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公开(公告)号：CN105978358B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610320044.1
申请日：2013-03-19
Applicant: MKS仪器股份有限公司
Abstract: 高频电功率向臭氧生产单元的供给的改进能够使用文中所述的系统和技术来实现。操作在远大于负载频率的切换频率下的DC到DC转换器的应用支持了用于为此种单元供电的高压AC的生成，同时允许了元件尺寸的减小以及负载调谐电路中质量因子的减小。用于获得一个或多个切换及负载频率的可控功率逆变器可利用反馈技术来控制，以在外部提供的功率及负载条件中的一个或多个发生变化时向臭氧生产单元提供稳定的、高质量功率。浪涌保护电路也可提供以选择性地引入电流限制电阻，直至输入DC总线已被有效初始化，该有效初始化由从DC总线获得的测量值来确定。电流限制电阻可以是正温度系数热敏电阻。
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公开(公告)号：CN102339717B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110289004.2
申请日：2004-04-12
Applicant: MKS仪器股份有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32449 , H01J37/32467 , H01J37/32522
Abstract: 本申请涉及环形低场活性气体和具有绝缘真空容器的等离子体源，描述了用于等离子体系统的等离子体点火和冷却装置和方法。装置(300)包括容器(390)以及与该容器相邻的至少一个点火电极(330)。该至少一个点火电极的尺寸(D)的总长度大于容器通道长度的10％。该装置可包括绝缘环形容器、具有由装有弹簧的装置压向容器的多个部分的散热片、以及在容器和散热片之间的热界面。方法可包括提供具有流速和压力的气体，并将气体流速的一部分引入容器通道。该气体在通道中点燃，同时流速的剩余部分被引离该通道。
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公开(公告)号：CN102339716A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110288983.X
申请日：2004-04-12
Applicant: MKS仪器股份有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32449 , H01J37/32467 , H01J37/32522
Abstract: 本申请涉及环形低场活性气体和具有绝缘真空容器的等离子体源，描述了用于等离子体系统的等离子体点火和冷却装置和方法。装置(300)包括容器(390)以及与该容器相邻的至少一个点火电极(330)。该至少一个点火电极的尺寸(D)的总长度大于容器通道长度的10％。该装置可包括绝缘环形容器、具有由装有弹簧的装置压向容器的多个部分的散热片、以及在容器和散热片之间的热界面。方法可包括提供具有流速和压力的气体，并将气体流速的一部分引入容器通道。该气体在通道中点燃，同时流速的剩余部分被引离该通道。
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公开(公告)号：CN1774787B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200480010066.3
申请日：2004-04-12
Applicant: MKS仪器股份有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32449 , H01J37/32467 , H01J37/32522
Abstract: 描述了用于等离子体系统的等离子体点火和冷却装置和方法。装置(300)包括容器(390)以及与该容器相邻的至少一个点火电极(330)。该至少一个点火电极的尺寸(D)的总长度大于容器通道长度的10％。该装置可包括绝缘环形容器、具有由装有弹簧的装置压向容器的多个部分的散热片、以及在容器和散热片之间的热界面。方法可包括提供具有流速和压力的气体，并将气体流速的一部分引入容器通道。该气体在通道中点燃，同时流速的剩余部分被引离该通道。
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公开(公告)号：CN1774787A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200480010066.3
申请日：2004-04-12
Applicant: MKS仪器股份有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32449 , H01J37/32467 , H01J37/32522
Abstract: 描述了用于等离子体系统的等离子体点火和冷却装置和方法。装置(300)包括容器(390)以及与该容器相邻的至少一个点火电极(330)。该至少一个点火电极的尺寸(D)的总长度大于容器通道长度的10％。该装置可包括绝缘环形容器、具有由装有弹簧的装置压向容器的多个部分的散热片、以及在容器和散热片之间的热界面。方法可包括提供具有流速和压力的气体，并将气体流速的一部分引入容器通道。该气体在通道中点燃，同时流速的剩余部分被引离该通道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106465530B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201580016675.8
申请日：2015-03-19
Applicant: MKS仪器股份有限公司
IPC: H05H1/46
Abstract: 用于生成等离子体的装置包括等离子体放电管和导电盘管，导电盘管成螺旋状缠绕在等离子体放电管的外表面周围。波导联接至微波腔体部，所述微波腔体环绕等离子体放电管以将微波能量引导至等离子体放电管中，从而使得在等离子体放电管中生成等离子体。波导部布置成使得微波能量的电场相对于等离子体放电管的纵轴线定向成预定角度。导电盘管中所得的感应电流影响等离子体放电管中的功率吸收，预定角度可选择成使得等离子体放电管中的功率吸收取决于相对于等离子体放电管的纵轴线的预定分布图。
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公开(公告)号：CN106465530A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580016675.8
申请日：2015-03-19
Applicant: MKS仪器股份有限公司
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32229 , H01J37/32201 , H01J37/32311 , H01J37/32522 , H05H1/46 , H05H2001/4622
Abstract: 用于生成等离子体的装置包括等离子体放电管和导电盘管，导电盘管成螺旋状缠绕在等离子体放电管的外表面周围。波导联接至微波腔体部，所述微波腔体环绕等离子体放电管以将微波能量引导至等离子体放电管中，从而使得在等离子体放电管中生成等离子体。波导部布置成使得微波能量的电场相对于等离子体放电管的纵轴线定向成预定角度。导电盘管中所得的感应电流影响等离子体放电管中的功率吸收，预定角度可选择成使得等离子体放电管中的功率吸收取决于相对于等离子体放电管的纵轴线的预定分布图。
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公开(公告)号：CN103038399B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180027467.X
申请日：2011-06-01
Applicant: MKS仪器股份有限公司
CPC classification number: C25D11/04 , C23C28/321 , C25D5/48 , C25D11/026 , C25D11/16 , H01J37/16 , H01J37/32357 , H01J37/32431 , H01J37/32467
Abstract: 一种用于在半导体加工系统中在物体的表面上形成氧化物层的方法，所述物体包含铝和铜，所述氧化物层具有降低的铜浓度。使用等离子体电解氧化法制备的氧化物层具有降低的铜浓度峰值，这降低了铜污染的风险，并且所述氧化物层包括氧化镁，所述氧化镁在接触受激发的含卤素的气体或含卤素的等离子体时可转化为卤化镁，以增加所述氧化物层的耐侵蚀/腐蚀性。
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公开(公告)号：CN105209156A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480027798.7
申请日：2014-03-14
Applicant: MKS仪器股份有限公司
CPC classification number: H01J37/32449 , B01D53/323 , B01D53/76 , B01D2257/2064 , H01J37/32339 , H01J37/32357 , H01J37/32458 , H01J37/32651 , H01J37/32669 , H01J37/32844 , H01J37/32935 , H01J2237/3321 , H01J2237/334 , H05H1/46 , H05H2001/4667 , H05H2245/121 , Y02C20/30
Abstract: 提供用于减少气体的设备。该设备包含环形等离子体腔室，其具有多个进口和一个出口,和至少一个腔室壁。一个或多个磁芯相对于环形等离子体腔室设置。等离子体腔室限定环形等离子体。第二气体进口设置在环形等离子体腔室上，且设置在第一气体进口和气体出口之间并与该气体出口相距距离d,从而第一气体进口和第二气体进口之间的环形等离子体通道体积基本上由惰性气体填充，该距离d基于所需的要减少的气体的停留时间。
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公开(公告)号：CN103038399A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180027467.X
申请日：2011-06-01
Applicant: MKS仪器股份有限公司
CPC classification number: C25D11/04 , C23C28/321 , C25D5/48 , C25D11/026 , C25D11/16 , H01J37/16 , H01J37/32357 , H01J37/32431 , H01J37/32467
Abstract: 一种用于在半导体加工系统中在物体的表面上形成氧化物层的方法，所述物体包含铝和铜，所述氧化物层具有降低的铜浓度。使用等离子体电解氧化法制备的氧化物层具有降低的铜浓度峰值，这降低了铜污染的风险，并且所述氧化物层包括氧化镁，所述氧化镁在接触受激发的含卤素的气体或含卤素的等离子体时可转化为卤化镁，以增加所述氧化物层的耐侵蚀/腐蚀性。
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