-
公开(公告)号:CN101819388B
公开(公告)日:2012-08-08
申请号:CN201010186504.9
申请日:2006-06-20
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: J·H·W·雅各布斯 , N·坦卡特 , M·H·A·李恩德斯 , E·R·卢普斯特拉 , M·C·M·弗哈根 , H·布姆 , F·J·J·詹森 , I·P·M·鲍查姆斯 , N·R·坎帕 , J·J·奥坦斯 , Y·科克 , J·范埃斯
IPC分类号: G03F7/20
CPC分类号: G03F7/70341 , G03F7/70716 , G03F7/70875
摘要: 本发明涉及用于保持基板和浸没光刻装置的热平衡的方法和装置,其通过含有与基板的位置、速度和加速度相关的信息的时间表,和对应时间表内的信息而起减少局部蒸发和/或增加局部冷凝作用的蒸发控制器或冷凝控制器来实现。基板表面的水分的蒸发使其冷却,而冷凝到基板底表面的水分将该基板局部加热。
-
公开(公告)号:CN101713732B
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN200910175167.0
申请日:2009-09-25
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: L·范道仁 , J·H·W·雅各布斯 , W·A·琼格尔
CPC分类号: G01N21/39 , G01N21/274 , G01N21/314 , G01N21/3554 , G01N2021/399 , G03F7/70341 , G03F7/70775 , G03F7/7085 , G03F7/70858 , G03F7/70916
摘要: 本发明公开了一种光刻设备和例如用于光刻设备的湿度测量系统。湿度测量系统包括可调谐激光二极管,配置以发射测量辐射束,所述测量辐射束具有在一波长范围内的波长。所述波长范围包括与水分子的吸收峰相关的第一波长。信号处理单元连接至辐射探测器。信号处理单元配置以测量经受吸收的所述可调谐激光二极管的测量辐射束的强度。所述信号处理单元还被连接至所述可调谐激光二极管,用于获得波长信息。所述信号处理单元被布置以探测作为所述波长的函数的在测量强度中的极限值和由所探测的极限值计算湿度值。
-
公开(公告)号:CN102141740A
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:CN201110084754.6
申请日:2009-09-25
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: L·范道仁 , J·H·W·雅各布斯 , W·A·琼格尔
CPC分类号: G01N21/39 , G01N21/274 , G01N21/314 , G01N21/3554 , G01N2021/399 , G03F7/70341 , G03F7/70775 , G03F7/7085 , G03F7/70858 , G03F7/70916
摘要: 本发明公开了一种光刻设备,所述光刻设备包括:湿度测量系统,所述湿度测量系统包括:可调谐激光二极管,配置以发射测量辐射束,所述测量辐射束具有在一波长范围内的波长,所述波长范围包括与水分子的吸收峰相关的第一波长;和连接至辐射探测器的信号处理单元,所述辐射探测器被配置以测量经受吸收的所述可调谐激光二极管的测量辐射束的强度,并且所述信号处理单元被连接至所述可调谐激光二极管,用于获得波长信息,和一个或多个浸没系统部件,其中所述湿度测量系统配置成测量从所述一个或多个浸没系统部件中抽取的空气的湿度,用于确定所述一个或多个浸没系统部件上的热负载。
-
公开(公告)号:CN1841212A
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN200610077418.8
申请日:2006-03-28
申请人: ASML荷兰有限公司
IPC分类号: G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号: G03F7/70933
摘要: 一种光刻投影装置,包括:·用于提供辐射投影光束的辐射系统;·具有掩模架用于保持掩模的掩模台;·具有基底架用于保持基底的基底台;·用于将掩模的辐射部分成像在基底的靶部分上的投影系统。由此:a)用介入空间将投影系统与基底台分隔开,该介入空间至少能部分地被抽真空,并且其在投影系统位置处由固体表面界定,所用的辐射从该表面指向基底台;b)介入空间包括位于固体表面和基底台之间的并围绕辐射路径设置的中空管,该管的形状和尺寸是这样的:使得投影系统聚焦在基底台上的辐射不会与该中空管壁交叉。c)提供用于利用气流连续冲洗中空管内部的部件,其中所述气体为氢气、氦气、氘化氢、氘或氩气和氢气的混合物,并且该气体的流动与来自基底的污染物的流动相反,并且/或中空管与介入空间流体连通。
-
公开(公告)号:CN118285157A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202280077258.4
申请日:2022-10-26
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: J·H·W·雅各布斯 , D·J·M·狄莱克斯 , W·P·范德伦特
IPC分类号: H05G2/00
摘要: 本发明涉及一种用于将目标材料供应到辐射源的设备的阀系统,所述目标材料具有高于室温的熔化温度且处于至少200巴的压力下,其中,阀系统包括:‑腔室,所述腔室具有圆形横截面;‑圆形阀体,所述圆形阀体布置于腔室中并且匹配腔室的圆形横截面,其中,腔室包括第一端口和第二端口,其中,阀体能够围绕旋转轴线在平行于圆形横截面的平面的平面中在打开位置与关闭位置之间旋转;在打开位置处,阀体中的通道在第一端口与第二端口之间提供流动路径;在关闭位置处,阀体中的通道至少与第一端口断开连接。
-
公开(公告)号:CN116472497A
公开(公告)日:2023-07-21
申请号:CN202180075400.7
申请日:2021-10-14
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: A·J·范德奈特 , M·C·M·维哈根 , J·H·W·雅各布斯 , L·J·A·凡鲍克霍文 , J·P·J·范勒比锡格
摘要: 提供了一种用于光刻设备的调节系统,所述调节系统被配置成调节光刻设备的一个或多个光学元件,其中所述调节系统被配置成在一个或多个光学元件处具有亚大气压力。还提供了包括这种调节系统的光刻设备、这种调节系统的用途、调节系统的方法以及包括亚大气压力冷却系统的光刻方法。
-
公开(公告)号:CN106873312B
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:CN201610987008.0
申请日:2013-03-19
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: T·劳伦特 , J·H·W·雅各布斯 , H·考克 , Y·范德维基维尔 , J·范德瓦尔 , B·克拿伦 , R·J·伍德 , J·S·C·维斯特尔拉肯 , H·范德里基德特 , E·库伊克尔 , W·M·J·赫肯斯-墨腾斯 , Y·B·Y·特莱特
IPC分类号: G03F7/20
摘要: 本发明提供了一种用于浸没光刻设备中的传感器、光刻设备和使用浸没光刻设备的器件制造方法。所述传感器包括构件,在传感器的使用过程中所述构件接触供给至与投影系统的最终元件相邻的空间的浸没液体;变换器,配置成将刺激转换为电信号;温度调节装置,配置成使用由冷却剂供给装置所供给的热传递介质进行所述变换器的温度调节;和控制器,配置成控制所述温度调节装置以主动地控制所述变换器的温度。
-
公开(公告)号:CN107367907B
公开(公告)日:2019-05-03
申请号:CN201710708172.8
申请日:2013-05-17
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: S·N·L·唐德斯 , M·菲恩 , C·A·霍根达姆 , M·霍本 , J·H·W·雅各布斯 , A·H·凯沃特斯 , R·W·L·拉法雷 , J·V·奥弗卡姆普 , N·坦凯特 , J·S·C·韦斯特拉肯 , A·F·J·德格罗特 , M·范贝杰纳姆
IPC分类号: G03F7/20
摘要: 一种用于光刻装置的支撑装置(60),具有物体保持件(61)和在物体保持件径向外侧的提取主体(65)。物体保持件被配置为支撑物体(W)。提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口(66)。提取主体与物体保持件间隔开,使得提取主体与物体保持件基本解耦。提取主体包括突起(30),所述突起被配置为使得其围绕物体保持件,并且使得在使用中液体(32)的层保留在突起上且接触支撑在物体保持件上的物体。
-
公开(公告)号:CN104412164B
公开(公告)日:2017-09-12
申请号:CN201380028677.X
申请日:2013-05-17
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: S·N·L·唐德斯 , M·菲恩 , C·A·霍根达姆 , M·霍本 , J·H·W·雅各布斯 , A·H·凯沃特斯 , R·W·L·拉法雷 , J·V·奥弗卡姆普 , N·坦凯特 , J·S·C·韦斯特拉肯 , A·F·J·德格罗特 , M·范贝杰纳姆
IPC分类号: G03F7/20
CPC分类号: G03F7/70716 , G03F7/70341 , G03F7/707 , G03F7/70733
摘要: 一种用于光刻装置的支撑装置(60),具有物体保持件(61)和在物体保持件径向外侧的提取主体(65)。物体保持件被配置为支撑物体(W)。提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口(66)。提取主体与物体保持件间隔开,使得提取主体与物体保持件基本解耦。提取主体包括突起(30),所述突起被配置为使得其围绕物体保持件,并且使得在使用中液体(32)的层保留在突起上且接触支撑在物体保持件上的物体。
-
公开(公告)号:CN104321702B
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201380026160.7
申请日:2013-03-19
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: T·劳伦特 , J·H·W·雅各布斯 , H·考克 , Y·范德维基维尔 , J·范德瓦尔 , B·克拿伦 , R·J·伍德 , J·S·C·维斯特尔拉肯 , H·范德里基德特 , E·库伊克尔 , W·M·J·赫肯斯-墨腾斯 , Y·B·Y·特莱特
IPC分类号: G03F7/20
CPC分类号: G03F7/7085 , G03F7/70341 , G03F7/70666 , G03F7/70858 , G03F7/70891
摘要: 一种用于浸没类型的光刻设备中的传感器(100),其在使用时接触浸没液体(11),布置成使得从传感器的变换器(104)至温度调节装置(107)的第一热流路径的热阻小于从变换器至浸没液体的第二热流路径的热阻。因此,热流更倾向于流向温度调节装置而不是浸没液体,使得能够减小或最小化浸没液体中的温度引发的扰动。
-
-
-
-
-
-
-
-
-