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公开(公告)号：CN1988040B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200610169399.1
申请日：2006-12-20
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/06 , G11C16/10 , H01L27/115 , H01L29/792
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C11/5671 , G11C16/0466
摘要： 本发明公开了一种非易失存储器，包括：存储器阵列，包括多列，该多列的每一列包括串联排列的多个存储器单元，该每一列具有第一端及第二端，该多个存储器单元的每一存储器单元具有至多一个单一电荷储存状态，该多个存储器单元的每一存储器单元包括：衬底区域，包括源极及漏极区域；电荷陷获结构，储存该单一电荷储存状态；一个或多储存介质结构，至少一部份在该电荷陷获结构及该衬底区域之间，及至少一部份在该电荷陷获结构及栅极电压源之间；多个字线，与该储存介质结构连接，该多个字线作为该栅极电压源至该存储器阵列；以及逻辑，与该多个存储器单元连接，该逻辑实施偏压安排至该存储器阵列，以编程、擦除及读取该存储器阵列。
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公开(公告)号：CN100502015C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610164063.6
申请日：2006-12-06
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/02
CPC分类号： G11C11/36 , B82Y10/00 , G11C16/02 , G11C2216/06 , H01L27/1021 , H01L29/8616
摘要： 一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失存储器单元，包含具有额外栅极端的二极管结构。示例性的实施例包含独立的存储器单元、这种存储器单元的阵列、运作该存储器单元或存储器单元的阵列的方法及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1949392A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610138883.8
申请日：2006-09-21
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C11/56
CPC分类号： G11C16/0475 , G11C11/5671 , G11C16/0483 , G11C2211/5621
摘要： 一种多电平单元(MLC)，可通过如每一单元中两端的每一端储存两比特来储存4比特。每一端可以储存，如四种不同电流电平状态，其通过在编程期间空穴注入如氮化层中的数目来决定。在一个提供的电位下，当更多的空穴注入，则电流减少。因此，电流可以是低的，在一实施例中通过使用电流放大器得到益处，此电流放大器可以是双极结型晶体管(BJT)、金属氧化物半导体晶体管(MOS)或其他类型的元件。
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公开(公告)号：CN100555639C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610164059.X
申请日：2006-12-06
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/02
CPC分类号： G11C11/36 , B82Y10/00 , G11C8/10 , G11C16/02 , G11C2216/06 , H01L27/1021 , H01L29/8616
摘要： 一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失性存储器单元，包括具有额外栅极端的二极管结构。示例性实施例包括独立的存储器单元、此类存储器单元的阵列、操作此存储器单元或存储器单元阵列的方法及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101388394A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200710192799.9
申请日：2007-11-20
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/423 , H01L29/78 , G11C16/02 , G11C16/06
摘要： 本发明是一种垂直非挥发存储单元，其具有一电荷存储结构，包含一具有三个节点的电荷控制结构。实施例包含单个存储单元、所述存储单元的阵列、操作所述存储单元或所述存储单元阵列的方法。
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公开(公告)号：CN101106137A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710127895.5
申请日：2007-07-10
申请人： 旺宏电子股份有限公司
发明人： 廖意瑛
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/792 , H01L29/06 , H01L29/423 , G11C16/26 , G11C16/10
摘要： 本发明是有关于一种具有变化沟道区界面的非易失性存储器的操作方法，此变化沟道区界面例如是举升的源极与漏极或凹入沟道区。
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公开(公告)号：CN101005078A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610164074.4
申请日：2006-12-06
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/02
CPC分类号： H01L27/1021 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C11/5671 , G11C16/10 , G11C2216/06 , H01L27/115
摘要： 一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失性存储器单元，包含具有额外栅极端的二极管结构。实例的实施例包含独立的存储器单元、此类存储器单元的阵列、操作此存储器单元或存储器单元的阵列的方法及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1670943A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200410085854.0
申请日：2004-11-10
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/8247 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/0475 , G11C16/3468 , H01L29/40114 , H01L29/792 , H01L29/7923
摘要： 本发明是关于一种记忆胞的操作方法，此方法是先设定记忆胞在第一闸极启始电压的初始状态，然后，再依序进行一步骤。上述的步骤为首先施加一偏压至闸极与第一接合区域之间，以使电洞迁移且停留在电荷陷入层中。接着，估算对偏压反应而产生的读取电流以决定是否达到第二闸极启始电压，其中第二闸极启始电压低于第一闸极启始电压。之后，藉由变化闸极与第一接合区域之间的偏压，以重复多次的步骤，直到达到第二闸极启始电压，且记忆胞处于可程序化状态。
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公开(公告)号：CN1670943B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200410085854.0
申请日：2004-11-10
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/8247 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/0475 , G11C16/3468 , H01L29/40114 , H01L29/792 , H01L29/7923
摘要： 本发明是关于一种存储器的操作方法，此方法是先设定存储器在第一栅极开启电压的初始状态，然后，再依序进行一步骤。上述的步骤为首先施加一偏压至栅极与第一接合区域之间，以使电洞迁移且停留在电荷捕获层中。接着，估算对偏压反应而产生的读取电流以决定是否达到第二栅极开启电压，其中第二栅极开启电压低于第一栅极开启电压。之后，由变化栅极与第一接合区域之间的偏压，以重复多次的步骤，直到达到第二栅极开启电压，且存储器处于可程序化状态。
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