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公开(公告)号：CN108604070A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780008738.4
申请日：2017-01-25
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: G03F7/40
CPC classification number: G03F7/405
Abstract: 本发明提供一种涂布性优异的表面处理用组合物，其可提高抗蚀图案的耐热性，且可降低抗蚀图案相对于溶剂的溶解性。另外，本发明提供一种使用该表面处理用组合物的抗蚀图案的表面处理方法、以及使用该表面处理用组合物的抗蚀图案的形成方法。本发明提供一种抗蚀图案的表面处理用组合物，其特征在于，其包含溶剂、以及可溶于前述溶剂的聚硅氧烷化合物，构成前述聚硅氧烷化合物的硅原子与被氮取代的烃基键合，条件是前述硅原子与前述烃基中的碳原子直接结合。本发明还提供一种使用该组合物的表面处理方法，以及一种使用该组合物的抗蚀图案的形成方法。
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公开(公告)号：CN104885204B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201380060803.X
申请日：2013-11-15
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: H01L21/316 , C01B33/12 , H01L21/768
CPC classification number: C01B33/12 , B05D3/007 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L21/31111 , H01L21/76224
Abstract: 通过如下的工序形成高纯度且蚀刻速率迟缓的二氧化硅质膜：(a)通过将聚硅氮烷、例如全氢聚硅氮烷的溶液涂布于基板然后在氧化气氛下进行固化(硬化)，或者通过将利用溶胶‑凝胶法形成的二氧化硅溶液涂布于基板，从而在基板上形成二氧化硅质膜的工序；以及(b)将该二氧化硅质膜在包含烷基胺那样的碱解离常数(pKb)为4.5以下的含氮化合物或者F2、Br2、NF3那样的卤素原子的键能为60kcal/mol以下的含卤素化合物的非活性气体气氛下加热而退火的工序。
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公开(公告)号：CN109074003B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201780021583.8
申请日：2017-04-03
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
Abstract: 提供了一种间隙填充组合物，其可抑制图案倒塌，以及使用该组合物的图案形成方法。提供了一种间隙填充组合物，其包含间隙填充化合物、有机溶剂以及根据需要的水，该间隙填充化合物具有特定结构，并且在分子内具有多个羟基、羧基或者氨基。提供了一种使用低分子量化合物的图案形成方法。
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公开(公告)号：CN105103053A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480010383.9
申请日：2014-03-14
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08L33/14 , C09D139/04 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0274 , H01L21/76816
Abstract: 本发明提供一种可形成表面皲裂少的微细的负型光致抗蚀图案的组合物、以及使用该组合物的图案形成方法。一种组合物，其为微细图案形成用组合物，该微细图案形成用组合物在使用化学放大型正型光致抗蚀组合物而形成正型抗蚀图案的方法中，用于通过使抗蚀图案变粗而使图案微细化，其特征在于：包含在重复单元中包含氨基的聚合物、溶剂以及酸。可通过在显影后的正型光致抗蚀图案上涂布该组合物，并进行加热，从而形成微细的图案。
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