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公开(公告)号：CN1764982A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN03826298.3
申请日：2003-03-18
申请人： 株式会社东芝
发明人： 户田春希
IPC分类号： G11C11/34 , H01L27/06 , H01L21/822
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C8/08 , G11C11/36 , G11C13/0007 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0042 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1675
摘要： 本发明的相变存储器装置，具有衬底；在上述衬底上层叠并将分别由相变确定的电阻值作为数据存储的多个存储器单元以矩阵方式排列的多个单元阵列；选择上述多个单元阵列内接近的两个存储器单元作为单元对，使其中一个具有高电阻值，而另一个具有低电阻值状态的写入电路；以及将上述单元对的互补电阻值状态作为1位数据读出的读出电路。
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公开(公告)号：CN100502015C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610164063.6
申请日：2006-12-06
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/02
CPC分类号： G11C11/36 , B82Y10/00 , G11C16/02 , G11C2216/06 , H01L27/1021 , H01L29/8616
摘要： 一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失存储器单元，包含具有额外栅极端的二极管结构。示例性的实施例包含独立的存储器单元、这种存储器单元的阵列、运作该存储器单元或存储器单元的阵列的方法及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101390212A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200680027149.2
申请日：2006-06-06
申请人： 桑迪士克3D公司
发明人： S·布拉德·赫纳 , 阿比希吉特·班迪奥帕迪亚
IPC分类号： H01L27/102 , G11C17/16
摘要： 本发明描述一种非易失性存储器单元，所述存储器单元包括半导体二极管(30)。构成所述二极管的半导体材料形成为在底部导体(6)与顶部导体(22)之间具有显著的缺陷密度，并允许在典型的读取电压下的非常低的电流流动。编程电压的施加永久改变所述半导体材料的特性，从而得到改进的二极管。经编程的二极管允许在相同读取电压下高得多的电流流动，在一些实施例中高出一个、两个或三个数量级。电流差允许将经编程存储器单元区分于未经编程的存储器单元。描述用以产生有利的未经编程缺陷密度的制造技术。本发明的存储器单元可形成在具有形成于单个衬底上方的多个堆叠存储器层级的单片三维存储器阵列中。
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公开(公告)号：CN1983565A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610164097.5
申请日：2006-12-07
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： G11C11/36 , B82Y10/00 , G11C8/10 , G11C16/02 , G11C2216/06 , H01L27/1021 , H01L29/8616
摘要： 一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失存储器单元，包含具有额外栅极端的二极管结构。示例的实施例包含独立的存储器单元、此类存储器单元的阵列、操作此存储器单元或存储器单元的阵列的方法及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1307646C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN02127659.5
申请日：2002-08-06
申请人： 日本电气株式会社
发明人： 植村哲也
IPC分类号： G11C11/401
CPC分类号： G11C11/36 , G11C2211/5614
摘要： 一种存储单元由其栅极连接到字线和其漏极连接到位线的FET、其一端连接到所述FET的源极和另一端连接到第一电源的电容器、提供在字线和FET的源极之间的第一负微分电阻器件、提供在FET的源极和第二电源之间的第二负微分电阻器件形成。
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