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公开(公告)号：CN106222746A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610905601.6
申请日：2016-10-17
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
发明人： 潘永娥
摘要： 本发明涉及单晶炉熔料时间缩短装置及方法，单晶炉熔料时间缩短装置包括石墨坩埚，所述石墨坩埚的外表面上绕有感应线圈，所述感应线圈具有电路接线端。单晶炉熔料时间缩短方法，包括单晶炉、装有硅料的石英坩埚、加热装置、单晶炉熔料时间缩短装置，在熔料开始时，打开加热装置，并且接通感应线圈，待硅料融化后，关闭感应线圈。通过在石墨坩埚的外表面上绕感应线圈，可以在开始熔化硅料的时候，将感应线圈通电，与现有的单晶炉内的加热装置一起对硅料进行加热，提高加热效率，缩短硅料融化时间，提高单晶棒的生产效率。
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公开(公告)号：CN106029958A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580008300.7
申请日：2015-02-03
申请人： 信越半导体株式会社
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B15/22 , C30B29/06
摘要： 本发明是一种单晶硅制造装置，其是基于CZ法的单晶硅制造装置，具备在内部具有加热原料的加热器的腔室以及通过冷却介质来冷却腔室的装置，所述单晶硅制造装置具备：供冷却所述腔室的冷却介质在腔室内流通的流路上的入口温度、出口温度及流量的测定装置；基于入口温度、出口温度及流量的测定值来计算从腔室去除的去除热量的运算装置；以及基于计算出的去除热量来控制加热器功率的加热器功率控制装置。由此，提供一种单晶硅制造装置，其基于由冷却介质的温度及流量的测定值计算出的从腔室去除的去除热量来控制加热器功率，由此能够以更接近目标值的结晶直径及结晶提拉速度来进行单晶的提拉。
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公开(公告)号：CN103456877B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310257878.9
申请日：2013-06-25
申请人： 陈志明 , 顾伟 , 苏州伟源新材料科技有限公司
IPC分类号： H01L35/34
摘要： 本发明公开了一种用于制冷或制热器件的N型半导体元件制作方法，该N型半导体元件由碲、铋、硒材料制成，先将碲、铋、硒材料粉碎并磨成2000目或2000目以上，然后将各材料按重量份计的配比进行配料得混合料，其配比为：碲40～44份、铋53～57份、硒28～32份。本发明的N型半导体元件在工作时两端的温差较大，经测试本发明的N型半导体元件在工作时其冷端与热端的温差达73～78度左右。所以本发明具有工作效率高、能耗较低的优点。本发明的N型半导体元件特别适合于用于制作半导体的制冷或制热器件。
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公开(公告)号：CN102877123B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210241518.5
申请日：2012-07-12
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： C30B15/14
CPC分类号： C30B15/14 , C30B30/04 , C30B35/00 , H05B3/40 , Y10T117/1068
摘要： 本发明涉及一种用于为生长的单晶供热的环形电阻加热器，其包含：上部环和下部环，它们通过邻接所述下部环的环间隙的回线而导电连接，以使通过环传导的电流的流动方向在所述环中是相反的；以一定距离将所述上部环与下部环固定在一起的连接元件；和引导电流通过所述上部环和下部环的电线。
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公开(公告)号：CN105008278A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480010278.5
申请日：2014-01-30
申请人： 信越半导体股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
CPC分类号： C01B32/956 , C30B15/14 , C30B29/06 , C30B29/36
摘要： 本发明提供一种碳化硅的制造方法，所述方法是在硅晶制造装置内设置碳材加热器，并在非氧化性环境下，通过所述碳材加热器加热并被容纳在容器内的硅熔体来制造硅晶，此时，在所述碳材加热器的表面附带地形成碳化硅，并通过回收该副产物碳化硅来制造碳化硅。由此，能够以低成本、低能耗来制造碳化硅。
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公开(公告)号：CN104651934A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510043615.7
申请日：2015-01-29
申请人： 洛阳市西格马炉业有限公司
摘要： 一种节能型蓝宝石晶体生长炉，生长炉的炉腔内设置有坩埚和夹持籽晶棒的夹持杆，所述坩埚和籽晶棒分别由坩埚升降装置和籽晶棒升降装置控制其上下移动，以保证在晶体生长过程中坩埚内氧化铝熔体的液面始终保持在一个相同的位置；炉体内设置分隔板将其分隔成冷气室和热气室两部分，再加上籽晶棒和氧化铝熔体四部分形成四个温度场，通过热电偶监测四个温度场的温度并进行调节，以使其具有最佳的温度梯度，从而准确控制固液界面温度，提高晶体生长的最佳热场方式，进而找到晶体生长最佳途径，以利于提高晶体生长速度和晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN104630887A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310549626.3
申请日：2013-11-06
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
CPC分类号： C30B29/22 , C01B35/066 , C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/22 , C30B15/30 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/08 , C30B19/10 , C30B29/12 , G02B1/08 , G02B5/30 , G02B27/283
摘要： 本发明涉及一种氟硼酸钡钠双折射晶体及其制备方法和应用，该晶体化学式为Na3Ba2(B3O6)2F，分子量459.37，属于六方晶系，空间群为P6(3)/m，晶胞参数为a=7.3490(6)？，c=12.6340(2)？，V=590.93(12)？3，Z=2；该晶体用于红外-深紫外波段，为负单轴晶体，ne
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公开(公告)号：CN104404622A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410689349.0
申请日：2014-11-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC分类号： C30B29/40 , C30B15/14 , C30B15/203
摘要： 本发明公开了一种磷化铟单晶炉热偶升降装置，涉及单晶炉技术领域。所述升降装置包括：固定台、位置指针、标尺、热偶管、密封组件、丝杠、升降架、传动组件、动力源和热偶丝。所述升降装置用于液封直拉法磷化铟单晶生长工艺，可监控和测量磷化铟单晶生长时炉腔和熔体内不同位置的温度，进行在线精确测量，得到炉腔和熔体的实际温度，从而改善加热器和保温系统的结构、调节加热器功率，建立良好的热场，使熔体内温度梯度更加合理，生长出残余应力小、位错密度低、电学参数均匀的高质量磷化铟晶体，并能利用测量温度与相关仿真模拟软件的模拟温度进行对比。
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公开(公告)号：CN104334774A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380026674.2
申请日：2013-04-02
申请人： LG矽得荣株式会社
摘要： 本发明的单晶硅晶锭和晶片具有形成于其中的过渡区，该过渡区主要具有在空位主导非缺陷区和间隙主导非缺陷区中的至少一个区中包括的晶体缺陷之中的大小为10-30nm的晶体缺陷。
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公开(公告)号：CN104159855A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201280071159.1
申请日：2012-12-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 彼得·L·凯乐门 , 孙大为 , 布莱恩·H·梅克英特许
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/002 , C30B15/06 , C30B29/06
摘要： 一种自熔体上水平带材生长的方法，包括在熔体的表面上利用辐射冷却形成带材的前侧边缘；沿着熔体的表面在第一方向上拉起带材；以及在邻近带材的前侧边缘的区域中以热移离速率来移除自熔体辐射的热，所述热大于流经熔体至带材内的热。
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