形成的浮动扩散放大器区，浮动扩散放大器区与光电二级管有一定的距离并且围绕着光电二级管；一个中转门，中转门与光电二极管和浮动扩散放大器区也有一定的距离，在光电二极管和浮动扩散放大器区之间形成边界区，因此，中转门与光电二级管和浮动扩散放大器区重叠。
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公开(公告)号：CN1828849A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610002569.7
申请日：2006-01-10
申请人： 韩国科学技术院
IPC分类号： H01L21/336 , B82B3/00
CPC分类号： G01N33/54373 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , G01N33/552 , G01N33/553 , G01N2610/00
摘要： 本发明涉及形成纳米间隙的方法、用于分子器件或生物传感器的纳米场效应晶体管的制造方法及其组件，更具体地，本发明涉及使用薄层形成高重现性纳米间隙的方法，所述薄层具有分子尺寸或与分子尺寸相似的尺寸，并且涉及通过形成纳米间隙的方法制造的纳米场效应晶体管。本发明的形成纳米间隙的方法包括以下步骤：(a)在硅基材上依次形成绝缘层、第一金属层和硬掩模；(b)使用所述掩模作为蚀刻掩模部分地蚀刻所述第一金属层；(c)在所述第一金属层的侧表面上形成自组装的单层(SAM)，以在所述硅基材上形成纳米间隙；(d)在包括所述掩模在内的整个结构体上沉积金属，以形成第二金属层；(e)采用剥离工序通过蚀刻步骤(a)中所形成的掩模，除去沉积在所述硬掩模上的金属；以及(f)蚀刻步骤(c)中所形成的自组装的单层，以形成纳米间隙。
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